二極管單向?qū)ǖ脑?/h1>
出處:互聯(lián)網(wǎng) 發(fā)布于:2020-06-15 14:46:24
是電子電路中很常用的元器件,非常常見,二極管具有正向?qū)?,反向截止的特性?/p>
在二極管的正向端(正極)加正電壓,負(fù)向端(負(fù)極)加負(fù)電壓,二極管導(dǎo)通,有電流流過二極管。在二極管的正向端(正極)加負(fù)電壓,負(fù)向端(負(fù)極)加正電壓,二極管截止,沒有電流流過二極管。這就是所說的二極管的單向?qū)ㄌ匦?。下面解釋為什么二極管會單向?qū)ā?/p>
二極管的單向?qū)щ娦?/p>
二極管是由 PN 結(jié)組成的,即 P 型半導(dǎo)體和 N 型半導(dǎo)體,因此 PN 結(jié)的特性導(dǎo)致了二極管的單向?qū)щ娞匦?。PN 結(jié)如圖 1 所示。

圖 1 PN 結(jié)示意圖
在 P 型和 N 型半導(dǎo)體的交界面附近,由于 N 區(qū)的自由電子濃度大,于是帶負(fù)電荷的自由電子會由 N 區(qū)向電子濃度低的 P 區(qū)擴(kuò)散;擴(kuò)散的結(jié)果使 PN 結(jié)中靠 P 區(qū)一側(cè)帶負(fù)電,靠 N 區(qū)一側(cè)帶正電,形成由 N 區(qū)指向 P 區(qū)的電場,即 PN 結(jié)內(nèi)電場。內(nèi)電場將阻礙多數(shù)載流子的繼續(xù)擴(kuò)散,又稱為阻擋層。
PN 結(jié)詳解
二極管的單向?qū)щ娞匦杂猛竞軓V,到底是什么原因讓電子如此聽話呢?它的微觀機(jī)理是什么呢?這里簡單形象介紹一下。
假設(shè)有一塊 P 型半導(dǎo)體(用黃色代表空穴多)和一塊 N 型半導(dǎo)體(用綠色代表電子多),它們自然狀態(tài)下分別都是電中性的,即不帶電。如圖 2 所示。

圖 2 P 型和 N 型半導(dǎo)體
把它們結(jié)合在一起,就形成 PN 結(jié)。邊界處 N 型半導(dǎo)體的電子自然就會跑去 P 型區(qū)填補(bǔ)空穴,留下失去電子而顯正電的原子。相應(yīng) P 型區(qū)邊界的原子由于得到電子而顯負(fù)電,于是就在邊界形成一個(gè)空間電荷區(qū)。為什么叫“空間電荷區(qū)”?是因?yàn)檫@些電荷是微觀空間內(nèi)無法移動的原子構(gòu)成的。
空間電荷區(qū)形成一個(gè)內(nèi)建電場,電場方向由 N 到 P,這個(gè)電場阻止了后面的電子繼續(xù)過來填補(bǔ)空穴,因?yàn)檫@時(shí) P 型區(qū)的負(fù)空間電荷是排斥電子的。電子和空穴的結(jié)合會越來越慢,達(dá)到平衡,相當(dāng)于載流子耗盡了,所以空間電荷區(qū)也叫耗盡層。這時(shí) PN 結(jié)整體還呈電中性,因?yàn)榭臻g電荷有正有負(fù)互相抵消。如圖 3 所示。

圖 3 PN 結(jié)形成內(nèi)建電場
外加正向電壓,電場方向由正到負(fù),與內(nèi)建電場相反,削弱了內(nèi)建電場,所以二極管容易導(dǎo)通。綠色箭頭表示電子流動方向,與電流定義的方向相反。如圖 4 所示。

圖 4 正向?qū)顟B(tài)
外加反向電壓,電場方向與內(nèi)建電場相同,增強(qiáng)了內(nèi)建電場,所以二極管不容易導(dǎo)通。如圖 5 所示。當(dāng)然,不導(dǎo)通也不是的,一般會有很小的漏電流。隨著反向電壓如果繼續(xù)增大,可能造成二極管擊穿而急劇漏電。

圖 5 反向不導(dǎo)通狀態(tài)
圖 6 是二極管的電流電壓曲線供參考。

圖 6 二極管電流電壓曲線
圖 7 形象的展示了不同方向二極管為什么能導(dǎo)通和不能導(dǎo)通,方便理解。

圖 7 不同方向?qū)ㄐЧ煌?/p>
生活中單向?qū)ǖ睦右膊簧伲热绲罔F進(jìn)站口的單向閘機(jī),也相當(dāng)于二極管的效果:正向?qū)ǎ聪虿粚?dǎo)通,如果硬要反向通過,可能就會因?yàn)樘罅Α胺聪驌舸逼茐拈l機(jī)了。
版權(quán)與免責(zé)聲明
凡本網(wǎng)注明“出處:維庫電子市場網(wǎng)”的所有作品,版權(quán)均屬于維庫電子市場網(wǎng),轉(zhuǎn)載請必須注明維庫電子市場網(wǎng),http://www.hbjingang.com,違反者本網(wǎng)將追究相關(guān)法律責(zé)任。
本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其它出處的作品,目的在于傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)或證實(shí)其內(nèi)容的真實(shí)性,不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。其他媒體、網(wǎng)站或個(gè)人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時(shí),必須保留本網(wǎng)注明的作品出處,并自負(fù)版權(quán)等法律責(zé)任。
如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問題,請?jiān)谧髌钒l(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系,否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。
- 電表互感器匝數(shù)倍率怎么看?2025/9/5 17:05:11
- 顏色傳感器原理及實(shí)際應(yīng)用案例2025/9/5 16:09:23
- 調(diào)諧器和調(diào)制器的區(qū)別2025/9/4 17:25:45
- 有載變壓器和無載變壓器的區(qū)別有哪些2025/9/4 17:13:35
- 什么是晶體諧振器?晶體諧振器的作用2025/9/4 16:57:42
- 高速PCB信號完整性(SI)設(shè)計(jì)核心實(shí)操規(guī)范
- 鎖相環(huán)(PLL)中的環(huán)路濾波器:參數(shù)計(jì)算與穩(wěn)定性分析
- MOSFET反向恢復(fù)特性對系統(tǒng)的影響
- 電源IC在惡劣環(huán)境中的防護(hù)設(shè)計(jì)
- 連接器耐腐蝕性能測試方法
- PCB電磁兼容(EMC)設(shè)計(jì)與干擾抑制核心實(shí)操規(guī)范
- 用于相位噪聲測量的低通濾波器設(shè)計(jì)與本振凈化技術(shù)
- MOSFET在高頻開關(guān)中的EMI問題
- 電源IC在便攜式設(shè)備中的設(shè)計(jì)要點(diǎn)
- 連接器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)常見問題分析









