SAW,BAW,F(xiàn)BAR濾波器的原理
出處:電子產(chǎn)品世界 發(fā)布于:2017-07-05 12:22:20
很多通信系統(tǒng)發(fā)展到某種程度都會(huì)有小型化的趨勢。一方面小型化可以讓系統(tǒng)更加輕便和有效,另一方面,日益發(fā)展的IC**技術(shù)可以用更低的成本生產(chǎn)出大批量的小型產(chǎn)品。
MEMS(MicroElectromechanical System)是這種小型產(chǎn)品的相關(guān)技術(shù)之一。MEMS可以檢測環(huán)境的變化并通過微型電路產(chǎn)生相關(guān)反應(yīng)。MEMS的主要部分包括sensor(微傳感器)或actuator(微執(zhí)行器)和transducer(轉(zhuǎn)換裝置),其中sensor可以檢測某種物理,化學(xué)或生物的存在或強(qiáng)度,比如溫度,壓力,聲音或化學(xué)成分,transducer會(huì)把一種energy轉(zhuǎn)換成另外一種(比如從電信號到機(jī)械波)。
目前MEMS被廣泛的利用在多個(gè)領(lǐng)域里,如下圖。

這篇文章主要說說MEMS的幾種RF相關(guān)應(yīng)用產(chǎn)品,, FBAR filter,也是目前手機(jī)中常用的幾種filter。
,和FBAR中,A都代表著Acoustic。Acoustic w**e中文翻譯成聲波,聲波按頻率分成3段,audio, infrasonic(次聲波)和ultrasonic(超聲波)。
Audio的頻率為20Hz ~ 20KHz, 是人耳能聽見的范圍。
Infrasonic(次聲波)是低頻率,20Hz一下,人耳聽不到,可以用來研究地理現(xiàn)象(比如地震)。
Ultrasonic(超聲波)是20KHz到109KHz,也是人耳聽不到的范圍。
下面提到的聲波都是超聲波的范圍,首先我們看看 filter。
Surface Acoustic W**e(SAW) filter
顧名思義,SAW是一種沿著固體表面(surface)傳播的聲波(acoustic w**e)。
一個(gè)基本的SAW filter由壓電材料(piezoelectric substrate)和2個(gè)Interdigital Transducers(IDT)組成,如下圖。

IDT是由交叉排列的金屬電極組成,上圖中左邊的IDT把電信號(electrical signal)轉(zhuǎn)成聲波(acoustic w**e),右邊的IDT把接收到的聲波再轉(zhuǎn)成電信號。
電信號和聲波(屬于mechanical w**e)之間轉(zhuǎn)換也稱為electromechanical coupling。
那IDT是怎么把電信號轉(zhuǎn)成聲波呢?原因在于IDT下方的壓電材料。
壓電(piezoelectricity or piezoelectric effect)
Piezoelectricity這詞來源于希臘語piezein,表示施加壓力,1880年由兩位法國物理學(xué)家(Pierre,Paul-Jacques Curie)發(fā)現(xiàn)。壓電是指某些晶體(Crystal)受到外部壓力時(shí)會(huì)產(chǎn)生電壓,相反地,如果某些晶體兩面存在電壓,晶體形狀會(huì)輕微變形。
為什么會(huì)發(fā)生這種現(xiàn)象?
首先說晶體,科學(xué)意義上的晶體指其原子或分子在三維空間內(nèi)以非常有規(guī)律地排列,而且隔一段距離重復(fù)著unit cell(基本組成單元)的固體,比如食鹽和糖也是晶體。大部分晶體的unit cell原子排列是對稱的(with a center of symmetry),不管有沒有外部壓力,基本單元里的net electric dipole始終是零,而壓電晶體的原子排列是不對稱的(lacks a center of symmetry)。

壓電晶體原子排列雖然不對稱,但正電荷(positive charge)會(huì)和附近負(fù)電荷(negative charge)相互抵消(更確切是electric dipole moments相互抵消),所以整體的晶體不帶電。當(dāng)晶體受到壓力時(shí)外形會(huì)變化,一些原子間距離會(huì)變得更近或者更遠(yuǎn),打亂了原來保持的平衡,出現(xiàn)凈電荷(net electrical charge),晶體表面出現(xiàn)positive charge和negative charge。這種現(xiàn)象稱為壓電(piezoelectric effect)。

相反地,晶體兩端加電壓時(shí)原子受到“electrical pressure”,為了保持電荷的平衡,原子來回震動(dòng)使壓電晶體形狀輕微變形。這種現(xiàn)象稱為reverse-piezoelectric effect。
石英(quartz)是很常見的壓電材料,我們平時(shí)生活中使用的石英表也利用了石英的壓電特性。紐扣電池給手表里面的電路供電,電路會(huì)讓石英晶體的震蕩(震動(dòng))32768次/秒,再把震蕩轉(zhuǎn)成/秒的脈沖,脈沖再驅(qū)動(dòng)小型電機(jī)進(jìn)而轉(zhuǎn)動(dòng)齒輪(指針)。
SAW filter常用的壓電材料有LiTaO3,LiNbO3,SiO2等。其基本結(jié)構(gòu)中左邊IDT交叉排列的電極之間交流電壓產(chǎn)生壓電材料的mechanical stress并以SAW的形式沿著表面?zhèn)鞑?,而在垂直方向上SAW幅度快速衰落。右邊的IDT也是同樣結(jié)構(gòu),只是接收SAW,輸出電信號。中間部分的shielding會(huì)影響輸入和輸出之間的耦合(coupling),關(guān)系到通帶內(nèi)的幅度ripple和群時(shí)延(group delay)。
SAW filter也可以用ladder type(串并組合),如下圖。

SAW的頻率可以大致參考以下公式:F = V/λ
V是SAW的速率(velocity),大概3100m/s, λ是IDT電極之間間距。
從公式可以看出,頻率越高IDT電極之間間距越小,所以SAW filter不太適合大約2.5GHz以上的頻率。另外很小的間距(高頻率)下電流密度太大(高功率)會(huì)導(dǎo)致電遷移(electromigration)和發(fā)熱等問題,當(dāng)然,通過一些方法(IDT材料的改進(jìn)等)也可以彌補(bǔ)這些。
SAW filter對溫度變化也敏感,性能隨著溫度升高變差。TC(temperature compensated)-SAW filter就是為了改善溫度性能,IDT上增加了保護(hù)涂層。普通的SAW filter頻率溫度系數(shù)(TCF, temperature coefficient of frequency)大約-45ppm/oC左右,而TC-SAW大約-15到-25ppm/oC。增加的涂層使工藝變得復(fù)雜,成本也增加,不過相對 filter還是便宜一些。
版權(quán)與免責(zé)聲明
凡本網(wǎng)注明“出處:維庫電子市場網(wǎng)”的所有作品,版權(quán)均屬于維庫電子市場網(wǎng),轉(zhuǎn)載請必須注明維庫電子市場網(wǎng),http://www.hbjingang.com,違反者本網(wǎng)將追究相關(guān)法律責(zé)任。
本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其它出處的作品,目的在于傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)或證實(shí)其內(nèi)容的真實(shí)性,不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。其他媒體、網(wǎng)站或個(gè)人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時(shí),必須保留本網(wǎng)注明的作品出處,并自負(fù)版權(quán)等法律責(zé)任。
如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問題,請?jiān)谧髌钒l(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系,否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。
- 鎖相環(huán)(PLL)中的環(huán)路濾波器:參數(shù)計(jì)算與穩(wěn)定性分析2026/4/10 11:18:01
- 用于相位噪聲測量的低通濾波器設(shè)計(jì)與本振凈化技術(shù)2026/4/9 10:25:16
- 汽車電子EMC挑戰(zhàn):針對CAN/LIN總線的高魯棒性濾波設(shè)計(jì)2026/4/8 10:28:06
- 可重構(gòu)濾波器技術(shù):滿足多標(biāo)準(zhǔn)通信系統(tǒng)的靈活需求2026/4/1 10:51:35
- 從S參數(shù)到實(shí)際元件:微帶線濾波器的設(shè)計(jì)與仿真流程2026/3/31 15:10:48
- 高速PCB信號完整性(SI)設(shè)計(jì)核心實(shí)操規(guī)范
- 鎖相環(huán)(PLL)中的環(huán)路濾波器:參數(shù)計(jì)算與穩(wěn)定性分析
- MOSFET反向恢復(fù)特性對系統(tǒng)的影響
- 電源IC在惡劣環(huán)境中的防護(hù)設(shè)計(jì)
- 連接器耐腐蝕性能測試方法
- PCB電磁兼容(EMC)設(shè)計(jì)與干擾抑制核心實(shí)操規(guī)范
- 用于相位噪聲測量的低通濾波器設(shè)計(jì)與本振凈化技術(shù)
- MOSFET在高頻開關(guān)中的EMI問題
- 電源IC在便攜式設(shè)備中的設(shè)計(jì)要點(diǎn)
- 連接器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)常見問題分析









