高側(cè)負(fù)載開(kāi)關(guān)保護(hù)便攜式電子系統(tǒng)
出處:維庫(kù)電子市場(chǎng)網(wǎng) 發(fā)布于:2023-08-24 17:08:01
負(fù)載開(kāi)關(guān)基礎(chǔ)知識(shí)
在選擇負(fù)載開(kāi)關(guān)之前,我們先了解一下負(fù)載開(kāi)關(guān)功能和性能的一些基礎(chǔ)知識(shí)?;旧?,高側(cè)負(fù)載開(kāi)關(guān)將電源與負(fù)載連接或斷開(kāi),并且該開(kāi)關(guān)由外部使能信號(hào)(模擬或數(shù)字)控制。高側(cè)開(kāi)關(guān)向負(fù)載提供電流,而低側(cè)開(kāi)關(guān)將負(fù)載與地連接或斷開(kāi),從而從負(fù)載吸收電流。只要電源打開(kāi),負(fù)載開(kāi)關(guān)電路就會(huì)處于活動(dòng)狀態(tài),因此被設(shè)計(jì)為具有低泄漏電流。此外,它們還必須具有低導(dǎo)通電阻,以在監(jiān)測(cè)系統(tǒng)電流或電壓時(shí)限度地降低功耗。

因此,簡(jiǎn)單的負(fù)載開(kāi)關(guān)通常由 MOSFET 傳輸晶體管和柵極驅(qū)動(dòng)電路組成,其中柵極驅(qū)動(dòng)電路包含柵極驅(qū)動(dòng)晶體管和一些無(wú)源組件(圖 1)。這樣的電路可以使用分立元件構(gòu)建或以IC形式集成。N溝道MOSFET具有比P溝道器件更低的導(dǎo)通電阻值,但是為了獲得更低的電阻值,需要電荷泵電路來(lái)增加施加到MOSFET柵極的驅(qū)動(dòng)電壓。
大多數(shù)集成解決方案都包含更多功能,提供多種協(xié)同工作的功能來(lái)保護(hù)系統(tǒng)。典型的負(fù)載開(kāi)關(guān)可能包含提供反向電壓保護(hù)、反向電流保護(hù)、短路保護(hù)、輸出負(fù)載放電、過(guò)壓/過(guò)流保護(hù)、過(guò)溫保護(hù)的電路塊以及協(xié)調(diào)各個(gè)塊的一些控制邏輯(圖 2)。這些交換機(jī)不僅可以保護(hù)系統(tǒng),還可以通過(guò)提供簡(jiǎn)單高效的配電來(lái)幫助降低功耗。

簡(jiǎn)單的負(fù)載開(kāi)關(guān)通常由 MOSFET 傳輸晶體管組成,該晶體管由柵極驅(qū)動(dòng)器電路控制,該電路將輸入控制信號(hào)電平轉(zhuǎn)換為完全導(dǎo)通 MOSFET 的值,從而將器件的導(dǎo)通電阻降低到盡可能低的水平。(左側(cè)為n溝道MOSFET電路,右側(cè)為p溝道MOSFET電路)。
高側(cè)負(fù)載開(kāi)關(guān)保護(hù)便攜式電子系統(tǒng)
高度集成版本的負(fù)載開(kāi)關(guān)通常會(huì)提供多種保護(hù)功能——反向電壓或反向電流保護(hù)、過(guò)壓/過(guò)流保護(hù)、過(guò)溫保護(hù)以及集成 MOSFET 和柵極驅(qū)動(dòng)器電路。
負(fù)載開(kāi)關(guān)的幾個(gè)關(guān)鍵參數(shù)是連接電壓輸入和電壓輸出引腳之間的 MOSFET 的導(dǎo)通電阻、晶體管可以處理的電流以及電路可以處理的電壓。導(dǎo)通電阻越低,晶體管的功耗越低,輸入到輸出的壓降也越低。當(dāng)今的集成 MOSFET 通常具有數(shù)十毫歐的導(dǎo)通電阻值,因此,例如,如果負(fù)載開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通電阻為 50 毫歐并控制 200 mA 負(fù)載,則 MOSFET 在導(dǎo)通時(shí)僅耗散 2 mW,并且具有輸入- 輸出電壓降為 10 mV。即使 1 A 的峰值電流也只會(huì)導(dǎo)致 50 mV 的壓降和 50 mW 的峰值功耗。
負(fù)載開(kāi)關(guān)選項(xiàng)
負(fù)載開(kāi)關(guān)的許多可能的應(yīng)用使負(fù)載開(kāi)關(guān)制造商能夠提供多種負(fù)載開(kāi)關(guān)配置。基本負(fù)載開(kāi)關(guān)(例如 NXP 的 NX3P190)(圖 3)類似于圖 1 右側(cè)的電路 – 它具有由電平轉(zhuǎn)換和轉(zhuǎn)換速率控制電路控制的 P 溝道 MOSFET。

MOSFET 在 1.8V 電源電壓下可支持超過(guò) 500mA 的連續(xù)電流,導(dǎo)通電阻為 95mΩ。不過(guò),電壓輸入可處理 1.1 至 3.6V 的電壓。啟用輸入上的邏輯包括邏輯電平轉(zhuǎn)換,以便開(kāi)關(guān)可以由低壓微控制器和其他在降低電壓下運(yùn)行的電路控制。它針對(duì)電源域隔離應(yīng)用,由于接地泄漏電流僅為 2 微安,因此有助于降低功耗并延長(zhǎng)系統(tǒng)的電池壽命。該芯片的變體 NX3P191 集成了一個(gè)輸出放電電阻,可以在開(kāi)關(guān)關(guān)閉時(shí)對(duì)輸出電容進(jìn)行放電。這可以防止不需要的電壓到達(dá)負(fù)載。
NXP 的另一款電路 NX3P1107 在功能上非常相似,但該公司將 MOSFET 的導(dǎo)通電阻降低了 2/3,僅為 34 毫歐,從而使該芯片能夠處理高達(dá) 1.5 A 的連續(xù)電流。較高的額定電流使該芯片能夠應(yīng)對(duì)較重的負(fù)載應(yīng)用,例如電池充電、數(shù)碼相機(jī)、智能手機(jī)和許多其他應(yīng)用。對(duì)于不需要大電流但需要輸出放電能力的應(yīng)用,該芯片的另一個(gè)版本 NX3P2902B 可以處理 500 mA 的連續(xù)電流,并且具有 95 毫歐的典型導(dǎo)通電阻。
針對(duì)更復(fù)雜的系統(tǒng)應(yīng)用,例如 USB 移動(dòng) (OTG) 電源管理,NX5P1000(本例中為 N 通道器件)包括欠壓保護(hù)、過(guò)壓鎖定、過(guò)流、過(guò)溫、反向偏置和浪涌電流保護(hù)電路(圖 4)。這些電路設(shè)計(jì)用于在發(fā)生故障時(shí)自動(dòng)將 VBUS OTG 電壓源與 VBUS 接口引腳隔離。

該芯片可處理 1 A 的連續(xù)電流,在 4.0 V 電源電壓下,導(dǎo)通電阻值為 100 毫歐。電源輸入引腳可處理 3 至 5.5 V 的電平,但 VBUS 輸入可耐受高達(dá) 30 V 的電壓。在典型應(yīng)用中,USB OTG 電壓源和控制電路連接到芯片的電壓和控制輸入,芯片提供干凈的 USB 電源和數(shù)據(jù)輸出。NX5P2090 是該芯片功率稍高的版本,可以處理 2A 的連續(xù)電流。
根據(jù)您的應(yīng)用所需的負(fù)載電流以及所需的保護(hù)級(jí)別,您可以選擇多種設(shè)計(jì)選項(xiàng),以獲得適合您的應(yīng)用的方案。本文討論的設(shè)備代表了兩個(gè)極端——簡(jiǎn)單的集成選項(xiàng)和復(fù)雜的集成解決方案之一。當(dāng)然,恩智浦和其他供應(yīng)商提供了許多介于兩者之間的解決方案。
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