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應用金屬氧化硅的場效應晶體管電路

出處:aidsheng 發(fā)布于:2011-07-20 13:57:40 | 1942 次閱讀

  常常需要上升率很小的鋸齒電壓發(fā)生器,為了降低上升率,普通晶體管鋸齒電壓發(fā)生器需要一個很大的積分電容器。因為要減少負載和輸出晶體管漏電流的影響,所以電容器充電電流必須很大。
  當其用作拾取器件時,MOSFET有效地消除了負載和漏電流對積分電容器的影響。這就使電容器充電電流大為減小,因而也就減小了積分電容器的值。
  MOSFET可以設計成源極跟蹤器。其源極電壓,通常比柵極電壓高5~6伏。
鋸齒發(fā)生器和MODFET典型特性曲線


  
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