一.晶體管主要參數(shù)
    晶體管主要參數(shù)我們在課本上都學(xué)習(xí)過，這里不多說。只是提醒幾個容易忽略的問題。
    1.發(fā)射結(jié)反向電壓，
    這是晶體管的一個極限參數(shù)，也就是說如果這個參數(shù)超額使用晶體管很容易損壞。在datasheet中這個參數(shù)用V(BR)EB。這個參數(shù)的是指，當(dāng)集電極開路時，發(fā)射極-基極的反向擊穿電壓。在正常工作狀態(tài)時，發(fā)射結(jié)是正偏的或截止的，不存在問題。然而在某些場合，例如工作開關(guān)狀態(tài)時，由于寄生參數(shù)的影響，發(fā)射結(jié)上有可能出現(xiàn)較大的反向電壓擊穿晶體管。所以在設(shè)計電路時需要小心考慮這個參數(shù)。
    2.集電極允許電流
    這是晶體管另外一個極限參數(shù)，顧名思義，指晶體管集電極允許流過的電流。但這個參數(shù)一般只具有參考意義，并Ic小于Icm晶體管就一定可以正常工作，Ic大于Icm晶體管也不一定燒毀。當(dāng)Ic過大時，電流放大系數(shù)會下降，當(dāng) 下降到一定值時的Ic值即為Icm，所以當(dāng)工作電流大于Icm時，BJT不一定會燒壞。另外，Ic還受制于晶體管的允許功率(Pcm)，晶體管上損耗的功率不只跟工作電流Ic有關(guān)，還有晶體管的兩個PN結(jié)壓降有關(guān)，所以，晶體管工作電流Ic小于Icm時，也有可能會出現(xiàn)晶體管功率已經(jīng)達到Pcm，晶體管可能會被燒毀。
    3.電流放大系數(shù)
    晶體管有兩個電流放大系數(shù)，即交流放大系數(shù)和直流放大系數(shù)，顯然兩個含義不同(具體請查閱教材)，但是在一般情況下兩者相差不大，可認(rèn)為相等。BJT的datasheet中一般只給出直流放大系數(shù)。
    二. 晶體管開關(guān)電路
    由于教材里面更多的介紹晶體管放大電路，晶體管開關(guān)電路相關(guān)內(nèi)容較少，以至于很多同學(xué)在接觸到晶體管開關(guān)電路時，無所適從。
    下面介紹了從共射極放大電路到晶體管開關(guān)電路的演變過程。
    (a)為一般的共射級放大電路，為了獲得直流增益，去掉輸入輸出耦全電容，得到(b)。進一步為了提高放大倍數(shù)，去掉發(fā)射極電阻Re,變?yōu)?c)。這樣一來，也就沒有必要加基極偏置電壓，當(dāng)輸入信號為0V時，晶體管截止，所以集電極也沒有必要流過無用空載電流，因此去掉偏置用電阻R1構(gòu)成(d)。為確保沒有輸入信號時，晶體管可靠截止，需要保留電阻R2。但是如果(d)中電路輸入信號超過0.7V時，晶體管基極-發(fā)射極間的二極管將導(dǎo)通，需要增加一個限流電阻R3，即構(gòu)成典型的晶體管開關(guān)電路(e)。
    需要注意的是，在晶體管開關(guān)電路中，要保證晶體管工作在飽和狀態(tài)和截止?fàn)顟B(tài)兩種工作狀態(tài)，設(shè)計依據(jù)為Ib*hfe>=Ic。前面提到過，由于晶體管制造工藝的問題，晶體管的直流放大系數(shù)hfe一般是一個范圍，而非確定的數(shù)值，所以在進行電路設(shè)計時需要以直流放大系數(shù)的值進行設(shè)計并留有一定裕量。