INA101的TO-100金屬封裝電路

出處：computer00 發(fā)布于：2007-10-25 00:00:00 | 1932 次閱讀

如圖所示為INA101的TO-100金屬封裝電路。如果在噪聲或是高阻電源供電的應(yīng)用場合，應(yīng)加電源去耦電容，且在PCB板上電源去耦電容應(yīng)盡可能靠近芯片引腳。放大器增益由外電路RG電阻決定，G=1+40kΩ／RG。參考公共端(地)必須低阻連接，以確保有良好的共模抑制特性。如果存在有一個(gè)0.1Ω串聯(lián)電阻，將造成共模抑制比降低(低于106dB)。電阻RG的穩(wěn)定性和溫度漂移對放大器工作的影響很大，要注意選取性能穩(wěn)定的電阻。如果需要高增益，則RG取值將減小(可從公式看出)，這時(shí)連線電阻和插座的接觸電阻對放大器的影響就突出出來了。要注意減小這些電阻，以減小放大器的誤差，保證放大器能夠穩(wěn)定工作。V0=G(E1-E2)。

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