IGBT充電電路
出處：何以解憂 發(fā)布于：2011-09-03 08:03:49 | 1762 次閱讀
采用IGBT作開關(guān)元件時，逆變器電路采用率聯(lián)諧振逆變電路，如圖3-33所示。這種電路的設(shè)計和工作原理與用SCR作開關(guān)的電路相同。要注意的是，IGBT和VMOS的控制極脈沖寬度必須等于或稍大于諧振電流的流通時間。
采用IGBT或VMOS器件后，由于它們的導(dǎo)通受柵極控制，因而一般情況下，負載不短路是不會發(fā)生連通現(xiàn)象的，因此對這種器件做的電源主要的防止負載短路造成過流事故。
電路中，對VMOS和IGBT的保護很重要，為了防止過壓采用RC吸收電路和其它過壓保護電路。半橋電路對開關(guān)元件的耐壓要求降低。所以常被選用。在逆變器回路中，電感元件很關(guān)鍵，它的大小決定了電流的峰值和平均值的大小，因此在諧振回路中C3一定時，盡可能選用大 的電感。
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