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在開關(guān)穩(wěn)壓器設(shè)計中選擇正負(fù)降壓拓?fù)?/h1>

出處:維庫電子市場網(wǎng) 發(fā)布于:2023-07-13 16:41:17

    用于正電壓的高效降壓開關(guān)穩(wěn)壓器非常常見。然而,盡管經(jīng)常需要負(fù)降壓開關(guān)穩(wěn)壓器(負(fù)電壓輸入、負(fù)電壓輸出、共地),但它們并不為人們所熟知。盡管它們的設(shè)置并不困難,但有關(guān)如何構(gòu)建它們的文獻(xiàn)卻相當(dāng)稀少。

    本文分析了負(fù)降壓拓?fù)涞募軜?gòu)和詳細(xì)操作。它還將從系統(tǒng)角度討論拓?fù)涞膶嶋H電路實現(xiàn),直至所需電路塊的構(gòu)建,并包括如何構(gòu)建電壓轉(zhuǎn)換器電路的示例,這是使用現(xiàn)成的升壓 IC 實現(xiàn)負(fù)降壓穩(wěn)壓器的關(guān)鍵塊。

    圖 1:所示為負(fù)降壓拓?fù)涞幕炯軜?gòu)。
    負(fù)降壓拓?fù)?br>    上面的圖 1 顯示了負(fù)降壓開關(guān)轉(zhuǎn)換器的基本架構(gòu)。與正降壓設(shè)計一樣,它在輸入和輸出之間有一個高端通器件、一個 LC 輸出濾波器和一個續(xù)流二極管。兩個的區(qū)別是控制 IC 和反饋電路所需的柵極驅(qū)動。
    在正降壓中,用作高端傳輸器件的典型負(fù)溝道 FET (NFET)需要比系統(tǒng)輸入電壓 (Vin) 更高(更正)的柵極驅(qū)動電壓才能導(dǎo)通。由于輸入電壓已經(jīng)是系統(tǒng)中正的電壓,因此需要特殊電路來產(chǎn)生更高的電壓。
    正降壓 IC 通常內(nèi)置此功能。在負(fù)降壓中,用作高端傳輸器件的 NFET 還需要比系統(tǒng)輸入 (-Vin) 更正的柵極驅(qū)動電壓。在這種情況下,由于該輸入電壓是系統(tǒng)中負(fù)的電壓,因此不需要特殊電路。
    所有其他電壓,包括輸出,都“更高”(更正),轉(zhuǎn)換器接地是系統(tǒng)中正的電壓。在這些情況下,可以使用低側(cè) FET脈寬調(diào)制器 控制 IC(例如升壓/反激式調(diào)節(jié)器或控制器)來實現(xiàn)轉(zhuǎn)換器。

    多種 IC 可用于實現(xiàn)負(fù)降壓轉(zhuǎn)換器,包括控制器和具有低側(cè) NFET 的集成單片穩(wěn)壓器。單片 IC 簡單、易于實施且組件數(shù)量更少。當(dāng)需要更大的輸出電流以及需要優(yōu)化效率和散熱時,控制器提供更大的靈活性。

    圖 2:該負(fù)降壓拓?fù)涫褂脝纹?LM5001 升壓/反激式穩(wěn)壓器。

    上面的圖 2顯示了采用負(fù)降壓拓?fù)淝覂?nèi)置 75V、1A NFET 的 3.1-75V 輸入電壓范圍升壓/反激式穩(wěn)壓器的簡化圖。
    在常規(guī)升壓應(yīng)用中,它會向其內(nèi)置導(dǎo)通 N 溝道 MOSFET 提供比地電位高幾伏的柵極驅(qū)動電壓,以便將其打開。在負(fù)降壓應(yīng)用中,柵極驅(qū)動器仍會輸出比 IC 接地引腳高幾伏的柵極電壓,在這種情況下,該電壓與系統(tǒng)的輸入電壓 (-Vin) 相關(guān),并將產(chǎn)生所需的結(jié)果。
    與常規(guī)升壓不同,但與常規(guī)降壓相同,圖 2中的峰值 IC 開關(guān)電流與峰值電感器/輸出電流相同,因此允許 1A 升壓 IC 用于高達(dá) 1A 的輸出電流。其他具有不同額定值的穩(wěn)壓器將用于更高或更低的開關(guān)電流。如果控制器,則它將用于與圖中類似的配置。
    電壓轉(zhuǎn)換器
    使用現(xiàn)成升壓 IC 的負(fù)降壓架構(gòu)中的另一個特殊考慮因素是反饋路徑所需的信號調(diào)節(jié)。大多數(shù) IC 的反饋 (FB) 引腳需要 1.25V 左右的電壓(相對于接地)以維持調(diào)節(jié)。該電壓通常從輸出 (Vout) 獲得,并通過分壓電阻網(wǎng)絡(luò)簡單地按比例縮小。
    這種技術(shù)可以輕松地允許施加的電壓隨輸出下降而上升和下降,這是維持適當(dāng)調(diào)節(jié)所必需的。當(dāng)在正降壓中采用這種方法時,F(xiàn)B電壓和輸出電壓自然參考系統(tǒng)接地和 IC 接地引腳,因此不需要調(diào)節(jié)或轉(zhuǎn)換。
    在使用低側(cè) FET 升壓 IC 實現(xiàn)的負(fù)降壓應(yīng)用中,輸出 (-Vout) 及其任何分壓樣本仍然以系統(tǒng)接地為參考。然而,由于 IC 接地引腳連接到 -Vin 而不是系統(tǒng)接地,因此 IC 將無法正確讀取 FB 電壓(也不會正確保持調(diào)節(jié)),因此需要轉(zhuǎn)換該電壓,使其以 IC 接地引腳為參考。

    這種電壓轉(zhuǎn)換由圖 1 和圖 2 中標(biāo)有“電平轉(zhuǎn)換”的小方框表示。有多種方法可以在硬件中實現(xiàn)這一點。

    圖 3:可以使用由兩個 pnp 晶體管構(gòu)建的電流鏡在硬件中實現(xiàn)電壓轉(zhuǎn)換。
    上面的圖 3 顯示了一種簡單、常見且可能更便宜的方法。它使用由幾個廉價的 pnp 晶體管構(gòu)建的電流鏡。為了獲得性能和更嚴(yán)格的調(diào)節(jié)精度,建議使用配對。

    匹配的配對可以在單個包裝中找到;DMMT3906就是一個很好的例子。在圖 3 中,Rf1 和 Rf2 縮小了鏡像電壓,因此用于設(shè)置穩(wěn)壓器的輸出電壓(就像任何可調(diào)穩(wěn)壓器的情況一樣)。換句話說,反饋增益為|Vref /Vout| 和|Vout| 是 Vref x Rf1 / Rf2,其中 Vref 是 IC 反饋引腳(參考)電壓。電流鏡電路的一種變體如下圖 4 所示。

    圖 4:電流鏡電路的這種變體使用單個 pnp 晶體管和分立二極管電流鏡。
    在此電路中,使用單個 pnp 晶體管。D1 通過消除 Q1 的 pnp 發(fā)射極-基極電壓溫度漂移的影響來提供輸出電壓溫度補(bǔ)償。D2 和 D3 為 D1 所需的偏置電流提供一些預(yù)調(diào)節(jié),從而將線路調(diào)節(jié)和紋波抑制提高兩倍。
    通過用LM385-1.2或LM4040-2.5等電壓基準(zhǔn)替換兩個串聯(lián)二極管,可以進(jìn)一步提高性能。
    為了簡化電路,或者如果輸入電壓相對恒定且紋波很小,可以取消D2和D3并組合偏置電阻。此外,消除 D1 將提供輸出電壓的負(fù)溫度系數(shù)。
    運(yùn)算放大器選項

    與使用分立元件進(jìn)行設(shè)計相比,更喜歡運(yùn)算放大器的優(yōu)點和簡單性的設(shè)計人員可以使用運(yùn)算放大器實現(xiàn)電壓轉(zhuǎn)換電路。

  喜歡使用分立元件過度設(shè)計運(yùn)算放大器的優(yōu)勢和簡單性的設(shè)計人員可以使用運(yùn)算放大器來實現(xiàn)電壓轉(zhuǎn)換電路。
    通過以與感測和放大差分電壓時使用的配置非常相似的配置連接運(yùn)算放大器,可以將其用于負(fù)降壓配置中,以共同按比例縮小輸出電壓。這使得它適合 FB 引腳(從而設(shè)置穩(wěn)壓器的輸出電壓),同時將該電壓的參考從系統(tǒng)接地轉(zhuǎn)移到 -Vin 軌。
    使用的具體運(yùn)算放大器取決于應(yīng)用要求,但通用運(yùn)算放大器通常就足夠了。低失調(diào)電壓對于穩(wěn)壓器的電壓精度非常重要,并且運(yùn)算放大器需要具有大于應(yīng)用的 Vout 幅度的共模電壓范圍。
    結(jié)論
    多種升壓/反激式穩(wěn)壓器可用于實現(xiàn)負(fù)降壓轉(zhuǎn)換器。由于具有寬輸入電壓范圍的穩(wěn)壓器和控制器在廣泛的應(yīng)用中具有靈活性,因此它們被用作示例。
    盡管升壓 IC 是實現(xiàn)負(fù)降壓轉(zhuǎn)換器的容易獲得的現(xiàn)成解決方案,但重要的是要重申,我們實際上不是升壓負(fù)電壓,而是降壓它,因此選擇外部的所有設(shè)計參數(shù)和標(biāo)準(zhǔn)組件(電感器、MOSFET、補(bǔ)償?shù)龋┬枰糜诮祲涸O(shè)計,而不是升壓設(shè)計。
    開關(guān)電流是轉(zhuǎn)換器的輸出電流,就像降壓轉(zhuǎn)換器一樣。電感器值也應(yīng)該使用紋波電流來選擇,就像降壓轉(zhuǎn)換器一樣。與常規(guī)正降壓轉(zhuǎn)換器一樣,該拓?fù)湟矝]有右半平面零。
    如果使用電壓轉(zhuǎn)換電路,如圖 3 或圖 4 中的電路,很明顯補(bǔ)償可以變得非常靈活,因為添加極點或零就像添加與 Rf1(零)或 Rf2(極)。
關(guān)鍵詞:開關(guān)穩(wěn)壓器

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