意法半導(dǎo)體推出全新VIPower™MOSFET功率管
出處:電子工程世界 發(fā)布于:2018-07-16 15:33:38
電路發(fā)生故障或異常,隨著電流不斷升高,并且電流升高有可能損壞電路中的某些重要器件或貴重器件,也可能燒毀電路甚至造成火災(zāi)。電路中正確地安置了熔斷器,熔斷器就會(huì)在電流異常升高到一定的高度和一定的時(shí)候,自身熔斷切斷電流,從而起到保護(hù)電路安全運(yùn)行的作用。
意法半導(dǎo)體STEF01可編程電子熔斷器集成低導(dǎo)通電阻RDS(ON) 的VIPower?MOSFET功率管,在8V到48V的寬輸入電壓范圍內(nèi),能夠維持高達(dá)4A的連續(xù)電流,并且插入損耗低,將動(dòng)作快速的過(guò)載保護(hù)的優(yōu)勢(shì)延續(xù)到額定功率更高的應(yīng)用產(chǎn)品。
當(dāng)與主電源軌串聯(lián)時(shí),STEF01可以防止過(guò)流和過(guò)壓損壞負(fù)載,電壓被限制在用戶使用外部電阻預(yù)設(shè)的電壓值以下,通過(guò)控制內(nèi)部功率MOSFET,過(guò)大的電流被限制在預(yù)設(shè)的安全限值以下,當(dāng)檢測(cè)到過(guò)流較強(qiáng)或短路時(shí),過(guò)流則降至下限。
STEF01利用意法半導(dǎo)體的BCD8高壓工藝集成增值保護(hù)功能,例如,dV / dt控制可以防止浪涌電流在啟動(dòng)或熱插拔期間過(guò)大,然而這會(huì)使輸出電壓上升時(shí)間減慢到至少3ms,如果需要加快上升時(shí)間,可以連接一個(gè)外部電容;可編程欠壓鎖定(UVLO)也可使用外部元件設(shè)置電壓值,允許用戶微調(diào)所需的電源軌電壓值,以滿足負(fù)載要求。
其它產(chǎn)品特性包括帶有閂鎖或自動(dòng)重試的熱關(guān)斷功能和耗散功率保護(hù),在啟動(dòng)進(jìn)入高容性負(fù)載時(shí),或在大負(fù)載瞬態(tài)或高壓短路期間,每個(gè)保護(hù)功能都可以防止特別高的功率損壞STEF01。該產(chǎn)品還配備一個(gè)電源正常指示燈和一個(gè)可用于監(jiān)視狀態(tài)或控制設(shè)備的使能/故障引腳,以及一個(gè)控制外部N溝道MOSFET的專(zhuān)用柵極驅(qū)動(dòng)器輸出,以簡(jiǎn)化反向電流保護(hù)設(shè)計(jì)。
STEF01為各種應(yīng)用提供靈活方便的保護(hù)功能,包括工業(yè)熱插拔板和控制設(shè)備、斷路器、電源總線、安全監(jiān)控或照明系統(tǒng)、電信電源模塊或分布式電源系統(tǒng)。
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