串行 NAND 閃存器件是作為串行 NOR 閃存器件的低成本、高密度替代品而推出的。與 NOR 閃存設(shè)備相比，串行 NAND 閃存設(shè)備通常具有更高的密度，利用其更小的芯片面積和更低的每比特成本。串行 NAND 閃存設(shè)備使用串行外設(shè)接口 (SPI)，信號(hào)傳輸與 SPI NOR 閃存相同。表 5 給出了信號(hào)的簡(jiǎn)要描述（考慮到四路 SPI 接口），原理圖形式如圖 5 所示。

    

    如今，NAND 閃存設(shè)備廣泛應(yīng)用于需要更高性能和吞吐量的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)應(yīng)用中。ONFI 工作組和 Toggle NAND 團(tuán)隊(duì)都在開(kāi)發(fā)接口來(lái)支持不斷增長(zhǎng)的需求。另一個(gè)值得考慮的標(biāo)準(zhǔn)是 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn) JESD230(x)。該標(biāo)準(zhǔn)定義了一個(gè)互操作性標(biāo)準(zhǔn)，用于設(shè)計(jì)可以支持傳統(tǒng) SDR 接口到 ONFI 或切換 NAND 接口的系統(tǒng)。