如何理解鋰離子電池的電化學(xué)阻抗譜
出處:電子發(fā)燒友網(wǎng) 發(fā)布于:2018-07-17 13:39:19
鋰離子電池,即使用能可逆嵌入、脫出鋰離子的嵌入化合物作為正極、負(fù)極的二次電池:充電時(shí),正極中的鋰離子從正極活性材料中脫出,嵌入負(fù)極活性材料中。
放電時(shí),鋰離子從負(fù)極活性材料中脫出,嵌入正極活性材料中。因此鋰離子電池的充放電容量、循環(huán)穩(wěn)定性、充放電倍率以及高低溫充放電性能等,均與鋰離子在電極活性材料中的脫出和嵌入、在電解液中的擴(kuò)散以及鋰離子穿過正負(fù)極活性材料顆粒表面固體電解質(zhì)相界面(solid electrolyte interface,SEI)膜等過程密切相關(guān)。
研究上述過程的相關(guān)動(dòng)力學(xué)參數(shù),對(duì)于深入體統(tǒng)認(rèn)識(shí)相應(yīng)鋰離子電池的綜合電化學(xué)性能具有重要的意義。

作為研究電化學(xué)界面過程的重要方法,電化學(xué)阻抗譜(electrochemical impedancespectroscopy,EIS)被廣泛應(yīng)用于研究鋰離子在碳材料和過渡金屬氧化的嵌入和脫出過程中。
所謂EIS,是通過對(duì)電化學(xué)體系施加一定振幅不同頻率的正弦波交流信號(hào),獲得頻域范圍內(nèi)相應(yīng)電信號(hào)反饋的交流測試方法。以下將結(jié)合充放電時(shí)具體的物理化學(xué)過程,對(duì)典型的Li+電池EIS圖譜進(jìn)行進(jìn)行分析。
在鋰離子電池充電過程中,鋰離子在嵌合物電極中的脫出和嵌入過程包括以下五個(gè)步驟,如圖2所示(Barsoukov等人提出改過程):
步驟①:電子傳輸至活性材料表面及在活性材料顆粒間的傳輸、鋰離子在電解液中的傳輸;
步驟②:鋰離子通過活性材料顆粒表面SEI 膜的擴(kuò)散遷移;
步驟③:電子與鋰離子在導(dǎo)電結(jié)合處的電荷傳輸過程(或反應(yīng)結(jié)合過程);
步驟④:鋰離子在活性材料顆粒內(nèi)部固體顆粒中的擴(kuò)散過程了;
步驟⑤:鋰離子在活性材料中累積、消耗以及由此導(dǎo)致活性材料顆粒晶體結(jié)構(gòu)的改變或新相的生成(由于測試頻率限制,常見EIS圖譜中該部分未測試)。

使用電化學(xué)工作站,在10KHz~50μHz之間進(jìn)行交流阻抗掃描,得到如圖三所示EIS圖譜,對(duì)該圖譜進(jìn)行具體拆解分析,如表1所示。

版權(quán)與免責(zé)聲明
凡本網(wǎng)注明“出處:維庫電子市場網(wǎng)”的所有作品,版權(quán)均屬于維庫電子市場網(wǎng),轉(zhuǎn)載請(qǐng)必須注明維庫電子市場網(wǎng),http://www.hbjingang.com,違反者本網(wǎng)將追究相關(guān)法律責(zé)任。
本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其它出處的作品,目的在于傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)或證實(shí)其內(nèi)容的真實(shí)性,不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。其他媒體、網(wǎng)站或個(gè)人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時(shí),必須保留本網(wǎng)注明的作品出處,并自負(fù)版權(quán)等法律責(zé)任。
如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問題,請(qǐng)?jiān)谧髌钒l(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系,否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。
- ARM技術(shù)架構(gòu)與應(yīng)用開發(fā)實(shí)踐指南2026/1/6 10:40:19
- 嵌入式實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)(RTOS)選型與移植技術(shù)指南2025/12/31 10:42:31
- 工業(yè)嵌入式系統(tǒng):通信接口技術(shù)選型與抗干擾設(shè)計(jì)實(shí)踐2025/12/15 14:36:53
- 深入解析嵌入式 OPENAMP 框架:開啟異核通信新時(shí)代2025/7/22 16:27:29
- 一文快速了解OPENWRT基礎(chǔ)知識(shí)2025/7/14 16:59:04
- 高速PCB信號(hào)完整性(SI)設(shè)計(jì)核心實(shí)操規(guī)范
- 鎖相環(huán)(PLL)中的環(huán)路濾波器:參數(shù)計(jì)算與穩(wěn)定性分析
- MOSFET反向恢復(fù)特性對(duì)系統(tǒng)的影響
- 電源IC在惡劣環(huán)境中的防護(hù)設(shè)計(jì)
- 連接器耐腐蝕性能測試方法
- PCB電磁兼容(EMC)設(shè)計(jì)與干擾抑制核心實(shí)操規(guī)范
- 用于相位噪聲測量的低通濾波器設(shè)計(jì)與本振凈化技術(shù)
- MOSFET在高頻開關(guān)中的EMI問題
- 電源IC在便攜式設(shè)備中的設(shè)計(jì)要點(diǎn)
- 連接器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)常見問題分析









