單向晶閘管與雙向晶閘管之間的不同之處
出處:維庫電子市場網(wǎng) 發(fā)布于:2017-09-06 13:53:28
晶閘管是回一個(gè)可以控導(dǎo)點(diǎn)開關(guān),能以弱電去控制強(qiáng)電的各種電路。晶閘管常用于整流,調(diào)壓,交直流變化,開關(guān),調(diào)光等控制電路中。具有提交小,重量輕,耐壓高,容量大,效率高,控制靈敏,壽命長,而且操作非常方便等優(yōu)點(diǎn)。晶閘管的種類很多,有單/雙向晶閘管,可關(guān)斷晶閘管,快速晶閘管,光控晶閘管等多種,而目前應(yīng)用多的就是單向晶閘管和雙向晶閘管兩種;常用的兩種晶閘管到底有什么不同之處呢,下面來詳細(xì)做一些對比說明:
1.單向晶閘管
單向晶閘管是由4塊半導(dǎo)體材料P1,N1,P2,N2構(gòu)成的3個(gè)PN結(jié),并分別用J1,J2,J3表示,從P1引出的引腳是陽極的,用A表示;從N2引出的是陰極的,用K表示;從P2引出的是門極,用G表示(文字符號用VT),詳細(xì)的內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖如下。
單向晶閘管結(jié)構(gòu)圖
單向晶閘管主要參數(shù)有額定正向平均電流,導(dǎo)通維持電流,門極觸發(fā)電壓,正向阻斷峰值電壓,反向阻斷峰值電壓。
單向晶閘管可以根據(jù)其管腳的外形判別法和萬用表進(jìn)行識別。識別方法如下:
外形判別法:利用單行晶閘管的外形結(jié)構(gòu)特點(diǎn)來判別其引腳的極性。
萬用表測量法:
萬用表測量法主要針對小型塑封的單向晶閘管,將萬用表R*100歐姆檔,測量單向晶閘管任意引腳的正反方向電阻。當(dāng)兩次測量的電阻值為∞時(shí),則該兩引腳可判斷為陽極性和陰極性,另外一引腳為門極,然后量萬用表黑表筆接門極,紅表筆分別接其他兩引腳。測量到的電阻值小的紅表筆接的引腳為陰極。電阻值大的紅表筆接的引腳是陽極。
2.雙向晶閘管
雙向晶閘管的內(nèi)部一個(gè)N1P1N2P2N3的五層結(jié)構(gòu)。它有3個(gè)電極,即門極G,主電極A1和第二主極A2。無論是從結(jié)構(gòu)還是特性上來看,都可以把它看成是一對反向并聯(lián)的普通單向晶閘管,雙向晶閘管的結(jié)構(gòu),等效電路及文字符號如下圖,雙向晶閘管正,反兩個(gè)方向都能控制導(dǎo)通,且觸發(fā)電路簡單,工作穩(wěn)定,所以廣泛應(yīng)用在燈光調(diào)節(jié),溫度調(diào)節(jié),交流調(diào)壓等交流無觸點(diǎn)開關(guān)電路中。
雙向晶閘管的符號,結(jié)構(gòu)和等效電路
雙向晶閘管的外形
雙向晶閘管的主要參數(shù)有段泰重復(fù)值電壓(額定電壓);額定通態(tài)平均電流(額定電流)
注:在控制電路中雙向晶閘管是一個(gè)比較容易損壞的元件。一旦發(fā)現(xiàn)雙線晶閘管損壞,只要更換相同參數(shù)的晶閘管就可以了。
雙向晶閘管測量需要確定門極和檢查門極的好壞,門極G的確定方式有兩種方法:一種是通過外形上判斷,另一種也是和單機(jī)晶閘管一樣,利用萬用表進(jìn)行測量。具體方法是:將萬用表R*1K檔,測量某兩個(gè)電極之間的電阻值,若兩次阻值均為∞時(shí),則表筆對應(yīng)的點(diǎn)擊為A1,A2,那么第三只引腳則為門極G,如果量某引腳之間正反向阻值都不為∞,則雙向晶閘管損壞。
上一篇:雙攝像頭系列原理
下一篇:電容器的四大標(biāo)志方法
版權(quán)與免責(zé)聲明
凡本網(wǎng)注明“出處:維庫電子市場網(wǎng)”的所有作品,版權(quán)均屬于維庫電子市場網(wǎng),轉(zhuǎn)載請必須注明維庫電子市場網(wǎng),http://www.hbjingang.com,違反者本網(wǎng)將追究相關(guān)法律責(zé)任。
本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其它出處的作品,目的在于傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)或證實(shí)其內(nèi)容的真實(shí)性,不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。其他媒體、網(wǎng)站或個(gè)人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時(shí),必須保留本網(wǎng)注明的作品出處,并自負(fù)版權(quán)等法律責(zé)任。
如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問題,請?jiān)谧髌钒l(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系,否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。
- MOSFET反向恢復(fù)特性對系統(tǒng)的影響2026/4/10 11:07:36
- 連接器耐腐蝕性能測試方法2026/4/10 10:56:32
- MOSFET在高頻開關(guān)中的EMI問題2026/4/9 10:13:50
- 連接器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)常見問題分析2026/4/9 10:02:52
- 連接器選型中容易忽略的關(guān)鍵參數(shù)2026/4/8 10:32:54
- 高速PCB信號完整性(SI)設(shè)計(jì)核心實(shí)操規(guī)范
- 鎖相環(huán)(PLL)中的環(huán)路濾波器:參數(shù)計(jì)算與穩(wěn)定性分析
- MOSFET反向恢復(fù)特性對系統(tǒng)的影響
- 電源IC在惡劣環(huán)境中的防護(hù)設(shè)計(jì)
- 連接器耐腐蝕性能測試方法
- PCB電磁兼容(EMC)設(shè)計(jì)與干擾抑制核心實(shí)操規(guī)范
- 用于相位噪聲測量的低通濾波器設(shè)計(jì)與本振凈化技術(shù)
- MOSFET在高頻開關(guān)中的EMI問題
- 電源IC在便攜式設(shè)備中的設(shè)計(jì)要點(diǎn)
- 連接器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)常見問題分析









