在此電路布置中，增強型 N 溝道 MOSFET 用于將簡單的燈“打開”和“關(guān)閉”（也可以是 LED）。

    柵極輸入電壓V GS被帶到適當(dāng)?shù)恼妷弘娖揭源蜷_設(shè)備，因此燈負載“打開”，（V GS  = + ve）或處于零電壓電平，將設(shè)備“關(guān)閉”，（VGS =  0V）。
    如果要用線圈、螺線管或繼電器等電感負載代替燈的電阻負載，則需要與負載并聯(lián)一個“續(xù)流二極管”，以保護 MOSFET 免受任何自生反電動勢的影響。
    上面顯示了一個非常簡單的電路，用于切換電阻負載，例如燈或 LED。但是，當(dāng)使用功率 MOSFET 來切換電感或電容負載時，需要某種形式的保護來防止 MOSFET 器件損壞。驅(qū)動電感負載與驅(qū)動電容負載具有相反的效果。

    例如，沒有電荷的電容器是短路，會導(dǎo)致高“浪涌”電流，當(dāng)我們從感性負載上移除電壓時，隨著磁場崩潰，我們會產(chǎn)生很大的反向電壓，從而導(dǎo)致在電感器的繞組中感應(yīng)反電動勢。

    請注意，與 N 溝道 MOSFET 的柵極端子必須比源極更正（吸引電子）以允許電流流過溝道不同，通過 P 溝道 MOSFET 的傳導(dǎo)是由于空穴的流動。也就是說，P 溝道 MOSFET 的柵極端子必須比源極更負，并且只會停止導(dǎo)通（截止），直到柵極比源極更正。

    因此，對于作為模擬開關(guān)器件運行的增強型功率 MOSFET，它需要在其“截止區(qū)域”（其中V GS  = 0V（或V GS  = -ve））和其“飽和區(qū)域”（其中：VGS (on)  = +ve。 MOSFET 中消耗的功率 ( P D ) 取決于飽和時流過通道的電流I D以及以R DS(on)給出的通道的“導(dǎo)通電阻” 。例如。