10Base-T1S汽車單對(duì)以太網(wǎng)的保護(hù)二極管
出處:維庫電子市場(chǎng)網(wǎng) 發(fā)布于:2025-02-13 11:30:37
Nexperia 10Base-T1S保護(hù)二極管CCT
該公司表示:“這些二極管中的極低電容(0.4pf)意味著它們也可以用來保護(hù)部署100base-T1或1000Base-T1內(nèi)部車輛網(wǎng)絡(luò)網(wǎng)絡(luò)的高速應(yīng)用,同時(shí)仍保持信號(hào)完整性?!?/p>

對(duì)于一條線,根據(jù)IEC 61000-4-2,其中一條保護(hù)二極管可以處理高達(dá)18kV,多可承受15kV,根據(jù)開放聯(lián)盟需求,持續(xù)的Nexperia繼續(xù)進(jìn)行1,000次排放。
包裝有選擇:
PESD1ETH10L-Q,在1 x 0.6 x 0.48mm dfn1006-2中
PESD1ETH10LS-Q,在1 x 0.6 x 0.6 x 0.37mm dfn1006bd-2中,帶有可自動(dòng)化光學(xué)檢查的側(cè)面?zhèn)让鎮(zhèn)让?br>
這些雙向二極管具有AEC-Q101的資格,具有快速背包特征。

它們通常開始在±140V(100V)下進(jìn)行操作,然后進(jìn)行足夠的努力,以將瞬態(tài)拉到±32V(25°C環(huán)境,100NS脈沖)。
隨著電流的更多,由于1Ω內(nèi)部動(dòng)態(tài)電阻(20A,100NS,25°C),整個(gè)設(shè)備的電壓增加。此處描述的非反抗100NS脈沖是與ANSI / ESD STM5.5.5.1-2008的方形傳輸線脈沖。
8/20μs脈沖的額定峰為94W和2.3a。功率處理在150°C的連接溫度下從25°C線性下降到零。
該公司以12、24和48V系統(tǒng)的目標(biāo)將這些二極管的目標(biāo)定為±75V。
“這些二極管不僅可以與林之類的舊標(biāo)準(zhǔn)兼容,而且可以支持現(xiàn)代車輛內(nèi)網(wǎng)絡(luò),從而彌合了當(dāng)前和未來的汽車技術(shù)之間的差距,”該公司解釋說:“將舊的連接標(biāo)準(zhǔn)像CAN和LIN等舊的連接標(biāo)準(zhǔn)交互對(duì)于更高的速度,汽車以太網(wǎng)網(wǎng)絡(luò)引入了不必要的復(fù)雜性,因此用10Base-T1s代替它們是有道理的。這種方法允許汽車以太網(wǎng)(單個(gè)網(wǎng)絡(luò)體系結(jié)構(gòu))幾乎滿足每個(gè)汽車應(yīng)用程序的速度要求?!?br>
版權(quán)與免責(zé)聲明
凡本網(wǎng)注明“出處:維庫電子市場(chǎng)網(wǎng)”的所有作品,版權(quán)均屬于維庫電子市場(chǎng)網(wǎng),轉(zhuǎn)載請(qǐng)必須注明維庫電子市場(chǎng)網(wǎng),http://www.hbjingang.com,違反者本網(wǎng)將追究相關(guān)法律責(zé)任。
本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其它出處的作品,目的在于傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)或證實(shí)其內(nèi)容的真實(shí)性,不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。其他媒體、網(wǎng)站或個(gè)人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時(shí),必須保留本網(wǎng)注明的作品出處,并自負(fù)版權(quán)等法律責(zé)任。
如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問題,請(qǐng)?jiān)谧髌钒l(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系,否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。
- 車載網(wǎng)關(guān)技術(shù)特性與選型運(yùn)維指南2025/12/31 10:50:46
- 主流智能駕駛芯片梳理2025/10/31 15:14:45
- 車規(guī)級(jí)MCU介紹及應(yīng)用場(chǎng)景2025/9/18 15:05:59
- 新能源汽車動(dòng)力電池系統(tǒng)核心知識(shí)2025/9/5 16:02:13
- 深度剖析 DC - DC 轉(zhuǎn)換器在新能源汽車中的關(guān)鍵應(yīng)用2025/9/2 16:56:47
- 高速PCB信號(hào)完整性(SI)設(shè)計(jì)核心實(shí)操規(guī)范
- 鎖相環(huán)(PLL)中的環(huán)路濾波器:參數(shù)計(jì)算與穩(wěn)定性分析
- MOSFET反向恢復(fù)特性對(duì)系統(tǒng)的影響
- 電源IC在惡劣環(huán)境中的防護(hù)設(shè)計(jì)
- 連接器耐腐蝕性能測(cè)試方法
- PCB電磁兼容(EMC)設(shè)計(jì)與干擾抑制核心實(shí)操規(guī)范
- 用于相位噪聲測(cè)量的低通濾波器設(shè)計(jì)與本振凈化技術(shù)
- MOSFET在高頻開關(guān)中的EMI問題
- 電源IC在便攜式設(shè)備中的設(shè)計(jì)要點(diǎn)
- 連接器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)常見問題分析









