東芝推出集成64層3D閃存的NVMeTM SSD
出處:EEWORLD 發(fā)布于:2017-06-20 14:22:17
采用薄型單面規(guī)格、容量高達1024GB[1]的XG5系列客戶級SSD

東京—東芝存儲公司(以下簡稱為東芝)今日宣布推出XG5系列,這是一款集成64層3D閃存,采用單面規(guī)格設(shè)計,用戶容量可達1024GB的全新NVM ExprESSTM(NVMeTM)SSD陣容。東芝于今日起針對OEM客戶進行小規(guī)模樣品出貨,并將于今年第三季度(7-9月)開始逐步增大出貨規(guī)模。
此款全新SSD系列搭載了東芝的64層3bit-per-cell TLC(1個儲存單元可存放3比特的數(shù)據(jù))BiCS FLASHTM存儲器,利用PCI EXPRESS?(PCIe?)Gen3 x 4通道以及SLC緩存的特性,能提供3000MB/s的順序讀取[2]和2100MB/s順序?qū)懭隱2]的傳輸性能。而且,對比東芝現(xiàn)有產(chǎn)品[3],此款SSD系列具有更高電力效率(單位功耗的讀寫性能),待機模式時的功耗降低了50%以上,實現(xiàn)了3mW [4]以下的待機功耗。
此款SSD提供三種容量:256GB、512GB和1024GB。全部采用M.2 2280[5]單面規(guī)格。十分適用于重視性能的超級移動電腦等一系列領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用。
XG5系列SSD將于2017年5月30日至6月3日在臺灣臺北市舉行的“臺北國際電腦展”進行展出。
東芝將運用先進的閃存技術(shù)繼續(xù)增強其SSD以滿足多樣化的。
*PCIe?和PCI EXPRESS?是PCI-SIG的注冊商標。
*NVMe和NVM Express是NVM Express公司的商標。
*本文提及的所有其它公司的名稱、產(chǎn)品名稱和服務(wù)名稱可能是其各自公司的商標。
[1] 容量定義:東芝定義1千兆字節(jié)(GB)為1,000,000,000字節(jié)。而計算機使用2的冪數(shù)來標示存儲容量,其定義1GB=230字節(jié)=1,073,741,824字節(jié),因此會顯示較少的存儲容量。根據(jù)不同的文件大小、格式、設(shè)置、軟件和操作系統(tǒng),可用存儲容量(包括各種媒體文件示例)將存在差異,如微軟操作系統(tǒng)和/或應(yīng)用程序或媒介內(nèi)容。實際的格式化容量可能存在差異。
[2] 該性能是根據(jù)東芝測試標準,使用128KiB單元順序訪問測得的XG5 1024GB型號產(chǎn)品的順序讀取和順序?qū)懭胄阅?。根?jù)不同的測試環(huán)境,讀寫條件以及負載,其性能存在差異。東芝定義1兆字節(jié)(MB)為1,000,000字節(jié),1千位二進字節(jié)(KiB)為210字節(jié)或1,024字節(jié)。
[3] XG3系列
[4] 該性能是根據(jù)東芝測試標準,在非工作電源狀態(tài)中鏈路狀態(tài)L1.2的條件下測得的功耗性能。
[5] M.2 2280-S2
版權(quán)與免責(zé)聲明
凡本網(wǎng)注明“出處:維庫電子市場網(wǎng)”的所有作品,版權(quán)均屬于維庫電子市場網(wǎng),轉(zhuǎn)載請必須注明維庫電子市場網(wǎng),http://www.hbjingang.com,違反者本網(wǎng)將追究相關(guān)法律責(zé)任。
本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其它出處的作品,目的在于傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)贊同其觀點或證實其內(nèi)容的真實性,不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。其他媒體、網(wǎng)站或個人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時,必須保留本網(wǎng)注明的作品出處,并自負版權(quán)等法律責(zé)任。
如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問題,請在作品發(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系,否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。
- 主流存儲技術(shù)核心特性與場景化應(yīng)用概述2026/1/13 11:12:42
- 主流存儲技術(shù)特性與場景化選型指南2026/1/7 10:07:41
- MES系統(tǒng)現(xiàn)場部署與數(shù)據(jù)對接實操指南2025/12/29 11:09:41
- eMMC 屬于閃存還是內(nèi)存?從定義到應(yīng)用講透核心區(qū)別2025/9/15 15:24:16
- ddr4和ddr5內(nèi)存接口一樣嗎?全景解析2025/9/8 17:22:03
- 高速PCB信號完整性(SI)設(shè)計核心實操規(guī)范
- 鎖相環(huán)(PLL)中的環(huán)路濾波器:參數(shù)計算與穩(wěn)定性分析
- MOSFET反向恢復(fù)特性對系統(tǒng)的影響
- 電源IC在惡劣環(huán)境中的防護設(shè)計
- 連接器耐腐蝕性能測試方法
- PCB電磁兼容(EMC)設(shè)計與干擾抑制核心實操規(guī)范
- 用于相位噪聲測量的低通濾波器設(shè)計與本振凈化技術(shù)
- MOSFET在高頻開關(guān)中的EMI問題
- 電源IC在便攜式設(shè)備中的設(shè)計要點
- 連接器結(jié)構(gòu)設(shè)計常見問題分析









