我確實需要一些負供給來將“剩余空間”增加到零附近。（不是“凈空”，因為這里我們處理的不是上部的正電源，而是下部的電源。）在探索替代方案時，出現了使用光電管代替任何普通電壓轉換器的想法。這就產生了這個電路。
　　但是，雖然該解決方案擁有極低的輸出噪聲，但其輸出功率卻受到一定限制。順便說一句，在 R_load = 2k 和通過 LED 的總電流為 2*5=10 mA（歐司朗超亮）時，我使用該“光電管”獲得的輸出超過 0.81V。

　　這對于我的應用來說已經足夠了，但我很難立即停止，因此圖 1中的電路誕生了。當需要簡單的本地低噪聲負電源時，可以使用這兩種電路。

　　圖 1實現運算放大器真正零輸出的第二個電路，該電路基于對稱多諧振蕩器，比以前的光電池設計理念具有更高的效率。
　　第二個電路基于對稱多諧振蕩器，其效率遠高于其“光電管”兄弟，但其輸出噪聲稍高。因此，它可能更適合功率受限的應用。
　　雙肖特基 BAR43A 的性能類似于全波整流器，其對稱性降低了輸出噪聲中的多諧振蕩器頻率水平。關于多諧振蕩器本身的對稱性也可以這樣說。與它的老兄弟一樣，該電路完夠容忍輸出短路，因為兩者都是電流源。
　　關于晶體管的一點：幾乎所有當前的 NPN BJT 都具有大約 5…7 V 的低 Vebo。該參數對于對稱多諧振蕩器的 BJT 很重要。5 V 供電電路的不錯選擇是 Vebo 至少為 6 V 的任何晶體管，例如 BC547、2N5551、MPS2222A 等。
　　現在，很難找到像 2SC3616 (NEC) 這樣的器件，其 Vebo 電壓約為 15 V（順便說一下，h21 > 2000），因此，如果您想讓電路適應更高的電壓，則必須使用 MOSFET柵源電壓約為 20V。
　　元件值為：R1 = R1′ = 5.6 k，R2 = R2′ = 30 k，C1 = C1′ = 0.1 ?F。輸出電容器應具有低阻抗。
　　這里的頻率不能使用對稱多諧振蕩器的已知公式來計算；顯然它會更高。對于所示組件以及 910 Ω 負載，頻率約為 2 * 0.65 = 1.3 KHz。
　　該電路在 +5V 時消耗的電流小于 1.5 mA，并在 910 Ω 負載上產生 -0.3 V。