IGBT的門(mén)極驅(qū)動(dòng)電路密切地關(guān)系到其靜態(tài)和動(dòng)態(tài)特性。門(mén)極電路的正偏壓UGS、負(fù)偏壓－UGS和門(mén)極電阻RG的大小，對(duì)IGBT的通態(tài)電壓，開(kāi)關(guān)時(shí)間，開(kāi)關(guān)損耗，承受短路能力以及dv/dt等參數(shù)均有不同程度的影響。
　　設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路的一些注意事項(xiàng)如下：
　　1）連線(xiàn)長(zhǎng)度應(yīng)盡量減少與IGBT模塊各管腳的連線(xiàn)長(zhǎng)度，尤其是門(mén)極引線(xiàn)的長(zhǎng)度。如果實(shí)在無(wú)法減少其長(zhǎng)度，可以用小磁環(huán)或一個(gè)小電阻與門(mén)極串聯(lián)。這兩個(gè)元件應(yīng)盡量靠近模塊門(mén)極，它們可以消除寄生震蕩。
　　2）精心布局器件盡量作到完全對(duì)稱(chēng)，連線(xiàn)盡量同長(zhǎng)度并且盡量減短加粗，盡可能用多股絞線(xiàn)。
　　3）泄放電阻在IGBT的門(mén)極與源極之間，應(yīng)加11kΩ的泄放電阻。
　　4）正偏電壓UGS的影響當(dāng)UGS增加時(shí)，開(kāi)通時(shí)間縮短，因而開(kāi)通損耗減少，UGS的增加雖然對(duì)減小通態(tài)電壓和開(kāi)通損耗有利，但是UGS不能隨意增加，當(dāng)增加到一定程度后，對(duì)IGBT的負(fù)載短路能力以及dv/dt有不利影響，本電路采用UGS=15V。
　　5）負(fù)偏電壓－UGS的影響負(fù)偏電壓是很重要的門(mén)極驅(qū)動(dòng)條件，它直接影響IGBT的可靠運(yùn)行。過(guò)高的dv/dt會(huì)產(chǎn)生較大的位移電流，使門(mén)極源極之間的電壓上升，并超過(guò)IGBT的門(mén)極閾值電壓，于是產(chǎn)生一個(gè)較大的漏極脈沖浪涌電流，過(guò)大的漏極浪涌電流會(huì)使IGBT發(fā)生不可控的擎住現(xiàn)象，為了避免IGBT發(fā)生這種誤觸發(fā)，可在門(mén)極加反向偏置電壓，本電路加－UGS=－12V。
　　6）門(mén)極電阻的影響門(mén)極電阻選用的原則為，在開(kāi)關(guān)損耗不大的情況下，應(yīng)選用較大的門(mén)極電阻，但當(dāng)門(mén)極電阻增加時(shí)，IGBT的開(kāi)通與關(guān)斷時(shí)間增加，進(jìn)而使每脈沖的開(kāi)通能耗EON和關(guān)斷能耗EOFF也增加，所以綜合考慮本電路采用51Ω。

功率變換部分電路圖