1. Brown-Out Reset

    掉電復(fù)位,或電源電壓跌落復(fù)位, 當(dāng)輸入電壓VCC跌到某一門芯片復(fù)位

    The MCU is reset when the supply voltage VCC is below the Brown-Out Reset threshold voltage

    and the Brown-out Detector is enabled. The Brown-out threshold voltage is programmable.

    2. Totem-pole

    推拉輸出電路

    3. IAR調(diào)試出現(xiàn)The stack plug-in failed to set a breakpoint on "main". The Stack window will not be able to display stack contents. (You can change this setting in the Tool>Options dialog box.)的警告,程序能燒進去，但不能調(diào)試。

    需要進行如下配置:

    iar->options->linker->output->format;

    選擇 Debug information for c-SPY選項

    4. newlib

    newlib是一個用于嵌入式系統(tǒng)的開放源代碼的C語言程序庫，由libc和libm兩個庫組成，特點是輕量級，速度快，可移植到很多CPU結(jié)構(gòu)上。newlib實現(xiàn)了許多復(fù)雜的功能，包括字符串支持，浮點運算，內(nèi)存分配(如malloc)和I/O流函數(shù)(printf，fprinf()等等)。其中l(wèi)ibc提供了c 語言庫的實現(xiàn)，而libm提供了浮點運算支持。

    5. Open-drain

    open-drain是漏極開路輸出的意思，相當(dāng)于集電極開路(open-collector)輸出，即ttl中的集電極開路(oc)輸出。

    一般用于線或、線與，也有的用于電流驅(qū)動。

    open-drain是對mos管而言，open-collector是對雙極型管而言，在用法上沒啥區(qū)別。

    開漏形式的電路有以下幾個特點：

    (1). 利用外部電路的驅(qū)動能力，減少IC內(nèi)部的驅(qū)動。 或驅(qū)動比芯片電源電壓高的負(fù)載.

    (2).可以將多個開漏輸出的Pin，連接到一條線上。通過一只上拉電阻，在不增加任何器件的情況下，形成“與邏輯”關(guān)系。這也是I2C，SMBus等總線判斷總線占用狀態(tài)的原理。如果作為圖騰輸出必須接上拉電阻。接容性負(fù)載時，下降延是芯片內(nèi)的晶體管，是有源驅(qū)動，速度較快;上升延是無源的外接電阻，速度慢。如果要求速度高電阻選擇要小，功耗會大。所以負(fù)載電阻的選擇要兼顧功耗和速度。

    (3). 可以利用改變上拉電源的電壓，改變傳輸電平。例如加上上拉電阻就可以提供TTL/CMOS電平輸出等。

    (4). 開漏Pin不連接外部的上拉電阻，則只能輸出低電平。一般來說，開漏是用來連接不同電平的器件，匹配電平用的。

    6.C語言中將地址轉(zhuǎn)換為函數(shù)指針以及跳轉(zhuǎn)到內(nèi)存指定位置處執(zhí)行的技巧

    要對地址0x100000賦值，我們可以用

    * (unsigned int * ) 0x100000 = 1234;

    那么要是想讓程序跳轉(zhuǎn)到地址是0x100000去執(zhí)行，應(yīng)該怎么做?

    *((void (*)( ))0x100000 ) ( );

    首先要將0x100000強制轉(zhuǎn)換成函數(shù)指針,即:

    (void (*)())0x100000

    然后再調(diào)用它:

    *((void (*)())0x100000)();

    用typedef可以看得更直觀些:

    typedef void(*)() voidFuncPtr;

    *((voidFuncPtr)0x100000)();

    又如

    如果用 C 語言，可以像下列示例代碼這樣來調(diào)用內(nèi)核：

    void (*theKernel)(int zero, int arch, u32 params_addr)

    = (void (*)(int, int, u32))KERNEL_RAM_BASE;

    ……

    theKernel(0, ARCH_NUMBER, (u32) kernel_params_start);

    KERNEL_RAM_BASE 是內(nèi)核在系統(tǒng)內(nèi)存中的條指令的地址。

    7. On Die Termination

    ODT(On-die Termination，片內(nèi)終結(jié)器)是內(nèi)建的終結(jié)電阻器。

    使用DDR SDRAM的主板上面為了防止數(shù)據(jù)線終端反射信號需要大量的終結(jié)電阻，它大大增加了主板的制造成本。實際上，不同的內(nèi)存模組對終結(jié)電路的要求是不一樣的，終結(jié)電阻的大小決定了數(shù)據(jù)線的信號比和反射率。因此主板上的終結(jié)電阻并不能非常好地匹配內(nèi)存模組，還會在一定程度上影響信號品質(zhì)。DDRII內(nèi)建了終結(jié)電阻器，為DDRII帶來了兩個好處，一個是去掉了主板上的終結(jié)電阻器使主板的成本降低，也使PCB板的設(shè)計更加容易。第二個好處是終結(jié)電阻器可以和內(nèi)存顆粒的"特性"相符，使DRAM處于狀態(tài)。