ITO跟有什么關系？

ITO是一種透明的電極材料，具有高的導電率、高的可見光透過率、高的機械硬度和良好的化學穩(wěn)定性。目前ITO膜主要是為了提高LED的出光效率。

Burstein－Moss效應是什么？

Burstein－Moss效應：當半導體重摻雜時，費米能級進入導帶，本征光吸收邊向高能方向移動的現(xiàn)象。

在普通摻雜的半導體中，費米能級位于導帶與價帶之間。當n型摻雜濃度上升時，由于電子在導帶中集聚，費米能級會慢慢被推到導帶之中（可以簡單的理解成冰塊（費米能級）被增加的水（電子）推到高位）。

什么是前軀體（precursor）？

前軀體指的是用來合成、制備其他物質的經(jīng)過特殊處理的配合材料。

日前中山大學的研究人員發(fā)明了一種采用金屬有機氣相沉積（MOCVD）制備LED結構中氧化銦錫膜（ITO）的工藝，這種方法可以有效的增強UV LED的透明導電特性。

通常UV LED按照波長分為UVA UVB UVC三種類型。目前主要用于水純凈化、生物滅菌消毒、醫(yī)用診療、紫外治療等領域。

盡管ITO 在可視光譜區(qū)域里是一種透明導電層材料，但是對于紫外區(qū)域，ITO的透明特性就會逐漸降低。

因此，中山大學團隊設法使用MOCVD技術將光學禁帶的寬度拓寬到4．7eV。該禁帶所激發(fā)出的光子波長正好在紫外區(qū)域內（364nm）。

通常UV LED按照波長分為UVA UVB UVC三種類型。目前主要用于水純凈化、生物滅菌消毒、醫(yī)用診療、紫外治療等領域。

圖1  90nm MOCVD工藝ITO膜的光電特性

（a）錫流速（Sn flow rate）對于電子密度和遷移率的影響

（b）MOCVD工藝ITO膜中的UV可見光透過率與不同的錫流速。

（c）不同工藝下的ITO光學禁帶對比

中山大學團隊首先在藍寶石表面使用MOCVD技術（生長環(huán)境溫度為500°C左右）生長90nm ITO膜，前軀體為三甲基銦（trimethyl indium）、四甲基錫（tetrakis－dimethylamino tin）、以及氧氬混合氣體。終所得的材料表面附有類金字塔形狀（100）和三角形形狀（111）的顆粒。

經(jīng)過多次研究實驗，研究人員發(fā)現(xiàn)前軀體的添加速度控制在每分鐘350立方厘米會達到的自由電子密度（2．15x1021／cm3）。同時，光學禁帶寬度會達到4．70eV。通常氧化銦（In2O3無前軀體）的電子密度僅僅為1．47x1019／cm3，禁帶寬度為3．72eV。

這種禁帶寬度的不同主要來自Burstein－Moss效應的影響，此時部分自由電子集聚于低位導帶（conduction band）中，因此需要更多的光子能量將電子從價帶（valence band）中激發(fā)出來。研究人員表示使用該方法將禁帶寬度拓寬了0．98eV，這種接近1eV的提升是及其少見的。

同時，研究人員還認為MOCVD工藝能夠改良晶格畸變問題（Lattice distortion），晶格畸變是造成ITO窄禁帶寬度的一種原因。

圖2 LED的外延結構

通常，相比起MOCVD工藝，磁控濺射工藝也可以制作120nm的透光導電層。這種工藝采用氧化錫（SnO2）與氧化銦（In2O3 ）混合物，其成分比例控制在1：9。磁控濺射的材料需要在550°C進行退火處理，并放置于氮氣環(huán)境中5分鐘。

通過分析光譜，此時UV LED的峰值波長為368nm（圖3a）。在這種波長下，磁控濺射工藝ITO膜的透過率為86％，MOCVD工藝ITO膜的透過率為95％。 然而磁控濺射工藝ITO膜的電阻率小于使用MOCVD工藝的ITO膜， 磁控濺射工藝的接觸電阻更大。

圖3 120nm MOCVD ITO膜和磁控濺射ITO膜的光電特性

（a）藍寶石襯底上120nm MOCVD ITO膜和磁控濺射ITO膜的傳導率，以及采用MOCVD ITO膜的LED發(fā)光光譜

（b）采用兩種工藝ITO膜的LED電流電壓特性曲線

（c）輸出功率與電流的特性曲線

MOCVD工藝的ITO膜能夠分別在350mA和600mA的電流條件下，增加輸出功率11．4％和14．8％（圖3c）。經(jīng)過多個樣品測試，在350mA的工作電流下，平均工作電壓為3．45V。采用了以上兩種工藝ITO膜的LED電流電壓曲線幾乎完全相同（圖3b）。

Chen， Z．， Zhuo， Y．， Tu， W．， Ma， X．， Pei， Y．， Wang， C．， ＆ Wang， G． （2017）． Highly ultraviolet transparent textured indium tin oxide thin films and the application in light emitting diodes． Applied Physics Letters， 110（24）， 242101． https：／／doi．org／10．1063／1．4986452