如圖所示為M57962L的內(nèi)部結(jié)構(gòu)方框電路。其中IGBT（絕緣姍雙極晶體管）由于其可靠性高、驅(qū)動 簡單、保護(hù)容易、不用緩沖電路和開關(guān)頻率高的特點(diǎn)，在通用變頻器領(lǐng)域IGBT 模塊已完全取代了 GTR 模塊（大功率晶體管），而在各種通用變頻器 中IGBT 模塊的應(yīng)用充分體現(xiàn)了當(dāng)今電力電子器件的發(fā)展動向。IGBT 的技術(shù)動向是：采用溝槽結(jié) 構(gòu)，減小通態(tài)壓降，改善其頻率特性；其次采用NPT（非穿透）技術(shù)實(shí)現(xiàn)IGBT 的大功率化；再就是充分滿足應(yīng)用需求簡化逆變器驅(qū)動和保護(hù)電路設(shè)計(jì)，便于并聯(lián)和安裝。高壓IGBT 的開發(fā)和應(yīng)用有力地促進(jìn)了大功率電機(jī)變頻調(diào)速及牽引調(diào)速傳動的發(fā)展，其正在不斷擴(kuò)大中壓變頻調(diào)速器應(yīng)用范圍，并使其具有高可靠性和優(yōu)異的性能價格比。在我們研制的交流逆變器中，最容易損壞的部件是組成逆變橋的IGBT,IGBT的驅(qū)動與保護(hù)問題是逆變器能否可靠工作的基礎(chǔ)和關(guān)鍵。