開關(guān)損耗
　　MOS
　　開關(guān)損耗的組成
　　開關(guān)功耗 PS

　　對(duì)感性負(fù)載

　　通態(tài)功耗 PON

　　斷態(tài)損耗 POFF        一般忽略
　　驅(qū)動(dòng)損耗 PGATE 根據(jù)不同器件確定
　　吸收回路的損耗 根據(jù)具體的吸收回路及其參數(shù)而定
　　MOSFET 、IGBT等壓控器件的驅(qū)動(dòng) 損耗要小于電流型驅(qū)動(dòng)器件
　　二極管
　　二極管的損耗在高頻下是重要的損耗

一般二級(jí)管: trr為1-10微秒,可用于低頻整流;
　　快恢二極管：trr小于1個(gè)微秒;
　　超快恢二級(jí)管trr小于100納秒（外延法制造）。
　　肖特基二級(jí)管trr在10納秒左右
　　二極管的關(guān)斷過程

　　吸收回路

　　RCD snubber

舉例：已知變換器Vce = 200V, tf = 0.2μs , tr = 0.05μs , 工作頻率100kHz ，晶體管集電極電流Ic=2A, 求變換器的開關(guān)晶體管緩沖器的有關(guān)參數(shù).

　　RCD snubber的等效接法

　　復(fù)合snubber電路
　　同時(shí)進(jìn)行電壓緩沖和電流緩沖，主要是減小器件開通時(shí)的di/dt和關(guān)斷時(shí)的dv/dt，使導(dǎo)通和關(guān)斷過程的損耗均有所降低。

　　無損snubber電路