面實(shí)裝樹脂屏蔽型電感器： WCD5045MB/DS
出處：維庫電子市場網(wǎng) 發(fā)布于：2025-11-10 13:55:08
WCD5045MB/DS（5.3*5.3*4.5mm Max.）是一款新型表面貼裝功率電感，采用樹脂填充線圈的結(jié)構(gòu)。通過向繞線中填充含磁性材料的樹脂，顯著提升了磁屏蔽效果與機(jī)械抗沖擊強(qiáng)度。閉合磁路的設(shè)計也有效減少了漏磁和電磁干擾（EMI）。
主要特點(diǎn)
● 鐵氧體磁芯結(jié)構(gòu)
● 薄型樹脂磁屏蔽型
● 低漏磁和低電磁干擾
● 使用溫度范圍: -55℃~+125℃（包括線圈溫度上升）
主要應(yīng)用
※2 飽和電流：當(dāng)電感值比初始值降低30%時的直流電流值。
※3 溫升電流：線圈溫度上升ΔT=40℃時的直流電流值。(Ta＝20℃)
主要特點(diǎn)
● 鐵氧體磁芯結(jié)構(gòu)
● 薄型樹脂磁屏蔽型
● 低漏磁和低電磁干擾
● 使用溫度范圍: -55℃~+125℃（包括線圈溫度上升）
主要應(yīng)用
廣泛應(yīng)用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、筆記本電腦、智能手機(jī)、液晶顯示器、硬盤驅(qū)動器、DVD、固態(tài)硬盤、數(shù)碼攝像機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、掌上電腦等。
※2 飽和電流：當(dāng)電感值比初始值降低30%時的直流電流值。
※3 溫升電流：線圈溫度上升ΔT=40℃時的直流電流值。(Ta＝20℃)
關(guān)鍵詞：屏蔽型電感器
版權(quán)與免責(zé)聲明
凡本網(wǎng)注明“出處：維庫電子市場網(wǎng)”的所有作品，版權(quán)均屬于維庫電子市場網(wǎng)，轉(zhuǎn)載請必須注明維庫電子市場網(wǎng)，http://www.hbjingang.com，違反者本網(wǎng)將追究相關(guān)法律責(zé)任。
本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其它出處的作品，目的在于傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)或證實(shí)其內(nèi)容的真實(shí)性，不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。其他媒體、網(wǎng)站或個人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時，必須保留本網(wǎng)注明的作品出處，并自負(fù)版權(quán)等法律責(zé)任。
如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問題，請在作品發(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系，否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。
相關(guān)技術(shù)資料
- MOSFET反向恢復(fù)特性對系統(tǒng)的影響2026/4/10 11:07:36
- 連接器耐腐蝕性能測試方法2026/4/10 10:56:32
- MOSFET在高頻開關(guān)中的EMI問題2026/4/9 10:13:50
- 連接器結(jié)構(gòu)設(shè)計常見問題分析2026/4/9 10:02:52
- 連接器選型中容易忽略的關(guān)鍵參數(shù)2026/4/8 10:32:54
技術(shù)分類
廣告
熱門技術(shù)資料
最新技術(shù)資料
- 高速PCB信號完整性（SI）設(shè)計核心實(shí)操規(guī)范
- 鎖相環(huán)（PLL）中的環(huán)路濾波器：參數(shù)計算與穩(wěn)定性分析
- MOSFET反向恢復(fù)特性對系統(tǒng)的影響
- 電源IC在惡劣環(huán)境中的防護(hù)設(shè)計
- 連接器耐腐蝕性能測試方法
- PCB電磁兼容（EMC）設(shè)計與干擾抑制核心實(shí)操規(guī)范
- 用于相位噪聲測量的低通濾波器設(shè)計與本振凈化技術(shù)
- MOSFET在高頻開關(guān)中的EMI問題
- 電源IC在便攜式設(shè)備中的設(shè)計要點(diǎn)
- 連接器結(jié)構(gòu)設(shè)計常見問題分析
