具有信號量仲裁功能的雙端口 SRAM
出處:維庫電子市場網(wǎng) 發(fā)布于:2023-10-13 16:51:08
由于其高帶寬和消息訪問靈活性,雙端口 SRAM 用于鏈接多個高性能處理器和系統(tǒng)。Integrated Device Technology 生產(chǎn)多種配置的雙端口 SRAM,所有配置均由一個帶有兩組地址、數(shù)據(jù)和控制信號的 SRAM 組成。這允許兩個處理器在各自的地址空間中共享同一物理內(nèi)存塊。兩個處理器可以同時異步地訪問兩個內(nèi)存位置中的數(shù)據(jù)。這種方法明顯優(yōu)于分立部件的設(shè)計,在分立部件的設(shè)計中,兩個處理器必須通過仲裁來同步才能訪問總線,該總線用于訪問標(biāo)準(zhǔn)單端口 RAM 中的一個位置。

考慮一個多處理器系統(tǒng),其中每個處理器都可以訪問相同的數(shù)據(jù)。當(dāng)多個處理器同時需要同一數(shù)據(jù)時,仲裁方案對于解決這種情況是必要的。解決仲裁問題的不同方法有不同的權(quán)衡,并且適合不同的應(yīng)用。這些解決方案包括無仲裁、硬件解決方案、軟件解決方案及其組合。
IDT71342 的功能描述
IDT71342 是一款具有信號量邏輯的快速雙端口 4K x 8 CMOS 靜態(tài) SRAM,采用 52 引腳 PLCC 和 64 引腳 TQFP 封裝。信號量邏輯可用于將雙端口 SRAM 的部分分配到一側(cè)或另一側(cè),并用于代替其他雙端口設(shè)計中使用的地址仲裁邏輯。信號量由軟件控制。因此,這種方法有幾個缺點(diǎn),包括分配任意大小的多個塊以及沒有處理器等待狀態(tài)或繁忙邏輯。
信號量標(biāo)志如何工作
信號量邏輯由一組八個鎖存器提供。這些鎖存器可用于將標(biāo)志或令牌從一個端口傳遞到另一個端口,以指示 SRAM 塊正在使用中。內(nèi)部電路防止標(biāo)志同時在兩個方向上傳遞。信號量為稱為“令牌傳遞分配”的使用分配方法提供硬件輔助。在此方法中,信號鎖存器的狀態(tài)用作指示 SRAM 塊正在使用的令牌。如果 Lport 上的處理器想要使用 SRAM 塊,它會嘗試設(shè)置請求令牌的鎖存器。然后處理器檢查鎖存器以查看是否成功設(shè)置信號量。如果是,則處理器繼續(xù)讀取和/或?qū)懭朐搲K。如果處理器未能成功設(shè)置鎖存器,這意味著 R 端口首先設(shè)置了它,擁有令牌并且正在使用該塊。L端口繼續(xù)測試,直到成功,表明R端口已經(jīng)釋放了令牌,不再使用該塊。

信號量為硬件和軟件級別的各種問題提供了有用的解決方案。以下選擇重點(diǎn)介紹了信號量的一些優(yōu)點(diǎn),從提高性能到提供其他設(shè)計所不具備的功能。

版權(quán)與免責(zé)聲明
凡本網(wǎng)注明“出處:維庫電子市場網(wǎng)”的所有作品,版權(quán)均屬于維庫電子市場網(wǎng),轉(zhuǎn)載請必須注明維庫電子市場網(wǎng),http://www.hbjingang.com,違反者本網(wǎng)將追究相關(guān)法律責(zé)任。
本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其它出處的作品,目的在于傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)或證實(shí)其內(nèi)容的真實(shí)性,不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。其他媒體、網(wǎng)站或個人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時,必須保留本網(wǎng)注明的作品出處,并自負(fù)版權(quán)等法律責(zé)任。
如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問題,請在作品發(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系,否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。
- TTL、RS232、485 到底能傳輸多遠(yuǎn)距離2025/9/16 15:43:19
- 信號之時域如何轉(zhuǎn)換成頻域2025/9/2 17:19:53
- 探究 TVS 布局與靜電放電防護(hù)效果之間的內(nèi)在聯(lián)系2025/9/1 16:45:12
- 高扇出信號線優(yōu)化技巧(下)2025/8/28 16:10:19
- 高扇出信號線的優(yōu)化策略(上)2025/8/28 16:05:16
- 高速PCB信號完整性(SI)設(shè)計核心實(shí)操規(guī)范
- 鎖相環(huán)(PLL)中的環(huán)路濾波器:參數(shù)計算與穩(wěn)定性分析
- MOSFET反向恢復(fù)特性對系統(tǒng)的影響
- 電源IC在惡劣環(huán)境中的防護(hù)設(shè)計
- 連接器耐腐蝕性能測試方法
- PCB電磁兼容(EMC)設(shè)計與干擾抑制核心實(shí)操規(guī)范
- 用于相位噪聲測量的低通濾波器設(shè)計與本振凈化技術(shù)
- MOSFET在高頻開關(guān)中的EMI問題
- 電源IC在便攜式設(shè)備中的設(shè)計要點(diǎn)
- 連接器結(jié)構(gòu)設(shè)計常見問題分析









