一，三電平電路示意圖
　　如圖1，2所示的兩種三電平電路圖，為了區(qū)分這兩種電路，根據(jù)四個開關管在線路圖中的的排列方式，我們將前者成為1字型，后者稱為T字型。
　　三電平電路與普通的半橋電路相比，因為具有了中點續(xù)流的能力，所以對改善輸出紋波，降低損耗都有很好的效果。
　

　　圖1. 三電平“1“字形電路示意圖
　　

　　圖2. 三電平“T“字形電路示意圖
　　二，兩種電路的波形分析
　　為了對兩種電路的損耗和規(guī)格進行比較，本文描繪了兩種電路的波形，如圖3、圖4所示。
　　以下是對波形圖的部分說明。
　　1，波形圖假設正負bus相等，且各個元件均假設為理想元件。
　　2，驅(qū)動信號的方式
　　對兩種電路，為分析方便本文選擇相同的驅(qū)動信號波形，驅(qū)動信號的具體控制方式來自于參考文獻[1][2]，如圖中所示，其中Q1,Q3一組PWM（有死區(qū)時間），Q2,Q4 一組PWM（有死區(qū)時間）,另外Q1，Q4之間也含死區(qū)時間。
　　3，波形圖中假設電感電流iL相同，且涵蓋了所有電流狀態(tài)的幾種情況（參考下文，圖中也有標識）。
　　4，VL表示電感與開關管相連點的電壓，波形圖中可以看出，兩種電路此點電壓波形是相同的。
　　5，VL的高電平值都為1倍Vbus，其他電平數(shù)值按高度比例以此為參考。

　　圖3， 1字型三電平電路波形分析
　

　　圖4，T字型三電平電路波形
　　三，兩種電路的比較
　　1，開關管耐壓規(guī)格的比較：
　　從圖3，圖4兩個波形圖中可以看出，理論上1字型電路開關管的電壓為1Vbus；T字型電路Q1,Q4開關管的反向電壓2Vbus。
　　因此，看起來，從開關管耐壓角度，1字型要優(yōu)于T字型。
　　然而在實際上，對于1字型電路，當兩個開關管的電壓串聯(lián)承受2倍bus電壓時，由于元件本身的差異，兩個開關管承受的的電壓不可能完全相同，因此，為了保證開關管的安全工作，1字型電路中開關管也應按照承受2倍BUS電壓去設計。
　　所以，從實際角度出發(fā)，在開關耐壓的選擇上，1字型電路并沒有太大優(yōu)勢。
　　2，損耗的比較
　　這里的損耗主要是指，四個開關管，及二極管開關和導通損耗。
　　因為損耗與電流的流通路徑密切相關，所以按照電流的流經(jīng)路徑，分成六種狀態(tài)，按照不同的顏色，已表示在圖3、4中，請參考。
　　i.
　　正bus供電狀態(tài)，
　　A, 1字型電路中，電流由+BUS,經(jīng)Q1,Q2供電。
　　其損耗包括Loss_Q1_turnon&turnoff Loss_Q1_On Loss_Q2_On
　　B, T字型電路中，電流由+BUS經(jīng)Q1供電
　　其損耗包括Loss_Q1_turnon&turnoff Loss_Q1_On
　　比較：此狀態(tài)下，通過波形圖中可以看出Loss_Q1_turnon&turnoff相差不多，但1字型電路比T字型電路多一個Q2的導通損耗。
　　ii.
　　負bus供電狀態(tài)
　　A, 1字型電路中，電流方向由電感,經(jīng)Q3,Q4至負bus。
　　其損耗包括Loss_Q4_turnon&turnoff Loss_Q3_On Loss_Q4_On
　　B, T字型電路中，電流方向由電感,經(jīng)Q4至負bus
　　其損耗包括Loss_Q4_turnon&turnoff Loss_Q4_On
　　比較：此狀態(tài)下，1字型電路比T字型電路多一個Q3的導通損耗。
　　iii.
　　正BUS續(xù)流狀態(tài)
　　A, 1字型電路中，電流方向由電感經(jīng)Q1Diode,Q2diode至正bus。
　　其損耗包括 Loss_Q1diode_turnon&turnoff&on
　　Loss_Q2diode__turnon&turnoff&on
　　B, T字型電路中，電流方向由電感經(jīng)Q1diode至正bus。
　　其損耗包括 Loss_Q1diode_turnon&turnoff&on
　　比較：此狀態(tài)下，1字型電路比T字型電路多一個Q2的導通損耗。
　　iv.
　　負bus續(xù)流狀態(tài)
　　A, 1字型電路中，電流方向由負bus經(jīng)Q1diode,Q2diode至電感。
　　其損耗包括 Loss_Q3diode_turnon&turnoff&on
　　Loss_Q4diode__turnon&turnoff&on
　　B, T字型電路中，電流方向由負bus經(jīng)Q1diode至電感。
　　其損耗包括 Loss_Q4diode_turnon&turnoff&on
　　比較：此狀態(tài)下，一字型電路比T字型電路多一個Q3的導通損耗。
　　v.
　　中點續(xù)流iL>0狀態(tài)
　　A，1字型電路中，電流由GND，經(jīng)D1，Q2至電感。
　　其損耗包括Loss_D1 Loss_Q2
　　B，
　　T字型電路中，電流由GND，經(jīng)Q2，Q3diode至電感。
　　其損耗包括Loss_Q2 Loss_Q3diode
　　比較：此狀態(tài)下，兩種電路損耗接近。
　　vi.
　　中點續(xù)流iL<0狀態(tài)
　　A，1字型電路中，電流由電感，經(jīng)Q3，D2至GND。
　　其損耗包括Loss_Q3 Loss_D2
　　B, T字型電路中，電流由電感，經(jīng)Q3，Q2diode至GND。
　　其損耗包括Loss_Q2 Loss_Q3diode
　　比較：此狀態(tài)下，兩種電路損耗接近。
　　結論：通過以上比較可以看出，除了中點續(xù)流狀態(tài)，其他狀態(tài)下T型電路的損耗都優(yōu)于1字型電路。
　　3，元件數(shù)量的比較
　　從拓撲結構圖中，很容易可以看出T型電路要比1字型電路少兩個Diode，這對于減少空間有好處。
　　四，結論：
　　通過本文的分析可以看出，T字型和1字型三電平電路比較，耐壓方面理論上1字型電路優(yōu)于T字型電路，然而從實際應用角度分析，二者相差不大；損耗方面，T字型要優(yōu)于1字型；元件數(shù)量方面，T字型少兩個Diode。
　　因此，按照本文的分析，在較小損耗和減小空間方面，T字型電路會比較有利。