德州儀器100V柵極驅(qū)動器實現(xiàn)通信和數(shù)據(jù)通信模塊更高穩(wěn)定
出處:電子發(fā)燒友 發(fā)布于:2019-05-24 14:14:23
2、UCC27282 120V半橋驅(qū)動器的新特性
UCC27282 120V半橋驅(qū)動器具有多項新特性和參數(shù)改進,有助于實現(xiàn)更高水平的電源模塊性能和穩(wěn)健性。EN引腳上的低電平信號可禁用驅(qū)動器,將UCC27282設(shè)置為非常低的IDD電流狀態(tài)。當禁用電源模塊時,這種非常低的電流將有助于實現(xiàn)非常低的輸入待機功耗。UCC27282 VDD工作范圍已擴展至5.5V至16V。這可以使設(shè)計人員優(yōu)化VDD工作電壓,以實現(xiàn)更低的柵極驅(qū)動損耗。UCC27282包括輸入互鎖功能,防止在LI和HI輸入同時為高電平時,兩個柵極驅(qū)動器輸出也同時處于高電平狀態(tài)。
3、UCC27282擴展的VDD工作范圍
3.1柵極驅(qū)動損耗和傳導損耗
大多數(shù)48V VIN電信和數(shù)據(jù)通信電源模塊設(shè)計的柵極驅(qū)動器VDD電壓在9V至10V范圍內(nèi),使用100V半橋驅(qū)動器驅(qū)動100V VDS額定功率MOSFET。隨著VGS驅(qū)動電壓的降低,柵極驅(qū)動損耗降低,許多MOSFET器件的RDS(on)與VGS曲線顯示出8V至10V VGS以上的RDS(on)幾乎沒有降低。選擇驅(qū)動器VDD的一項考慮因素是開啟UVLO閾值,以及包括偏置電壓上的負電壓瞬變的一些裕度。對于上一代驅(qū)動器,這可能導致選擇驅(qū)動器VDD高于柵極驅(qū)動和傳導損耗工作點。
CSD19531 100V 5.3mΩ MOSFET Qg 與VGS曲線如圖1所示,RDS(on)與VGS曲線如圖2所示。雖然該MOSFET的RDS(on)規(guī)格為VDS = 6V,但可以看到RDS(on)曲線在6V時仍然具有明顯的下降。在VGS = 8V時,曲線變得更平坦。圖1顯示了隨VGS增加的柵極電荷,正如預(yù)期,其斜率變化接近閾值電壓。
柵極驅(qū)動損耗取決于VDD、開關(guān)頻率(FSW)和MOSFET Qg,如下面的等式1所示。
具體的柵極驅(qū)動幅度取決于電源傳動系統(tǒng)的工作條件,包括開關(guān)頻率和MOSFET RMS電流。此外,關(guān)于Qg與VGS曲線以及RDS(on)與VGS曲線的功率MOSFET的特性非常重要。有關(guān)優(yōu)化損耗的指導,請參考TI應(yīng)用指南“通過調(diào)整柵極驅(qū)動幅度優(yōu)化MOSFET特性”。
為了說明總功率系、柵極驅(qū)動損耗和組合損耗,圖3中所示的同步降壓轉(zhuǎn)換器在以下條件下進行了測試:VIN=48V,F(xiàn)sw=200kHz, IOUT=4A(DC), LI/HI死區(qū)時間=50ns。
輸出功率為96W的同步降壓測試電路數(shù)據(jù)如下圖4所示。可以看到柵極驅(qū)動器功耗隨著VDD的增加而增加。功率轉(zhuǎn)換器損耗在6V和7V VDD時更高,并且在8V VDD和更高電壓下相對穩(wěn)定。結(jié)合的柵極驅(qū)動和功率轉(zhuǎn)換器損耗在8V VDD時。該MOSFET不是邏輯電平FET,邏輯電平MOSFET的柵極驅(qū)動電壓可能會更低。
3.2VDD范圍內(nèi)的柵極驅(qū)動強度
之前的測試數(shù)據(jù)討論涵蓋了柵極驅(qū)動損耗和導通損耗與驅(qū)動器VDD工作點之間的權(quán)衡。柵極驅(qū)動器在VDD工作范圍內(nèi)的另一個重要方面是保持足夠的驅(qū)動強度,尤其是在較低的VDD時。在12V VDD,UCC27282柵極驅(qū)動器具有2.5A拉電流和3.5A灌電流的足夠驅(qū)動強度,這是大多數(shù)100V半橋柵極驅(qū)動器規(guī)定的工作電壓。雖然柵極驅(qū)動強度受UCC27282上VDD電壓水平的影響,但類似的競爭產(chǎn)品的柵極驅(qū)動強度在較低的VDD水平時明顯更低,如圖5和圖6所示。
在較低VDD下降低的驅(qū)動強度導致VGS上升和下降時間增加,這將增加開關(guān)損耗。使用與圖3所示相同的測試電路和相同的工作條件,將競爭產(chǎn)品的柵極驅(qū)動器測試數(shù)據(jù)與在相同條件下工作的UCC27282進行比較。圖7比較了UCC27282和競爭產(chǎn)品器件之間包括柵極驅(qū)動器和功率轉(zhuǎn)換器在內(nèi)的所有損耗的效率。與競爭產(chǎn)品器件相比,可以看到在6V至10V的VDD范圍內(nèi),UCC27282柵極驅(qū)動器轉(zhuǎn)換器效率明顯改善。
4、UCC27282使能功能
當EN引腳低于1.21V的典型下降閾值時,UCC27282的使能功能將IC設(shè)置為非常低的IDD電流狀態(tài)并禁用驅(qū)動器的LO和HO輸出。當處于禁用狀態(tài)時,UCC27282的ISD在VDD = 12V時典型值為7uA。當處于非開關(guān)狀態(tài)時,這比典型的上一代驅(qū)動器低得多,如下面的圖8所示。圖8比較了處于使能狀態(tài)非開關(guān)條件和禁用條件的UCC27282 IDD與處于非開關(guān)條件的UCC27201A驅(qū)動器。UCC27201A的非開關(guān)電流是許多早期100V半橋驅(qū)動器的典型值。UCC27201A UVLO通常為7.1V,因此IC不會在此UVLO上升閾值以下工作。該UVLO上升閾值也是許多早期100V驅(qū)動器的典型值??梢钥吹経CC27282禁用電流ISD遠低于UCC27201A的IQ。在VDD = 8V時,UCC27201A IQ為297uA,UCC27282 ISD為4.1uA,待機功耗為~2.4mW,而UCC27282為~33uW。在VDD = 10V時,UCC27201A IQ為389uA,而UCC27282 ISD為5.54uA,待機功耗為3.89mW和55.4uW。有關(guān)待機功耗和電流比較的詳細信息,參見表1。
如果終應(yīng)用需要多個驅(qū)動器,則待機功耗的差異與所需驅(qū)動器的數(shù)量有關(guān)。再加上精心設(shè)計的監(jiān)控和偏置電路以及選擇控制器IC,UCC27282可以幫助實現(xiàn)極低的待機功耗。
表1.UCC27282 ISD 和 PSD與UCC27201 IQ 和 PQ
UCC27282驅(qū)動器包含輸入互鎖功能,可防止LO和HO輸出同時處于高電平狀態(tài)。包括同步降壓、半橋、全橋和全橋同步整流在內(nèi)的許多拓撲結(jié)構(gòu)都不能容忍高側(cè)和低側(cè)MOSFET同時導通,否則可能會發(fā)生交叉導通,可能導致?lián)p壞。有許多事件可能導致電壓尖峰或振鈴超出正常觀測的特性,包括短路或靜電釋放或EFT(電快速瞬變)事件的瞬態(tài)等故障情況。這些異常情況可能導致對柵極驅(qū)動器輸入信號等關(guān)鍵控制信號的干擾。UCC27282在LO和HO輸出上升沿和下降沿之間沒有強制死區(qū)時間,因此控制器仍然可以確定時序,以實現(xiàn)的死區(qū)時間控制。下面的圖9說明了LO和HO輸出都處于低電平狀態(tài),對應(yīng)于LI和HI輸入上的20ns重疊。
6總結(jié)
UCC27282柵極驅(qū)動器具有多種功能,有助于在通信和數(shù)據(jù)通信模塊中實現(xiàn)更高水平的性能和穩(wěn)健性。
利用UCC27282,VGS柵極驅(qū)動電壓工作范圍可以擴展到更低的水平以實現(xiàn)工作參數(shù),實現(xiàn)效率。不同于上一代驅(qū)動器,如果工作點為8V或9V VDD范圍,UCC27282驅(qū)動器將具有更大的偏置電壓瞬變或壓降裕度,而不會觸發(fā)UVLO關(guān)斷。
與競爭產(chǎn)品器件相比,UCC27282在較低的VDD范圍內(nèi)工作時可以保持足夠的柵極驅(qū)動強度。這可以獲得功率轉(zhuǎn)換器效率的顯著提升。
使能功能可將電源轉(zhuǎn)換器中每個驅(qū)動器的待機電流降低300uA至450uA。這有助于實現(xiàn)非常低的待機功耗,這可成為終端設(shè)備的特征優(yōu)勢。
由于輸入互鎖功能,使用UCC27282柵極驅(qū)動器的功率轉(zhuǎn)換器的穩(wěn)健性將得到改善。對于柵極驅(qū)動器因輸入信號電壓尖峰或噪聲的誤觸發(fā),功率MOSFET功率級將不會有明顯的交叉?zhèn)鲗А?
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