在IGBT的柵極電路中，主要考慮的因素包括柵極電壓Uge的正、負(fù)及柵極電阻Rg的大小。它們對(duì)IGBT的導(dǎo)通電壓、開關(guān)時(shí)間、開關(guān)損耗、承受短路能力及du/dt等參數(shù)均有不同程度的影響。
　　（1）柵極電壓Uge的影響
　　從IGBT的伏安特性曲線（圖1-33）上可以看出，當(dāng)柵極電壓Uge小于閾值電壓時(shí)， 器件的集射極間沒有電流流過，它處于截止?fàn)顟B(tài)，只有當(dāng)大于時(shí)，集射極間才有電流流通，該電流的大小取決于Uge。在具體使用時(shí)，一般選擇大于等于1.5～2.5倍的閾值電壓，這樣可獲得最小的導(dǎo)通壓降。
　　隨著Uge的增加，器件的集射電壓Uce降低，開關(guān)損耗也隨之下降。但是，Uge不能隨意增加。當(dāng)它增加到一定程度后。會(huì)對(duì)IGBT的負(fù)載短路能力及dUce/dt有不利的影響，因此，對(duì)的選擇須折中考慮，通常取Uge=15V。
　　雖然IGBT為電壓控制器件，驅(qū)動(dòng)功率很小，但由于其內(nèi)部存在幾百至幾千微微法的輸人電容，仍需要一定大小的瞬時(shí)驅(qū)動(dòng)電流，為了使IGBT能很快的通斷，驅(qū)動(dòng)信號(hào)源內(nèi)阻要盡量?。▍⒖际剑?-21））。
　　此外。作為開關(guān)器件的IGBT，在關(guān)斷時(shí)將承受較高的dU/dt，這有可能使柵極電壓超過閾值電壓。為了防止由此產(chǎn)生的IGBT誤導(dǎo)通，關(guān)斷時(shí)加上一5V的關(guān)柵電壓。
　　一種能產(chǎn)生十15V開柵電壓和—5V關(guān)柵電壓的簡(jiǎn)單電路，如圖1-34所示。

　?。?）柵極電阻Rg及柵射電阻Rge的影響IGBT的輸人阻抗很高且為容性，靜態(tài)時(shí)輸入端沒有電流流過，只是在工作中存在對(duì)輸人電容進(jìn)行充放電的動(dòng)態(tài)電流。為了改善脈沖的前后沿陡度和防止產(chǎn)生振蕩，減小集電極大的電壓尖脈沖，需要在柵極串聯(lián)電阻Rg。
　　但要注意，串人較大的Rg時(shí)，會(huì)使IGBT的通斷時(shí)間延長(zhǎng)；而串人較小的Rg時(shí)，又會(huì)使di/dt升髙，可能引起IGBT誤導(dǎo)通。因此在實(shí)際應(yīng)用中，應(yīng)根據(jù)器件的電流容量、電壓額定值及開關(guān)頻率，選擇適當(dāng)?shù)腞g值。通常，為了幾至幾百歐。
　　同樣由于IGBT輸人阻抗很高，當(dāng)集射間加的電壓較高時(shí)，外界干擾和容易使柵極電壓超過閾值電壓，造成器件誤導(dǎo)通。為防止這類現(xiàn)象發(fā)生，在柵射極間并聯(lián)一只電阻Rge。要注意的是，Rge的值不能太小，否則會(huì)使器件的開通時(shí)間變長(zhǎng)，降低了開關(guān)頻率。一般選取Rge=（1000～5000）Rg，并盡量將Rge接在柵極和射極的最近處。