如圖所示拓撲具有一個互補差動輸入級。在該拓撲中，放大器的輸入位于負軌附近時，PMOS晶體管為"開",而NMOS晶體管"關(guān)".當(dāng)放大器的輸入更接近于正電壓軌時，NMOS晶體管為"開",而PMOS晶體管為"關(guān)"。
　　這種設(shè)計拓撲在共模輸入范圍會存在極大的放大器失調(diào)電壓差異。在接地電壓附近的輸入范圍，PMOS晶體管的失調(diào)誤差為主要誤差。在正電源附近的區(qū)域，NMOS晶體管對主導(dǎo)失調(diào)誤差。由于放大器的輸入通過這兩個區(qū)域之間，因此兩個對均為"開".最終結(jié)果是，輸入失調(diào)電壓將在兩個級之間變化。當(dāng) PMOS和NMOS均為"開"時，共模電壓區(qū)域約為400 mV.這種交叉失真現(xiàn)象會影響放大器的總諧波失真（THD）。如果您以一種非反相結(jié)構(gòu)來配置互補輸入放大器，則輸入交叉失真就會影響放大器的THD+N性能。例如，在圖2中，如果不出現(xiàn)輸入過渡區(qū)域，則 THD+N等0.0006%.如果THD+N測試包括了放大器的輸入交叉失真，則THD+N等于0.004%.您可以利用一種反相結(jié)構(gòu)來避免出現(xiàn)這類放大器交叉失真。