一文認(rèn)識(shí)光模塊的構(gòu)造
出處:言炎言舌 發(fā)布于:2018-10-18 14:16:58
一、光模塊的類(lèi)型
目前,100G以上光模塊的主流封裝形式有CFP、CFP2、SFP、SFP+、QSFP28、QSFP-DD等,從下圖4種封裝形式對(duì)比可以看出之間的一些相同與差異。
CFP2的體積是CFP的1/2,它與CFP相似之處在于PCB上都設(shè)置了一個(gè)專(zhuān)用連接器,由于該連接器的特性決定CFP支持10x10G速率,CFP2支持4x25G和8x25G速率。
QSFP28和QSFP-DD都是由QSFP+協(xié)議演進(jìn)而來(lái),兩者的結(jié)構(gòu)可以說(shuō)基本相同,外形上有相同的寬度和厚度,解鎖機(jī)構(gòu)也是完全相同。
QSFP28支持4x25G速率,QSFP-DD支持8x25G速率,所以兩者的結(jié)構(gòu)差異之處就在電口的設(shè)計(jì),QSFP-DD的電口金手指數(shù)量比QSFP28增加1倍。
二、光模塊的構(gòu)造
一般情況下,光模塊外殼結(jié)構(gòu)組成三部分:
底殼
上蓋
解鎖機(jī)構(gòu)
雖然光模塊外形近乎每個(gè)尺寸在MSA協(xié)議里都有明確要求,但是具體的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)仍然有很多講究。
底殼和上蓋一般是用螺釘裝配在一起,考慮到上蓋的剛度,上蓋和底殼的厚度盡量接近。
如果上蓋太單薄的話,模塊內(nèi)部被壓縮的導(dǎo)熱墊應(yīng)力會(huì)導(dǎo)致上蓋變形,從而使裝配后的模塊厚度尺寸超差,同時(shí)上蓋和底殼之間也會(huì)產(chǎn)生縫隙使電磁波泄露,導(dǎo)致模塊EMI屏蔽失效。
MSA協(xié)議對(duì)解鎖機(jī)構(gòu)的拉手部分限制較小,拉手在工業(yè)設(shè)計(jì)上有足夠的空間去發(fā)揮。自然地拉手就成了表達(dá)產(chǎn)品特色和公司形象的一張面孔,讓客戶對(duì)公司光模塊的認(rèn)識(shí)從拉手開(kāi)始。
三、光模塊的設(shè)計(jì)重點(diǎn)
主要分散熱設(shè)計(jì)和EMI屏蔽設(shè)計(jì)兩部分。
散熱,很好理解,就像為某為發(fā)燒而生的手機(jī),天氣一熱就燙手,就是它的散熱設(shè)計(jì)太差。
熱量的傳遞有導(dǎo)熱,對(duì)流換熱及輻射換熱三種方式。光模塊的散熱設(shè)計(jì)可以說(shuō)主要研究的就是導(dǎo)熱。那么如何做好光模塊散熱設(shè)計(jì)呢?搬出Fourier導(dǎo)熱定律公式研究一番,就知道怎么去做了。
Q=λA(Th-Tc)/δ
其中:λ為材料的導(dǎo)熱系數(shù),單位為W/(m*℃),表示了該材料導(dǎo)熱能力的大?。?br />
A為與熱量傳遞方向垂直的面積,單位為m2;
δ為兩個(gè)面之間的距離,單位為m;
Th與Tc分別為高溫與低溫面的溫度,單位為℃。
從上面的公式得知,要提高熱流量Q,需要從三個(gè)方面著手,提高材料的導(dǎo)熱系數(shù)λ,增加熱量傳遞的截面積A,減小高低溫面之間的距離δ。
要做好光模塊散熱設(shè)計(jì)是一件極其復(fù)雜的事情。
通常情況下發(fā)熱器件盡量布置在模塊的TOP面,使熱量?jī)?yōu)選傳遞到主散熱面;
對(duì)于多個(gè)發(fā)熱器件,盡量分散布置,使得模塊表面熱耗均勻,更有利于散熱;
熱敏感器件布置盡量遠(yuǎn)離高溫發(fā)熱器件,例如硅光芯片的布置就要遠(yuǎn)離DSP、Driver等發(fā)熱高的器件;
對(duì)于發(fā)熱高的器件不得不布置在BOTTOM面時(shí),就要采用跨空間散熱技術(shù),目前人工石墨導(dǎo)熱材料是不錯(cuò)的選擇,該材料不僅有高達(dá)1500 W/m*k的導(dǎo)熱系數(shù)(水平方向),而且可以彎曲折疊。
光模塊散熱設(shè)計(jì)需要熱仿真配合來(lái)完成,通過(guò)仿真分析來(lái)檢驗(yàn)熱設(shè)計(jì)是否滿足要求,并指導(dǎo)熱設(shè)計(jì)優(yōu)化方向。這樣的工作往往需要多次迭代才能終確定散熱設(shè)計(jì)方案。
電磁兼容性EMC(Electro Magnetic Compatibility),是指設(shè)備或系統(tǒng)在其電磁環(huán)境中符合要求運(yùn)行并不對(duì)其環(huán)境中的任何設(shè)備產(chǎn)生無(wú)法忍受的電磁干擾的能力。
形成電磁干擾必須同時(shí)具備三個(gè)因素:
電磁騷擾源
耦合路徑
敏感設(shè)備
針對(duì)以上三個(gè)因素,有多種途徑可以抑制電磁干擾的影響,而從光模塊結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的角度出發(fā),采用電磁屏蔽的方法來(lái)切斷電磁騷擾的耦合路徑,是改善其電磁兼容性能的關(guān)鍵而行之有效的技術(shù)手段之一。
影響屏蔽體的屏蔽效能有兩個(gè)因素:
整個(gè)屏蔽體表面必須是導(dǎo)電連續(xù)的
屏蔽體上有很多導(dǎo)電不連續(xù)點(diǎn),主要的一類(lèi)是屏蔽體不同部分結(jié)合處形成的不導(dǎo)電縫隙。
這些不導(dǎo)電的縫隙就產(chǎn)生了電磁泄漏,如同流體會(huì)從容器上的縫隙上泄漏一樣。解決這種泄漏的一個(gè)方法是在縫隙處填充導(dǎo)電彈性材料,消除不導(dǎo)電點(diǎn)。這就像在流體容器的縫隙處填充橡膠的道理一樣。
對(duì)于縫隙的處理,還有一種辦法就是在設(shè)計(jì)上刻意增加縫隙的深度和形狀,目的就是讓電磁在縫隙里多次反射而衰減。
不能有直接穿透屏蔽體的導(dǎo)體
光模塊的PCB金手指是裸露在外的,也就是有導(dǎo)體穿透了屏蔽體。
實(shí)際上對(duì)于EMC,光模塊并不是孤立去考量的,而是將光模塊插入終端設(shè)備整體來(lái)測(cè)試和評(píng)估的。光模塊插入終端設(shè)備的CAGE里面,CAGE和設(shè)備本身進(jìn)一步對(duì)電磁進(jìn)行屏蔽和接地處理。
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