TD-SCDMA與GSM終端在EMC測(cè)試方面的差異
出處:互聯(lián)網(wǎng) 發(fā)布于:2018-06-29 14:33:21
TD-SCDMA作為一個(gè)新興的3G標(biāo)準(zhǔn),其的電磁兼容性(EMC)要求也隨之出臺(tái)。并隨著技術(shù)的發(fā)展,其的標(biāo)準(zhǔn)版本也不斷更新。本文就已GSM900MHz和DCS1800MHz在通信系統(tǒng)的電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)為參考,比較TD-SCDMA通信系統(tǒng)的電磁兼容與之的差異。
對(duì)于無線移動(dòng)終端產(chǎn)品,EMC所主要檢測(cè)的是產(chǎn)品對(duì)外界的帶外騷擾情況以及抗電磁干擾能力,與產(chǎn)品的無線模塊類型影響甚小。
1標(biāo)準(zhǔn):
TD-SCDMA的電磁兼容性標(biāo)準(zhǔn)按照《YD/T 1368.1-2008》,《YD/T 1592.1-2007》
GSM900MHz和DCS1800MHz的電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)按照《YD1032-2000》
而他們的基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)都是GB9254、GB/T 17626和ISO 7637,而TD-SCDMA的EMC基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)還包含有GB/T 17625的內(nèi)容
2TD與GSM終端在EMC測(cè)試上的具體差異:
2.1傳導(dǎo)雜散騷擾
兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的測(cè)試方法基本相同,差異主要集中在測(cè)試頻率的不一樣,另外 YD1032還要求EUT處于極限電壓條件下以及在專用模式和空閑模式下分別進(jìn)行測(cè)試,而YD/T 1592.1則無此要求。
詳見下表:
參數(shù) TD-SCDMA GSM900MHz和DCS1800MHz 基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn) ITU-R SM.329 ETS 300 607-1 天線 規(guī)定了對(duì)于一體化天線端口不需要做此測(cè)試 工作電壓 YD 1032要求凡是能與外部電壓相連的設(shè)備都必須要做極限電壓的傳導(dǎo)雜散測(cè)試 測(cè)試頻率 9KHz到工作頻率的10此諧波,但不能高于40GHz 100KHz-12.75GHz 工作模式 只要求EUT在全功率發(fā)射狀態(tài)下進(jìn)行測(cè)試 要求在專用模式和空閑模式下分別進(jìn)行測(cè)試
2.2 輻射雜散騷擾
兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的輻射雜散測(cè)試差異和傳導(dǎo)雜散基本一樣,都是集中在測(cè)試頻率、工作電壓和工作模式上,另外對(duì)于免測(cè)頻段也有所差別,YD/T 1592.1的免測(cè)頻段帶寬為8MHz,而YD1032為3.6MHz。詳見下表:
參數(shù) TD-SCDMA GSM900MHz和DCS1800MHz 基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn) ITU-R SM.329 ETS 300 607-1 工作電壓 EUT使用正常的工作電壓,EUT能正常工作 YD 1032要求凡是能與外部電壓相連的設(shè)備都必須要做極限電壓的傳導(dǎo)雜散測(cè)試 測(cè)試頻率 30MHz-12.75GHz 30MHz-6GHz 工作模式 只要求EUT在全功率發(fā)射狀態(tài)下進(jìn)行測(cè)試 要求在專用模式和空閑模式下分別進(jìn)行測(cè)試 免測(cè)頻段 fc-4MHz到fc+4MHz (fc為EUT工作頻段的中心頻率) fc-1.8MHz到fc+1.8MHz (fc為EUT工作頻段的中心頻率) 測(cè)量天線與EUT的距離 建議輻射雜散的測(cè)量距離≥3米 只提出把測(cè)量天線離開EUT一段距離(通常為3米或10米)
2.3諧波電流
對(duì)于諧波電流,YD1032并未作要求,而YD/T 1592.1卻要求按照 GB17625.1進(jìn)行測(cè)試。
詳見下表:
參數(shù) TD-SCDMA GSM900MHz和DCS1800MHz 基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn) GB 17625.1 YD 1032里未對(duì)此項(xiàng)做要求 測(cè)試方法及限值 完全按照GB 17625.1進(jìn)行 Note:由于GB 17625.1里面規(guī)定了對(duì)于額定功率小于75W的設(shè)備,該項(xiàng)測(cè)試沒有限值要求,因此對(duì)于移動(dòng)終端這些小功率設(shè)備來講,此項(xiàng)測(cè)試基本上不需要進(jìn)行
2.4 電壓波動(dòng)和閃爍
對(duì)于電壓波動(dòng)和閃爍,YD1032并未作要求,而YD/T 1592.1卻要求按照 GB17625.2進(jìn)行測(cè)試。詳見下表:
參數(shù) TD-SCDMA GSM900MHz和DCS1800MHz 基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn) GB 17625.2 YD 1032里未對(duì)此項(xiàng)做要求 測(cè)試方法及限值 完全按照GB 17625.2進(jìn)行
2.5 靜電放電抗擾度
兩標(biāo)準(zhǔn)的靜電放電測(cè)試差異主要集中在接觸放電的放電電壓上,YD/T 1592.1要求接觸的放電電壓要達(dá)到6KV,而YD1032只要求到4KV。詳見下表:
參數(shù) TD-SCDMA GSM900MHz和DCS1800MHz 基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn) GB 17626.2 GB 17626.2 放電電壓 接觸放電:±2KV,±4KV,±6KV
空氣放電:±2 KV,±4 KV,±8 KV 接觸放電:±2 KV,±4 KV
空氣放電:±2 KV,±4 KV,±8 KV
2.6 電快速瞬態(tài)脈沖群抗擾度
EFT的差異主要是實(shí)驗(yàn)電壓不一樣. 另外, YD/T 1592.1還對(duì)電信端口和DC電源端口分別作出了要求。詳見下表:
參數(shù) TD-SCDMA GSM900MHz和DCS1800MHz 基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn) GB 17626.4 GB 17626.4 實(shí)驗(yàn)電壓 AC電源輸入端口實(shí)驗(yàn)電平為開路電壓1KV AC電源輸入端口實(shí)驗(yàn)電平為開路電壓2KV
2.7 浪涌(沖擊)抗擾度
SURGE的差異也主要是實(shí)驗(yàn)電壓不一樣,YD/T 1592.1只要求1KV開路電壓,而YD1032只要求到2KV。詳見下表:
參數(shù) TD-SCDMA GSM900MHz和DCS1800MHz 基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn) GB 17626.5 GB 17626.5 實(shí)驗(yàn)電壓 對(duì)于AC電源,電信端口以及DC電源線都分別作出了要求:
AC電源線對(duì)地為2KV
AC電源線對(duì)線為1KV
直接與室外電纜連接的電信端口線對(duì)地1KV,但如果EUT為電信中心設(shè)備電平應(yīng)為0.5KV
DC電源線的線對(duì)地為1KV
DC電源線的線對(duì)線為0.5KV 只提出了:
線對(duì)地為1KV開路電壓
線對(duì)線為0.5KV開路電壓
2.8 射頻場(chǎng)感應(yīng)的傳導(dǎo)騷擾抗擾度
YD/T 1592.1要求傳導(dǎo)抗干擾的測(cè)試方法優(yōu)先采用CDN直接注入法,而YD1032則是要求采用電流鉗注入法,對(duì)于實(shí)驗(yàn)范圍所要求適應(yīng)于標(biāo)準(zhǔn)的線纜長(zhǎng)度有所差別。詳見下表:
參數(shù) TD-SCDMA GSM900MHz和DCS1800MHz 基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn) GB 17626.6 GB 17626.6 測(cè)試方法 優(yōu)先采用CDN直接注入法,如不合適則采用鉗注入法 采用電流鉗注入法,當(dāng)不會(huì)引起EUT性能降低時(shí),可采取耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)或直接注入法 實(shí)驗(yàn)范圍 固定、車載及其輔助設(shè)備的AC端口/信號(hào)/電信/控制端口和/DC電源端口的連接線超過3米的情形 車載及其輔助設(shè)備的信號(hào)/控制端口和/DC電源端口的連接線超過2米的情形
固定及其輔助設(shè)備的信號(hào)/控制端口、DC電源和AC電源輸入/輸出端口的連接電纜超過1米的情形
2.9 電壓暫降、短時(shí)中斷抗擾度
YD/T 1592.1對(duì)于由直流電源供電的設(shè)備也做出了要求,而YD1032只適用于由交流供電的設(shè)備。詳見下表:
參數(shù) TD-SCDMA GSM900MHz和DCS1800MHz 基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn) GB 17626.11,IEC61000-4-29 GB 17626.11 實(shí)驗(yàn)范圍 對(duì)于AC電源和直流電源供電的設(shè)備都有要求 只適用于由AC電源供電的固定臺(tái)及輔助設(shè)備
2.10 工頻磁場(chǎng)抗擾度
帶有對(duì)磁場(chǎng)敏感裝置的EUT也需要滿足YD/T 1592.1,YD1032并未作此要求。
詳見下表:
參數(shù) TD-SCDMA GSM900MHz和DCS1800MHz 基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn) GB 17625.8 YD 1032里未對(duì)此項(xiàng)做要求 實(shí)驗(yàn)范圍 本實(shí)驗(yàn)項(xiàng)目只使用于帶有對(duì)磁場(chǎng)敏感裝置的EUT 實(shí)驗(yàn)等級(jí) 3A/m 測(cè)試方法 按照GB 17625.8進(jìn)行
2.11 瞬變和浪涌抗擾度實(shí)驗(yàn)(車載環(huán)境)
瞬變和浪涌抗擾度實(shí)驗(yàn)的差異主要集中在基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)ISO7637的版本差異上。截止目前為止,YD1032仍然用的2000年版本的,所引用的ISO 7637也是1990年版本的,但隨著YD1032的新版本的出臺(tái),相信此項(xiàng)測(cè)試也會(huì)隨著版本的ISO 7637看齊。詳見下表:
參數(shù) TD-SCDMA GSM900MHz和DCS1800MHz 基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn) ISO 7637-2 ISO 7637-1/2(1990) 12V車載實(shí)驗(yàn)等級(jí) 脈沖1:等級(jí)-75V,10個(gè)脈沖
脈沖2a:等級(jí)37V,10個(gè)脈沖
脈沖2b:等級(jí)10V,10個(gè)脈沖
脈沖3a:等級(jí)-112V,20分鐘
脈沖3b:等級(jí)75V,20分鐘
脈沖4:等級(jí)-6V,10個(gè)脈沖
脈沖5:等級(jí)65V,1個(gè)脈沖 脈沖1:等級(jí)Ⅱ,t1=2.5s,10個(gè)脈沖
脈沖2:等級(jí)Ⅱ,t1=2.5s,10個(gè)脈沖
脈沖3a:等級(jí)Ⅱ,5分鐘
脈沖3b:等級(jí)Ⅱ,5分鐘
脈沖4:等級(jí)Ⅱ,脈沖特性為:Vs=5V,Va=2.5V,t6=25ms,t8=5s,tf=5ms
脈沖1和2只對(duì)不與12V車載蓄電此直接相連的設(shè)備 24V車載實(shí)驗(yàn)等級(jí) 脈沖1:等級(jí)-450V,10個(gè)脈沖
脈沖2a:等級(jí)37V,10個(gè)脈沖
脈沖2b:等級(jí)20V,10個(gè)脈沖
脈沖3a:等級(jí)-150V,20分鐘
脈沖3b:等級(jí)150V,20分鐘
脈沖4:等級(jí)-12V,10個(gè)脈沖
脈沖5:等級(jí)123V,1個(gè)脈沖 脈沖1a:等級(jí)Ⅱ,t1=2.5s,10個(gè)脈沖
脈沖1b:等級(jí)Ⅱ,t1=2.5s,10個(gè)脈沖
脈沖2:等級(jí)Ⅱ,t1=2.5s,10個(gè)脈沖
脈沖3a:等級(jí)Ⅱ,5分鐘
脈沖3b:等級(jí)Ⅱ,5分鐘
脈沖4:等級(jí)Ⅱ,脈沖特性為:Vs=10V,Va=5V,t6=25ms,t8=5s,tf=5ms
脈沖1a、1b和2只對(duì)不與12V車載蓄電此直接相連的設(shè)備
版權(quán)與免責(zé)聲明
凡本網(wǎng)注明“出處:維庫電子市場(chǎng)網(wǎng)”的所有作品,版權(quán)均屬于維庫電子市場(chǎng)網(wǎng),轉(zhuǎn)載請(qǐng)必須注明維庫電子市場(chǎng)網(wǎng),http://www.hbjingang.com,違反者本網(wǎng)將追究相關(guān)法律責(zé)任。
本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其它出處的作品,目的在于傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)或證實(shí)其內(nèi)容的真實(shí)性,不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。其他媒體、網(wǎng)站或個(gè)人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時(shí),必須保留本網(wǎng)注明的作品出處,并自負(fù)版權(quán)等法律責(zé)任。
如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問題,請(qǐng)?jiān)谧髌钒l(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系,否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。
- 工業(yè)5G技術(shù)在智能制造中的應(yīng)用與實(shí)踐解析2025/12/31 10:57:21
- 工業(yè)以太網(wǎng)交換機(jī)選型與現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用技術(shù)指南2025/12/18 10:48:14
- 無線傳輸電路基礎(chǔ),射頻前端設(shè)計(jì)、天線匹配與鏈路預(yù)算計(jì)算2025/10/27 13:55:50
- ASK 解調(diào)的核心要點(diǎn)與實(shí)現(xiàn)方式2025/9/5 16:46:17
- 雙偶極子天線:結(jié)構(gòu)、特性與應(yīng)用全解析2025/9/3 10:29:21
- 高速PCB信號(hào)完整性(SI)設(shè)計(jì)核心實(shí)操規(guī)范
- 鎖相環(huán)(PLL)中的環(huán)路濾波器:參數(shù)計(jì)算與穩(wěn)定性分析
- MOSFET反向恢復(fù)特性對(duì)系統(tǒng)的影響
- 電源IC在惡劣環(huán)境中的防護(hù)設(shè)計(jì)
- 連接器耐腐蝕性能測(cè)試方法
- PCB電磁兼容(EMC)設(shè)計(jì)與干擾抑制核心實(shí)操規(guī)范
- 用于相位噪聲測(cè)量的低通濾波器設(shè)計(jì)與本振凈化技術(shù)
- MOSFET在高頻開關(guān)中的EMI問題
- 電源IC在便攜式設(shè)備中的設(shè)計(jì)要點(diǎn)
- 連接器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)常見問題分析









