面對這一挑戰(zhàn)，盡管電力電子工程師們早就掌握了理論上能夠達到零損耗的ZVS軟開關(guān)這一秘密武器，但在紛繁復(fù)雜的實際應(yīng)用中，由于寄生參數(shù)、控制精度、熱效應(yīng)、材料特性等種種因素，仍會不可避免地產(chǎn)生損耗。
　　在前不久PowerUP Asia 2024論壇的在線研討會中，Qorvo產(chǎn)品應(yīng)用工程師Mike Zhu分享了Qorvo SiC FET在ZVS（零電壓開關(guān)）軟開關(guān)技術(shù)應(yīng)用中的卓越表現(xiàn)。
　　ZVS也無法避免的損耗是怎么來的？
　　在傳統(tǒng)的硬開關(guān)操作中，開關(guān)器件在高電壓下導(dǎo)通，導(dǎo)致開關(guān)損耗顯著，這不僅降低了效率，還產(chǎn)生了大量的熱量。特別是在高頻操作中，開關(guān)損耗會急劇增加，成為制約系統(tǒng)效率和性能的關(guān)鍵因素。為了解決這一問題，軟開關(guān)技術(shù)，尤其是零電壓開關(guān)技術(shù)，被開發(fā)出來，旨在實現(xiàn)開關(guān)元件在無電壓或極低電壓狀態(tài)下導(dǎo)通，從而極大程度地減少開關(guān)損耗，提高效率。
　　零電壓開關(guān)技術(shù)依賴于開關(guān)器件（如MOSFET或IGBT）的特性，這些器件在導(dǎo)通時具有較低的電阻，而在關(guān)斷時具有較高的電阻。在ZVS應(yīng)用中，開關(guān)在電壓為零或接近零時導(dǎo)通，這意味著開關(guān)的電流在導(dǎo)通時不會突然增加，從而減少了開關(guān)損耗。

　　

　　圖1 ZVS軟開關(guān)波形及不同開關(guān)階段半橋電路的主要能量損耗來源
　　圖1展示了一個ZVS技術(shù)的典型示例。根據(jù)其波形圖我們可以看出，盡管ZVS避免了開通損耗，但仍然存在死區(qū)時間，這一階段會帶來死區(qū)傳導(dǎo)損耗。之后柵極導(dǎo)通，電流得以流過器件，ZVS應(yīng)用中的主要損耗就發(fā)生在這里，這一部分就是開通損耗。當(dāng)器件需要關(guān)斷時，ZVS應(yīng)用的關(guān)斷方式依舊是硬開關(guān)式，關(guān)斷損耗也就因此產(chǎn)生了。
　　在零電壓開關(guān)應(yīng)用中，功率器件的選擇和設(shè)計需要特別考慮到幾個關(guān)鍵性能指標，以確保系統(tǒng)在效率、熱管理以及整體性能上達到。Mike 將其總結(jié)為以下幾點：
　　低開通損耗：在ZVS應(yīng)用中，器件的開通損耗是首要關(guān)注的損耗問題，尤其是在或第三象限操作時。這要求器件在開通時能夠迅速且高效地轉(zhuǎn)移電流，同時化電壓和電流的重疊，從而減少能量損耗。
　　低關(guān)斷損耗：盡管ZVS技術(shù)旨在降低開通損耗，但關(guān)斷過程中的硬開關(guān)損耗依然存在，是第二大損耗來源。因此，器件在關(guān)斷時應(yīng)具備快速的電壓轉(zhuǎn)換能力和低損耗特性，以減少能量在關(guān)斷過程中的消耗。
　　低柵極電荷（Qg）：ZVS應(yīng)用由于消除了關(guān)斷損耗，可以支持更高的開關(guān)頻率。較低的柵極電荷意味著在高開關(guān)頻率下，柵極驅(qū)動損耗更小，特別是在輕負載條件下，這有利于提高效率和系統(tǒng)穩(wěn)定性。
　　低時間相關(guān)輸出電容（Coss）：輸出電容影響電壓降至零的速度，進而影響死區(qū)時間。較低的輸出電容可以縮短死區(qū)時間，提高占空比，從而向負載輸送更高功率，同時有助于實現(xiàn)ZVS條件，減少開關(guān)損耗。
　　低熱阻：功率器件的熱阻決定了其在高功率密度應(yīng)用中散熱的效率。低熱阻可以有效降低器件的結(jié)溫，提高器件的熱穩(wěn)定性和可靠性，從而延長產(chǎn)品的使用壽命。
　　SiC FET的革新技術(shù)這樣實現(xiàn)TVS效率提升
　　Qorvo SiC FET，作為ZVS技術(shù)的革新者，憑借其獨特的設(shè)計和材料科學(xué)的進步，為電力電子行業(yè)帶來了前所未有的變革。

　　圖2. SiC MOSFET與用于共源共柵電路SiC JFET的截面比較
　　與平面SiC MOSFET對比，Qorvo SiC FET采用了共源共柵結(jié)構(gòu)，其在于使用了溝槽JFET。這一設(shè)計消除了平面SiC MOSFET中存在的溝道電阻，取而代之的是一個低壓硅MOSFET的溝道電阻。由于硅材料的導(dǎo)電性能優(yōu)于SiC，且工作在較低的電壓下，因此其導(dǎo)通電阻顯著減小，僅占共源共柵器件總電阻的5%-10%。這一創(chuàng)新設(shè)計大幅度降低了器件的導(dǎo)通電阻，使得Qorvo SiC FET在單位面積上的導(dǎo)通電阻比接近的SiC MOSFET結(jié)構(gòu)低兩倍以上。

　

　　圖3. Qorvo SiC FET與其他廠商的開關(guān)器件導(dǎo)通電阻對比
　　此外，Qorvo SiC FET還通過其獨特的結(jié)構(gòu)設(shè)計，進一步優(yōu)化了開關(guān)性能。平面SiC MOSFET在第三象限導(dǎo)通時，體二極管壓降較高，例如，在零偏置情況下傳導(dǎo)30A電流時，壓降約為4.8V。而在Qorvo SiC FET中，由于其共源共柵結(jié)構(gòu)，高壓SiC JFET在第三象限導(dǎo)通時始終處于同步導(dǎo)通模式。這使得在柵極偏置為0V且第三象限電流為30A時，Qorvo SiC FET的體二極管壓降僅為2.5V。得益于其低溝道電阻和低體二極管壓降，Qorvo SiC FET還提供了非常低的時間相關(guān)輸出電容（Coss），這使得開關(guān)速度大大加快，并有效地縮短了所需的死區(qū)時間。
　　針對ZVS應(yīng)用中的另一大損耗來源——開關(guān)損耗。Mike將Qorvo的U1B半橋模塊與其他廠商的SiC MOSFET進行了對比，結(jié)果顯示在100A電流條件下，Qorvo的器件在關(guān)斷時的開關(guān)損耗比其他廠商的器件低74%。這種性能優(yōu)勢主要歸因于Qorvo器件的更快的dV/dt，即電壓變化率。

　　快速的dV/dt可以減少電流和電壓的重疊，進而降低關(guān)斷損耗。當(dāng)使用緩沖器控制電壓尖峰和振鈴時，這種效果尤為明顯。緩沖器可以幫助限制電壓的上升速度，同時允許更小的柵極電阻，這有利于降低開關(guān)損耗。在電動汽車充電站等實際應(yīng)用中，使用Qorvo器件可以實現(xiàn)更高的效率，更低的結(jié)溫，以及可能更高的開關(guān)頻率，從而減小系統(tǒng)尺寸和降低成本。
　　更小的芯片尺寸帶來諸多優(yōu)點的同時，也增加了熱阻。在高功率密度的應(yīng)用中，有效的散熱設(shè)計至關(guān)重要。Qorvo通過采用銀燒結(jié)芯片貼裝技術(shù)，顯著提升了其SiC FET的熱性能。銀燒結(jié)技術(shù)的導(dǎo)熱率是傳統(tǒng)焊接技術(shù)的六倍，這意味著熱量能夠更高效地從芯片表面轉(zhuǎn)移到散熱器，從而降低了器件的運行溫度，延長了器件的使用壽命，并提升了整體系統(tǒng)的可靠性和效率。