瞬態(tài)響應(yīng)超低 EMI 輻射的單片式 65 V、8 A 降壓型穩(wěn)壓器
出處:物聯(lián)網(wǎng)評(píng)論 發(fā)布于:2022-12-08 16:41:52
寬輸入范圍和高輸出電流單片式解決方案
當(dāng)設(shè)計(jì)用于48 V總線系統(tǒng)的降壓型轉(zhuǎn)換器時(shí),電源設(shè)計(jì)師傾向于選擇控制器解決方案(外部MOSFET),而非尺寸小得多的單片式穩(wěn)壓器(內(nèi)部MOSFET),這是因?yàn)椋軌蛱幚砣绱烁咻斎腚妷旱膯纹椒€(wěn)壓器寥寥無(wú)幾,其中大多數(shù)的輸出電流被限制在5 A以下。LT8645S/LT8646S單片式穩(wěn)壓器破除了這一陳規(guī)。
LT8645S/LT8646S的65 V輸入、高電流單片式Silent Switcher 2降壓型穩(wěn)壓器接受3.4 V至65 V的寬輸入電壓范圍,并支持高達(dá)8 A的輸出電流。圖1示出了一款采用LT8645S的完整12 V輸出(在8 A)解決方案。LT8645S運(yùn)用內(nèi)部補(bǔ)償,因而可減少外部組件數(shù)目并簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)。旁路電容器的集成進(jìn)一步縮減了總體解決方案尺寸。如圖2所示,該解決方案的效率達(dá)到97%。


快速瞬態(tài)響應(yīng)和超低EMI
針對(duì)特定的應(yīng)用,只需采用兩個(gè)外部組件(VC引腳上的一個(gè)電阻器和一個(gè)電容器)以優(yōu)化LT8646S的瞬態(tài)響應(yīng)。圖3示出了5 V/8 A輸出LT8646S解決方案,圖4則顯示了采用優(yōu)化補(bǔ)償所實(shí)現(xiàn)的負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)。


在該解決方案中,開(kāi)關(guān)頻率被設(shè)定在2 MHz,因而允許使用一個(gè)小的1 μH電感器。另外,LT8645S/LT8646S還可在過(guò)載或短路情況下安全地承受電感器飽和,這得益于高速峰值電流模式架構(gòu)。因此,不必為了應(yīng)對(duì)過(guò)流瞬變而使用過(guò)大的電感器,除非必需防止出現(xiàn)持續(xù)時(shí)間很長(zhǎng)的過(guò)載或短路。
LT8645S/LT8646S均采用一種Silent Switcher 2架構(gòu),此架構(gòu)結(jié)合了分離的熱環(huán)路和集成化旁路電容器。因此,EMI性能對(duì)電路板布局是不敏感的,從而在那些要求超低EMI的設(shè)計(jì)中解除了工程師的這一設(shè)計(jì)擔(dān)憂。圖5給出了采用圖3所示解決方案時(shí)的CISPR 25輻射EMI測(cè)試結(jié)果。利用鐵氧體磁珠和電容濾波器,電路能夠滿足嚴(yán)格的CISPR 25 Class 5限制。

小的短導(dǎo)通時(shí)間和高降壓比
LT8645S和LT8646S具有僅40 ns的短導(dǎo)通時(shí)間,因而使其能支持高降壓比,甚至在2 MHz的高開(kāi)關(guān)頻率條件下也不例外。例如,在2 MHz頻率下將48 V轉(zhuǎn)換至5 V需要52 ns的導(dǎo)通時(shí)間,這是采用大多數(shù)轉(zhuǎn)換器都做不到的。該降壓比通常將要求工程師選擇一款兩級(jí)轉(zhuǎn)換器(具有一個(gè)中間電壓),但是,LT8645S和LT8646S單片式穩(wěn)壓器則皆能單獨(dú)完成此轉(zhuǎn)換,從而降低了電源尺寸和復(fù)雜性。
圖6示出了一款用于達(dá)30 V之輸入的1.8 V/8 A輸出解決方案,其采用了工作在1 MHz開(kāi)關(guān)頻率的LT8645S。如果跳過(guò)某些開(kāi)關(guān)周期是可以接受的,那么輸入可升高至65 V的額定值。當(dāng)輸出低于3.1 V時(shí),LT8645S的BIAS引腳可連接至一個(gè)高于3.1 V(即3.3 V或5 V)的外部電源,以改善效率。

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