IGBT的外形、等效結(jié)構和符號如圖7-17所示，從等效結(jié)構圖中可以看出，IGBI相當于一個 PNP 型三極管和增強型 NMOS 管以圖 7-17(b)所示的方式組合而成。IGBT有三個極:C極(集電極)、G極(柵極)和E極(發(fā)射極)。

　　圖 7-17中的IGBT是由PNP型三極管和N溝道MOS管組合而成，這種IGBT稱作N-IGBT,用圖7-17(c)所示符號表示,相應的還有P溝道IGBT,稱作P-IGBT，將圖 7-17(c)符號中的箭頭改為由E極指向G極即為P-IGBT的電路符號。由于電力電子設備中主要采用 N-IGBT，下面以圖7-18所示的電路為例來說明 N-IGBT的工作原理。

　　電源區(qū)通過開關S為IGBT提供U電壓，電源IGBTE,經(jīng)R為IGBT提供U電壓。當開關S閉合時，IGBT的 G、E極之間獲得電壓 U，只要 U電壓大R，于開啟電壓(2~6V)，IGBT內(nèi)部的NMOS管就有導電溝道形成，MOS管D、S極之間導通，為三極管YC人電流提供通路，三極管導通，有電流從IGBT的6C極流入，經(jīng)三極管發(fā)射極后分成和兩路電流，1電流流經(jīng)MOS管的D、S極，電流從三極管的集電極流出，1、L電流匯合成上電流從IGBT的E極流出，即IGBT處于導通狀態(tài)。當開關S斷開后，U電壓為管導電溝道夾斷(消失),、都為0,、“電流也為 0,即IGBT 處于截止狀態(tài)。調(diào)節(jié)電源 E,可以改變 U電壓的大小，IGBT 內(nèi)部的 MOS 管的導電溝道寬度會隨之變化，L電流大小會發(fā)生變化，由于電流實際上是三極管的工電流，1,細小的變化會引起厶電流(1,為三極管的,電流)的急劇變化。例如，當U增大時，MOS 管的導通溝道變寬，幾電流增大，電流也增大，即IGBT的C極流入、E極流出的電流增大。