世界上出現(xiàn)的只半導體激光器是電流注入式GaGs同質(zhì)結(jié)激光器，其閾值電流密度很高，不能在室溫下連續(xù)工作。為了提高半導體激光器的性能，設法在GaAs的一側(cè)生長異種材料（例如GaAlAs）面形成異質(zhì)結(jié)。如果半導體激光器只有一個異質(zhì)結(jié)，則叫單異質(zhì)結(jié)激光器。如果有兩個異質(zhì)結(jié)，就叫雙異質(zhì)結(jié)激光器。
　　有了雙異質(zhì)結(jié)激光器，便實現(xiàn)了激光器在室溫下的連續(xù)運轉(zhuǎn)。在雙異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)的基礎上，又研制出大光腔激光器（LOC）。這樣，半導體激光器的性能得到了很大的改善，可以滿足不斷增長的某些需要。將若干單異質(zhì)結(jié)激光器串聯(lián)或并聯(lián)而形成陣列，能大大提高激光輸出功率。
　　典型半導體激光器的特性，列于表5-1。

　　表中所列參數(shù)，僅供參考。因為半導體激光器技術發(fā)展很快，新型器件不斷出現(xiàn)，例如可見光半導體激光器已商品化。
　　從半導體激光器工作機理上看，它的量子躍遷發(fā)生在能帶之間面不是分立的能級之間，因面單色性差些；又由于其諧振腔的反射鏡小，光束的發(fā)射角也較大。
　　半導體激光器的伏安特性，與普通二極管相類似。正向偏置時，近似于線性的部分是工作區(qū)，這一區(qū)內(nèi)的動態(tài)電阻很小，約0.3Ω以下。
　　值半導體激光器產(chǎn)生激光所需的最小電流叫閾值電流。顯然，正常工作時泵浦電值應高于閾值電流。半導體激光器輸出光功率與泵浦電流的關系，也不是線性的。只是其中的一段近于線性，可以看出是輸出光功率與泵浦電流成正比。這種近似在某些應用中具有實際價值，因為用信號電流可直接調(diào)制光輸出。