關(guān)于PNP晶體管特定情況下電流和電壓符號的約定，讓我們看一下圖 1 所示的圖表。

　　

　　圖 1：共基極配置的PNP晶體管
　　傳統(tǒng)上，假設(shè)I E > 0，我們必然有I C、 I B < 0。如果結(jié)J E 正向偏置，則V EB > 0。同樣，對于圖 1 的結(jié)J C 來說， V CB < 0. 對于NPN晶體管，我們采用對偶性，即反轉(zhuǎn)電流和電壓的符號。
　　靜態(tài)輸出和輸入特性

　　現(xiàn)在讓我們回顧一下晶體管的廣義方程（始終指PNP情況）：

　　將公式 1 應(yīng)用于圖 1 所示的圖表，意味著V C = V CB < 0。由此可見：

　

　　假設(shè)V CB和I E作為自變量。更具體地說，以發(fā)射極電流I E作為參數(shù)，我們有：

　　電力電子科學(xué)筆記：通用基礎(chǔ)配置

　　我們期望出現(xiàn)一系列反向指數(shù)爬升，如圖 2 所示。由此獲得的曲線構(gòu)成了靜態(tài)輸出特性。

　　圖 2：靜態(tài)輸出特性。
　　靜態(tài)輸入特性給出了發(fā)射極電流 ( IE )的變化，作為發(fā)射極和基極之間的電壓 (V EB )的函數(shù)，集電極基極電壓 (V CB ) 保持恒定。我們可以寫：
　　電力電子科學(xué)筆記：通用基礎(chǔ)配置

　　將V CB 作為參數(shù)，得到一系列曲線（即靜態(tài)輸入特性）。為了能夠?qū)⑺鼈兝L制出來，我們考慮一下相當(dāng)于 PNP 晶體管的電路。可以通過想象兩個相對的 PN 結(jié)（即個 PN 結(jié)的陰極與第二個 PN 結(jié)的陽極串聯(lián)）來進行模擬，如圖 3 所示。

　　圖 3：PNP 晶體管可以被視為兩個相互連接的二極管。
　　在共基極配置中，D in 處于正向偏置狀態(tài)。因此，根據(jù)符號的明顯含義，我們有：
　　電力電子科學(xué)筆記：通用基礎(chǔ)配置

　　因此，我們得到了圖 4 中繪制的趨勢，其中我們注意到存在與結(jié)型二極管完全相同的偏移電壓。共基極配置中發(fā)射極和集電極的偏振態(tài)定義了不同的區(qū)域。準確地說，是J E正向偏置和J C反向偏置的有源區(qū)，以及兩個結(jié)都正向偏置的飽和區(qū)。由此可見，對于集電極電流，我們有：

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　　因此，集電極電流作為V CB 的函數(shù)按照指數(shù)趨勢變化。，截止區(qū)域由集電極電流截止（即發(fā)射極開路時）定義。

　　圖 4：靜態(tài)輸入特性