MOS管的基本參數(shù)，大家熟悉的必然是Ids電流，Ron導通電阻，Vgs的閾值電壓，Cgs、Cgd、Cds這幾項，然而在高速應用中，開關速度這個指標比較重要。

　　上圖四項指標，項是導通延時時間，第二項是上升時間，第三項是關閉延時時間，第四項是下降時間。定義如下圖：

　　在高速H橋應用中，MOS管內(nèi)部的反向并聯(lián)寄生二極管的響應速度指標Trr，也就是二極管的反向恢復時間這個指標很重要，否則容易炸機，下圖為高速二極管。

　　高速下，二極管也不是理想的，二極管導通后，PN節(jié)中充滿了電子和空穴，當瞬間反向加電的時候，需要時間恢復截止，這個類似一扇門打開了，需要時間關上，但在高速下，這個關上的時間太長，就會導致H橋上下管子導通而燒壞。所以在高速應用中，直接因為MOS管工藝寄生的二極管的反向恢復時間太長，所以需要用特殊的工藝制作實現(xiàn)高速的內(nèi)置二極管，但哪怕特殊工藝制作的，其性能也達不到獨立的高速二極管性能，只是比原MOS管寄生的指標強一些而已，但已經(jīng)滿足大部分軟開關的需求了，500KHz下沒問題。比如Infineon的C6系列，后綴帶CFD的管子，內(nèi)部的二極管就是高速的。
　　若有些場合需要更高速的二極管，而內(nèi)置的二極管性能達不到，則需要特殊的處理方式，MOS管先串聯(lián)二極管，再外部并二極管，這樣子實現(xiàn)，可以應用于頻率超過500KHz的場合。