新型助聽、催眠、記憶增強型多功能電路圖
出處：highway 發(fā)布于：2011-08-23 18:52:41 | 1772 次閱讀
本電路由一個CMOS六反相器組成。A—D組成奇數(shù)級負反饋放大器。R1為反饋電阻，調(diào)節(jié)R2和R1的比值可調(diào)節(jié)電壓增益，其典型增益可達100倍。F3和F4并聯(lián)是為了增強放大器的負載能力。E和F構(gòu)成一個低頻信號發(fā)生器，它是一個最簡單的CMOS多諧振蕩器。它的振蕩頻率約為0.7Hz。改變C2或R3，可改變其振蕩頻率。R4和MIC構(gòu)成拾音電路。
在作助聽和記憶增強應(yīng)用時，開關(guān)S置于1的位置，MIC將外界聲音轉(zhuǎn)換為電信號進入放大器進行放大，再由耳機輸出。作記憶增強時，用雙耳機聽可減少外界干擾。
在作催眠器時，開關(guān)S置于2的位置，0.7Hz的低頻信號經(jīng)變壓器放大，在耳機中可以聽到“嗒嗒”的拍點聲，類似下雨時的聲音，讓人放松，從而起到催眠的作用。
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