閂鎖效應(yīng) (Latch Up) 是在器件的電源引腳和地之間產(chǎn)生低阻抗路徑的條件。這種情況將由觸發(fā)事件（電流注入或過電壓）引起，但一旦觸發(fā)，即使觸發(fā)條件不再存在，低阻抗路徑仍然存在。這種低阻抗路徑可能會由于過大的電流水平而導(dǎo)致系統(tǒng)紊流或災(zāi)難性損壞。在設(shè)計電路應(yīng)用時，需要確保應(yīng)用于器件的電壓和電流水平符合額定值要求。
　　在電路設(shè)計時, 可以考慮以下建議來防止閂鎖問題。
　　1. 如果由于上電排序而發(fā)生閂鎖，可以利用二極管與VDD串聯(lián)。
　　如果任何時候器件的數(shù)字輸入或輸出都超過VDD，可以在VDD串聯(lián)二極管（如下圖使用1N914）來阻止SCR觸發(fā)和隨后的閂鎖產(chǎn)生。這是因為二極管能夠防止寄生橫向PNP晶體管的基極電流從VDD引腳流出，從而防止SCR觸發(fā)。

   2 將肖特基二極管添加到DGND（數(shù)字地）可防止電壓不足
　　如果器件的數(shù)字輸入和輸出隨時低于DGND，那么從這些輸入或輸出連接到DGND的肖特基二極管將有效地將負(fù)偏移鉗位在-0.3V至-0.4V之間。 這可以防止寄生NPN晶體管的發(fā)射極與基極結(jié)導(dǎo)通，并且還可以防止SCR觸發(fā)。

   3在DGND和AGND (模擬地) 之間連接肖特基二極管
　　如果DGND電位偶爾會超過AGND 0.3V或更多，則可以在器件兩個引腳之間a放置肖特基二極管來阻止相關(guān)寄生NPN晶體管的導(dǎo)通。 這提供了額外的防止閂鎖的保護(hù)。 此外，前面提到的反向并聯(lián)連接的額外二極管可以在另一個方向上將DGND限制到AGND，這樣就大大減少了數(shù)字噪聲被注入器件的可能性。