使用 n 和 p 溝道 MOSFET，您可以輕松實現(xiàn)單刀雙擲 (SPDT) 開關來隔離電路的一部分，并在電路其余部分關閉時從輔助電源為其供電以進行待機操作（圖 1）。通過使用互補對，您可以為 MOSFET 使用單個控制輸入。此拓撲中的 Si4501DY MOSFET 在 5A 時主要元件的壓降小于 0.1V，并且在 SO-8 封裝中包含兩個 MOSFET。
    圖 1 n 和 p 溝道 MOSFET 對包括先開后合、單刀雙擲開關 (a)。該開關隔離電路的一部分，并在電路其余部分關閉時的待機操作期間從二次電源為其供電 (b)。

    當 2N7002 或類似的控制 MOSFET 將柵極連接在一起并將它們拉到地時，p 溝道 MOSFET 導通。通過關閉 2N7002 將柵極拉至高于電源軌會導致打開 n 溝道 MOSFET。將 p 溝道 MOSFET 的柵極拉至高于源極電位沒有任何影響；MOSFET 保持關斷狀態(tài)，漏電很低。
    由此產生的開關是先斷后合配置，這是確保次級電源或始終開啟的電源永遠不必為整個電路供電所必需的。然而，由于 MOSFET 的快速開關，可能不需要超出正常設計規(guī)則的額外電容來維持工作電壓。
    電路中n溝道器件的布置確保了在子電路被隔離時內部二極管不導通。在這個方向上，n 溝道 MOSFET 還通過二極管為電路供電提供故障安全路徑。p 溝道 MOSFET 二極管的正向電壓阻止任何電流“反向饋送”次級電源，假設兩個電源的電壓接近。
    該電路的一個應用示例是臺式計算機中的配置和電源接口，可在待機狀態(tài)下提供即時啟動和低功耗。主電源為大功率開關電源，副電源為60Hz線性穩(wěn)壓變壓器。