內存的正式名字叫做“存儲器”，是半導體行業(yè)三大支柱之一。2016年半導體市場規(guī)模為3400億美金，存儲器就占了768億美元。對于你身邊的手機、平板、PC、筆記本等所有電子產(chǎn)品來說，存儲器就類似于鋼鐵之于現(xiàn)代工業(yè)，是名副其實的電子行業(yè)“原材料”。
　　存儲器芯片領域，主要分為兩類：易失性和非易失性。易失性：斷電以后，存儲器內的信息就流失了，例如 DRAM，主要用來做PC機內存(如DDR)和手機內存(如LPDDR)，兩者各占三成。非易失性：斷電以后，存儲器內的信息仍然存在，主要是閃存（Nand FLASH 和 NOR FLASH），NOR 主要應用于代碼存儲介質中，而 NAND 則用于數(shù)據(jù)存儲。
　　　1） DRAM
　　動態(tài)隨機存儲器（Dynamic RAM），“動態(tài)”兩字指的是每隔一段時間，要刷新充電，否則內部的數(shù)據(jù)即會消失。這是因為DRAM的基本單元是一個晶體管加一個電容，并用電容有無電荷來表示數(shù)字信息0和1，電容漏電很快，為防止電容漏電而導致讀取信息出錯，需要周期性地給DRAM的電容充電，故DRAM速度比SRAM慢。
　　另一方面，這種簡單的存儲模式也使得DRAM的集成度遠高于SRAM，一個DRAM存儲單元僅需一個晶體管和一個小電容，而每個SRAM單元需要四到六個晶體管和其他零件，故DRAM在高密度（大容量）以及價格方面均比SRAM有優(yōu)勢。SRAM多用于對性能要求極高的地方（如CPU的二級緩沖），而DRAM則主要用于計算機的內存條等領域。

　　DRAM每制程的更新?lián)Q代，都需要大量的投入，以制程從30 nm更新到20 nm為例，后者需要的光刻掩模版數(shù)目增加了30%，非光刻工藝步驟數(shù)翻倍，對潔凈室廠房面積的要求也隨著設備數(shù)的上升而增加了80%以上，此前這些成本都可以通過單晶圓更多的芯片產(chǎn)出和性能帶來的溢價所彌補，但隨著制程的不斷微縮，增加的成本和收入之間的差距逐漸縮小。故各大廠商開始研究Z方向的擴展能力，三星率先從封裝角度實現(xiàn)3D DRAM，采用TSV封裝技術，將多個DRAM芯片堆疊起來，從而大幅提升單根內存條容量和性能。

　　2）NAND Flash和NOR Flash
　　為更好地講述NAND Flash和NOR Flash這兩大存儲產(chǎn)品，我們首先來認識一下Flash技術。 Flash存儲器：又稱閃存，它是一種非易失性存儲器。閃存的存儲單元是場效應晶體管，是一種受電壓控制的三端器件，由源極（Source）、漏極（Drain）和柵極（Gate），以及襯底組成，在柵極與硅襯底間有二氧化硅絕緣層，用來保護浮置柵極中的電荷不會泄漏。 NAND的擦和寫均是基于隧道效應，電流穿過浮置柵極與硅基層之間的絕緣層，對浮置柵極進行充電（寫數(shù)據(jù)）或放電（擦除數(shù)據(jù)）。而NOR擦除數(shù)據(jù)仍是基于隧道效應（電流從浮置柵極到硅基層），但在寫入數(shù)據(jù)時則是采用熱電子注入方式（電流從浮置柵極到源極）。

　　NAND Flash是目前閃存中主要的產(chǎn)品，具備非易失，高密度，低成本的優(yōu)勢。在NAND閃存中，數(shù)據(jù)是以位（bit）的方式保存在Memory Cell中，一個Cell存儲一個bit，這些Cell或8個或16個為單位，連成bit line，而這些line組合起來會構成Page，而NAND閃存就是以頁為單位讀寫數(shù)據(jù)，以塊為單位擦除數(shù)據(jù)，故其寫入和擦除速度雖比DRAM大約慢3-4個數(shù)量級，卻也比傳統(tǒng)的機械硬盤快3個數(shù)量級，被廣泛用于 eMMC/EMCP，U盤，SSD等市場。
　　NOR Flash 的特點是芯片內執(zhí)行（XIP，Execute In Place），即應用程序不必再把代碼讀到系統(tǒng)RAM中，而是可以直接在Flash閃存內運行。NOR 的傳輸效率很高，讀取速度也比NAND快很多，在1~4MB的小容量時具有很高的成本效益，然而其擦除是以64-128KB的塊為單位進行的，執(zhí)行一個寫入/擦除操作的時間為5s，而NAND器件的擦除則是以8-32KB的塊為單位進行，執(zhí)行相同的操作多只需要4ms，故其很低的寫入和擦除速度大大影響到它的性能。此外，NOR的單元尺寸幾乎是NAND flash的兩倍，故在成本上也不具備優(yōu)勢，這使得NOR的使用范圍受到了更大的限制，不少曾屬于NOR的市場也慢慢被其他存儲器所奪取，但NOR flash廠商也并沒有坐以待斃，而是積極開拓汽車電子等物聯(lián)網(wǎng)市場。近年來NOR flash市場規(guī)模持續(xù)萎縮。
　　半導體存儲器市場被三星、海力士、美光等寡頭壟斷
　　半導體存儲器是一個高度壟斷的市場，其三大主流產(chǎn)品DRAM，NAND Flash，NOR Flash更是如此，尤其是前兩者，市場基本被前三大公司占據(jù)，且近年來壟斷程度逐步加劇。以DRAM和NAND兩種主要存儲芯片為例，DRAM市場由韓國三星、海力士和美國美光科技三家占據(jù)，而NAND Flash市場幾乎全部被三星、海力士、東芝、閃迪、美光和英特爾等六家瓜分。其中三星居壟斷地位，2017年它的DRAM 占的45.8%及NAND占37%。
　　DRAM市場發(fā)展史
　　DRAM領域經(jīng)過幾十年的周期循環(huán)，玩家從80年代的40~50家，逐漸減少到了08年金融危機之前的五家，分別是：三星(韓)、SK海力士(韓)、奇夢達(德)、鎂光(美)和爾必達(日)，五家公司基本控制了DRAM供給，終端產(chǎn)品廠商如金士頓，幾乎沒有DRAM生產(chǎn)能力，都要向它們采購原材料。按照常理來說，格局已經(jīng)趨穩(wěn)，價格戰(zhàn)理應偃旗息鼓，可惜的是，韓國人并不答應，尤其是三星。
　　三星充分利用了存儲器行業(yè)的強周期特點，依靠政府的輸血，在價格下跌、生產(chǎn)過剩、其他企業(yè)削減投資的時候，逆勢瘋狂擴產(chǎn)，通過大規(guī)模生產(chǎn)進一步下殺產(chǎn)品價格，從而逼競爭對手退出市場甚至直接破產(chǎn)，世人稱之為“反周期定律”。在存儲器這個領域，三星一共祭出過三次“反周期定律”，前兩次分別發(fā)生在80年代中期和90年代初，讓三星從零開始，做到了存儲器老大的位置。但三星顯然覺得玩的還不夠大，于是在2008年金融危機前后，第三次舉起了“反周期”屠刀。
　　2007 年初，微軟推出了狂吃內存的Vista操作系統(tǒng)，DRAM廠商判斷內存需求會大增，于是紛紛上產(chǎn)能，結果Vista 銷量不及預期，DRAM 供過于求價格狂跌，加上08 年金融危機的雪上加霜，DRAM 顆粒價格從2.25 美金雪崩至0.31 美金。就在此時，三星做出令人瞠目結舌的動作：將2007 年三星電子總利潤的118%投入DRAM 擴張業(yè)務，故意加劇行業(yè)虧損，給艱難度日的對手們，加上一根稻草。
　　效果是顯著的。DRAM價格一路飛流直下，08年中跌破了現(xiàn)金成本，08年底更是跌破了材料成本。2009年初，第三名德系廠商奇夢達首先撐不住，宣布破產(chǎn)，歐洲大陸的內存玩家就此消失。2012年初，第五名爾必達宣布破產(chǎn)，曾經(jīng)占據(jù)DRAM市場50%以上份額的日本，也輸?shù)袅艘粡埮?。在爾必達宣布破產(chǎn)當晚，京畿道的三星總部徹夜通明，次日股價大漲，全世界都知道韓國人這次又贏了。
　　至此，DRAM領域終只剩三個玩家：三星、海力士和鎂光。爾必達破產(chǎn)后的爛攤子，在2013年被換了新CEO的鎂光以20多億美金的價格打包收走。20億美金實在是個跳樓價，5年之后，鎂光市值從不到100億美元漲到460億，20億美元差不多是它市值一天的振幅。
　　三大DRAM廠面臨中國反壟斷調查，或開出天價罰金

　　5月31日，有多家媒體報道稱中國反壟斷機構派出多個工作小組，分別對三星電子、SK海力士以及美光三家企業(yè)位于北京、上海、深圳的辦公室展開調查和現(xiàn)場取證。事實上，從去年發(fā)改委價檢局約談三星開始，有關中國反壟斷機構即將立案調查三星、美光及海力士三家企業(yè)DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)壟斷的傳聞便不絕于耳。此次中國反壟斷機構進入三地辦公室調查，也意味著針對三家公司的反壟斷調查正式啟動。
　　數(shù)據(jù)顯示，在DRAM市場上，三家企業(yè)共占據(jù)了90%以上的市場份額。而中國作為的電子產(chǎn)品制造基地及主要的存儲芯片消費國，受存儲芯片漲價影響，近兩年進口存儲芯片價格不斷上漲，此前反壟斷部門便就持續(xù)漲價問題約談過相關企業(yè)。有消息指出三家企業(yè)的有礙公平競爭行為及部分企業(yè)的舉報是推動此次中國反壟斷機構發(fā)起調查的重要原因。
　　這并非事件的發(fā)端，此次突襲調查半年前，2017年12月底，有中國手機廠商因存儲器價格上漲和供應不暢，向發(fā)改委檢舉了三星電子。隨后，發(fā)改委開啟了調查。
　　2017年底發(fā)改委先召見了三星電子中國地區(qū)市場負責人了解情況，彼時DRAM正經(jīng)歷破紀錄的七季連漲，無論是給下游企業(yè)還是消費者都帶來巨大的壓力。發(fā)改委方面當時表示，已注意到DRAM行業(yè)價格的飆升，將會更多關注未來可能由行業(yè)“價格操縱”行為引發(fā)的問題，可能存在多家公司協(xié)同行動，推高芯片價格，謀求獲利化的行為。
　　今年5月，中國反壟斷機構約談了第三大存儲廠商美光，主要就三星電子、SK 海力士、美國美光等是否聯(lián)合操縱DRAM價格展開調查。同時，美光涉嫌限制設備商供貨給福建晉華，濫用市場支配地位，妨礙公平競爭。
　　行業(yè)分析人士指出，由于DRAM生產(chǎn)周期長達八周以上，從投入資本支出后，到新增產(chǎn)能、顆粒產(chǎn)出更長達至少一年，DRAM廠商容易在反壟斷條文中“限制商品中銷售數(shù)量”被調查。
　　記者了解，去年，三星電子、SK 海力士、美國美光三家芯片企業(yè)占DRAM市場的份額總和的96%，2017財年，三家公司半導體業(yè)務在中國營收依次分別為253.86億美元、89.08億美元、103.88億美元，總計446.8億美元，同比2016財年的321億美元增長39.16%。
　　而更早前的2016年下半年，DRAM價格便開啟了持續(xù)上漲模式，今年4、5月份，一起美國消費者起訴三星電子、SK 海力士、美國美光等廠商人為操控零售價格的訴訟發(fā)起，訴訟人表示，上述三家公司的行動導致4G內存價格，在2016年7月1日至2018年2月1日內，DRAM芯片價格上漲了130%。

　　數(shù)據(jù)顯示，2016年6月1日到2018年2月1日，4GB的DRAM內存價格上漲了130%。僅在2017年，DRAM內存價格就上漲了47%，創(chuàng)下近30年來漲幅。
　　在整個中國市場手機出貨量不斷下降的背景下，2017年，中國進口存儲芯片889.21億美元，同比2016年的637.14億美元增長39.56%。中國反壟斷機構的此次調查，是在中美貿(mào)易戰(zhàn)的關口，三星電子和SK 海力士都是韓國企業(yè)，而美光則是美國企業(yè)，中國此舉的用意非常巧妙。
　　與此同時，值得關注的是，如果存在價格壟斷行為，國內來說，根據(jù)《反壟斷法》、《反價格壟斷規(guī)定》，如果考慮經(jīng)營者從2016年至今的市場行為，以2016-2017年度銷售額進行處罰，三家公司將面臨8-80億美金的罰金。
　　中國存儲器三大陣營成形：長江存儲、福建晉華、合肥長鑫扛起大旗
　　2018年季三星、海力士、美光在DRAM產(chǎn)業(yè)的市占率合計共占95.4%的市場份額，而中國存儲廠商在該市場的份額依然為零。目前，我國存儲領域已形成包括發(fā)展NAND Flash的長江存儲，專注移動式內存的合肥長鑫以及致力于利基型內存的福建晉華三大陣營。值得注意的是，今年將是中國存儲產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關鍵節(jié)點，那么三家廠商目前的進度如何？
　　長江存儲
　　長江存儲于2016年7月26日在武漢新芯集成電路制造有限公司的基礎上正式成立，公司主要股東包括大基金和紫光集團、湖北省科投以及湖北國芯產(chǎn)業(yè)投資基金等，目前為清華紫光集團的子公司。作為存儲項目基地，長江存儲總投資金額達240億美元。預計項目一期建成后總產(chǎn)能將達到30萬片/月，年產(chǎn)值將超過100億美元。
　　目前，長江存儲首批400萬美元的精密儀器已于4月5日抵達武漢，未來兩年內將從多地進口近3萬噸精密儀器至漢。4月11日，長江存儲武漢基地芯片生產(chǎn)機臺正式進場安裝，這標志著國家存儲器基地從廠房建設階段進入量產(chǎn)準備階段。據(jù)了解，設備搬入、調試將耗費3個月左右的時間，然后開始小規(guī)模試產(chǎn)，如順利，今年四季度，中國首批擁有完全自主知識產(chǎn)權的32層三維NAND閃存芯片有望在光谷實現(xiàn)量產(chǎn)。
　　值得一提的是，當天搬入的設備只是臺，隨后要陸續(xù)從世界各地搬入各類高精密的芯片生產(chǎn)機臺進行調試，數(shù)量達2000多臺。設備調試完成后，才可以規(guī)模量化生產(chǎn)芯片。
　　此外，5月19日長江存儲的首臺光刻機已運抵武漢天河機場，設備相關的海關、商檢及邊防口岸的相關手續(xù)辦理完成后，即可運至長江存儲的工廠。這臺光刻機為ASML的193nm浸潤式光刻機，售價7200萬美元，用于14nm~20nm工藝。這也從側面透露了長江存儲3D NAND閃存芯片的工藝制程。這是長江存儲的臺光刻機，陸續(xù)還會有多臺運抵。
　　同時，紫光集團董事長兼長江存儲董事長趙偉國強調，在生產(chǎn)廠房于去年9月提前一個月封頂、32 層三維 NAND 閃存芯片自主研發(fā)取得重大突破的基礎上，現(xiàn)在我們又提前20天實現(xiàn)了芯片生產(chǎn)機臺搬入。未來十年，紫光計劃至少將投資1000億美元，相當于平均每年投入100億美元。
　　紫光集團執(zhí)行副總裁暨長江存儲執(zhí)行董事長高啟全透露，長江存儲的3D NAND閃存已經(jīng)獲得筆訂單，總計10776顆芯片，將用于8GB USD存儲卡產(chǎn)品。
　　今年底，基地就將實現(xiàn)國產(chǎn)3D閃存的小規(guī)模量產(chǎn)，用不了多久就能看到基于國產(chǎn)閃存的智能手機、SSD固態(tài)硬盤。明年，長江存儲還將開始64層堆疊閃存，單顆容量 128Gb(16GB)。
　　據(jù)某存儲器儲存研究 (DRAMeXchange) 指出，從中國廠商NAND Flash的發(fā)展進程來看，2016年12月底，由長江存儲主導的國家存儲器基地正式動土，預期分3階段，共建立3座3D NAND Flash廠房。階段廠房已于2017年9月完成興建，預定2018年第3季開始移入機臺，并于第4季進行試產(chǎn)，初期投片不超過1萬片，用于生產(chǎn)32層 3D NAND Flash產(chǎn)品，并預計于自家64層技術成熟后，再視情況擬定第2、3期生產(chǎn)計劃。
　　當然，在人才方面，長江存儲也十分重視。前電子信息司副司長彭紅兵已經(jīng)出任大基金副總裁兼長江存儲監(jiān)事會主席。
　　除此之外，據(jù)日經(jīng)中文網(wǎng)報道，在日本川崎市有一家新成立的企業(yè)名為JYM技術株式會社，而實際上就是長江存儲科技（YMTC）。相關人士透露，川崎市基地的面積可供100人工作，剛剛在日本啟動了招聘活動。同時，長江存儲科技2016年秋在美國硅谷開設了研發(fā)基地，從存儲器巨頭美國美光科技等處挖來技術人員，以40人的規(guī)模啟動研發(fā)工作。
　　福建晉華
　　福建省晉華集成電路有限公司(簡稱晉華集成電路，JHICC)是由福建省電子信息集團、及泉州、晉江兩級政府共同出資設立，被納入我國“十三五”集成電路重大生產(chǎn)力布局規(guī)劃。
　　按計劃，6月工程建設竣工，9月正式投產(chǎn)，預計投產(chǎn)后的一期項目可實現(xiàn)月產(chǎn)6萬片12英寸晶圓的產(chǎn)能。
　　晉華項目進展：

　　晉華項目宣傳片指出，晉華以三星海力士等行業(yè)巨頭為標桿，力爭通過自主研發(fā)實現(xiàn)對行業(yè)制造工藝的趕超。對比國內同類項目晉華項目建設進度優(yōu)勢明顯，有望成為國內擁有自主技術的內存。
　　據(jù)悉，晉華集成電路在人才團隊方面，采取海內外人才招聘與人才培訓相結合的方式。按計劃，2018年人才隊伍將達1200人，目前已招募人員800多人。
　　由于晉江集成電路產(chǎn)業(yè)基礎較薄弱，晉江市以晉華項目為龍頭，構建“三園一區(qū)”產(chǎn)業(yè)發(fā)展空間載體，打造設計、制造、封裝測試、裝備與材料、終端應用的集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)圈，其目標是到2025年可形成1000億產(chǎn)業(yè)規(guī)模。據(jù)悉，臺灣矽品、臺灣芝奇、美國空氣化工等20多個產(chǎn)業(yè)鏈項目已落地晉江，總投資近600億元，產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)圈正逐步形成。
　　正在建設的臺灣矽品位于晉華集成電路對面，將以DRAM封測業(yè)務為主。
　　合肥長鑫
　　睿力集成電路有限公司由北京兆易創(chuàng)新與合肥市產(chǎn)業(yè)投資控股集團合資，兆易創(chuàng)新出資20%，公司主要研發(fā)19納米制程的12英寸晶圓DRAM，目標2018年12月底研發(fā)成功。
　　當前，合肥長鑫12英寸存儲器晶圓制造基地項目正處在加快建設的階段，該項目一旦正式投產(chǎn)，預計將在DRAM市場占得約8%的市場份額，從而填補國產(chǎn)DRAM存儲器在本國市場的空白。

　　值得一提的是，在今年4月的公開活動上，長鑫存儲技術有限公司董事長、睿力集成電路有限公司執(zhí)行官王寧國首次高調亮相并介紹了合肥長鑫存儲器項目的5年規(guī)劃：2018年1月一廠廠房建設完成，并開始設備安裝；2018年底量產(chǎn)8Gb DDR4工程樣品；2019年3季度量產(chǎn)8Gb LPDDR4；2019年底實現(xiàn)產(chǎn)能2萬片/月；2020年開始規(guī)劃二廠建設；2021年完成17納米技術研發(fā)。
　　王寧國表示，希望2018年底個中國自主研發(fā)的DRAM芯片能夠在合肥誕生。同時，王寧國透露，長鑫睿力已經(jīng)與北方華創(chuàng)簽約，未來還會與更多的國內設備和材料廠商簽約合作。
　　據(jù)臺媒Digitimes報道，合肥長鑫12英寸存儲器晶圓制造基地所需的300臺研發(fā)設備已基本全部到位，待裝機完成之后，從2018年下半年開始便全力投入試生產(chǎn)的環(huán)節(jié)。
　　同時，據(jù)TrendForce存儲器儲存研究 (DRAMeXchange) 指出，合肥長鑫的廠房已于2017年6月封頂完工，并且于第3季開始移入測試用機臺。由于合肥長鑫直攻三大DRAM廠重要產(chǎn)品之一的LPDDR4 8Gb，爾后面臨爭議的可能性也較高，為了避免此一狀況，除了積極累積的權外，初期可能將鎖定于中國銷售。
　　除此之外，5月9日消息顯示，美國半導體技術供應商Rambus與兆易創(chuàng)新成立合資公司合肥?？莆㈦娮佑邢薰荆⑼瑫r完成由清控銀杏聯(lián)合領投的A輪融資。這家新的合資企業(yè)致力于電阻式隨機存取存儲器（RRAM）技術的商業(yè)化，將把下一代內存技術推向市場，同時，在這一合作中中資將占據(jù)主導地位，知情人士表示，公司總投資額為五千萬美元。
　　雖然兆易創(chuàng)新與Rambus目前僅簽署了協(xié)議，合資公司尚未成立。至于成立的具體時間，由于合資公司需要經(jīng)過美國方面的審批，公司注冊及具體成立時間需要等到批準之后才能確定。