任何高性能ADC，尤其是射頻采樣ADC，輸入或前端的設(shè)計對于實現(xiàn)所需的系統(tǒng)級性能而言很關(guān)鍵。很多情況下，射頻采樣ADC可以對幾百MHz的信號帶寬進(jìn)行數(shù)字量化。前端可以是有源（使用放大器）也可以是無源（使用變壓器或巴倫），具體取決于系統(tǒng)要求。無論哪種情況，都必須謹(jǐn)慎選擇元器件，以便實現(xiàn)在目標(biāo)頻段的ADC性能。

簡介

射頻采樣ADC采用深亞微米CMOS工藝技術(shù)制造，并且半導(dǎo)體器件的物理特性表明較小的晶體管尺寸支持的電壓也較低。因此，在數(shù)據(jù)手冊中規(guī)定的出于可靠性原因而不應(yīng)超出的電壓，將當(dāng)前主流的射頻采樣ADC與之前的老器件相比，可以發(fā)現(xiàn)這個電壓值是變小的。

在使用ADC對輸入信號進(jìn)行數(shù)字量化的接收機(jī)應(yīng)用中，系統(tǒng)設(shè)計人員必須密切關(guān)注輸入電壓。該參數(shù)直接影響ADC的使用壽命和可靠性。不可靠的ADC可能導(dǎo)致整個無線電系統(tǒng)無法使用，且更換成本也許非常巨大。

為了抵消過壓帶來的風(fēng)險，射頻采樣ADC集成了可以檢測高電平閾值的電路，允許接收機(jī)通過自動增益控制（AGC）環(huán)路調(diào)節(jié)增益來進(jìn)行補(bǔ)償。但是，如果采用流水線型ADC，則與架構(gòu)相關(guān)的固有延遲可能導(dǎo)致輸入暴露于高電平之下，從而可能損害ADC輸入。本文討論了一種簡單的方法來增強(qiáng)AGC環(huán)路，保護(hù)ADC。

輸入架構(gòu)

射頻采樣ADC可采用多種不同的設(shè)計，常見的一種是流水線架構(gòu)，該架構(gòu)采用多級級聯(lián)，將模擬信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號。級重要，可以是緩沖或未緩沖級。選擇哪種設(shè)計取決于設(shè)計要求和性能目標(biāo)。例如，一個帶緩沖器的ADC通常在頻率范圍內(nèi)具有更好的SFDR性能，但功耗比不帶緩沖器的ADC更高。

前端設(shè)計同樣會根據(jù)ADC是否有緩沖級而改變。沒有緩沖器的ADC需要使用額外的串聯(lián)電阻來處理輸入電荷反沖，它同樣會改善SFDR性能。圖1和圖2顯示了AD9625未緩沖和AD9680緩沖射頻采樣ADC的等效輸入電路簡化圖。

無論采用何種架構(gòu)，ADC輸入端可持續(xù)的電壓由MOSFET能夠處理的電壓決定。緩沖輸入更復(fù)雜，且比未緩沖輸入功耗更大。ADC具有多種不同類型的緩沖器，常見的一種是源極跟隨器。

故障機(jī)制

緩沖和未緩沖ADC的故障機(jī)制有所不同，但通常是在超出允許的柵極-源極電壓（ （VGS））或漏極-源極電壓（（VDS））時發(fā)生故障。這些電壓如圖3所示。

圖3. MOS晶體管的關(guān)鍵電壓

例如，假設(shè)VDS超過允許的電壓，則發(fā)生VDS擊穿故障，這通常在MOSFET處于關(guān)斷狀態(tài)且在漏極施加了相對于源極的過量電壓時發(fā)生。如果VGS超過允許的電壓，則它會導(dǎo)致VGS擊穿（亦稱為氧化層擊穿）。這通常在MOSFET處于導(dǎo)通狀態(tài)且在柵極施加了相對于源極的過量電壓時發(fā)生。

未緩沖ADC的故障機(jī)制

顯示的是一個未緩沖ADC輸入。采樣過程由反相時鐘信號Φ和Φ控制，它們是MOSFET M1的采樣/保持信號以及MOSFET M2的復(fù)位信號。M1導(dǎo)通時，M2關(guān)斷，且電容CSW跟蹤信號（采樣或跟蹤模式）。當(dāng)M1關(guān)斷時，MDAC中的比較器作出判斷后M2導(dǎo)通，電容CSW復(fù)位。這樣可在采樣階段使采樣電容為下采樣做好準(zhǔn)備。該電路通常工作狀態(tài)優(yōu)良。

但是，高壓輸入使M2暴露在超出其漏源電壓的應(yīng)力之下。當(dāng)對輸入高壓進(jìn)行采樣（M1導(dǎo)通、M2關(guān)斷）時，M2會暴露于較大的VDS之下，其在不足采樣時鐘半周期的時間內(nèi)處于關(guān)斷狀態(tài)，但哪怕只是瞬時的暴露也會降低電路的可靠性，導(dǎo)致ADC隨時間失效。在復(fù)位模式下（M1關(guān)斷、M2導(dǎo)通），因M1的漏極上有輸入信號，從而也會暴露于大的VDS電壓。

緩沖ADC的故障機(jī)制

顯示的是一個緩沖ADC輸入。采樣和復(fù)位信號適用相同的時鐘方案。無論相位如何，當(dāng)緩沖器M3柵極暴露于高壓輸入時，產(chǎn)生電流I1以及I2。電流源I1采用PMOS晶體管實現(xiàn)，而I2采用NMOS晶體管實現(xiàn)。M3柵極上的高電壓導(dǎo)致I1和I2 MOSFET產(chǎn)生過大的VDS。此外，M3柵極上的高電壓還可導(dǎo)致氧化層擊穿。

緩沖和未緩沖ADC的擊穿機(jī)制有所不同，因此輸入電壓同樣有所不同，如表1所以。