電容系數(shù)會(huì)影響到哪些地方?
出處:電子技術(shù)設(shè)計(jì) 發(fā)布于:2014-09-25 09:31:54
為任何電路選擇電容器時(shí)都需要注意失真問(wèn)題。如果電容器在信號(hào)路徑中,就會(huì)出現(xiàn)這類(lèi)失真。圖1是2個(gè)在信號(hào)路徑中包含電容器的典型電路。
圖1a是 Sallen-Key 帶通濾波器的級(jí)。在該電路中,兩個(gè)重要電容器出現(xiàn)在通過(guò)濾波器的信號(hào)路徑中。圖1b 是一個(gè)使用R/C 對(duì)驅(qū)動(dòng)SAR-ADC 的放大器。電容器CF 在輸入信號(hào)到達(dá)ADC 之前完全接觸到了該輸入信號(hào)。

圖1. 六階帶通濾波器的級(jí) (a) 以及使用 R/C 對(duì)驅(qū)動(dòng) ADC 的放大器 (b)。
該失真出現(xiàn)的原因是標(biāo)準(zhǔn)電容器的電壓與特性相關(guān)。換句話(huà)說(shuō),電容隨所應(yīng)用的電壓及頻率而變化。
下面是描述在一段電壓曲線(xiàn)上電容變化的等式:
C = C0 (1 + bVCAP)
其中,C0 是標(biāo)稱(chēng)電容;VCAP 是整個(gè)電容的電壓;b 是電容器的電壓系數(shù)。
圖2 是整個(gè)電容器相關(guān)該效應(yīng)的典型曲線(xiàn)。

圖2. 電容器電壓系數(shù)
電容器輸入或輸出電荷通過(guò)相鄰阻抗,可產(chǎn)生一個(gè)壓降錯(cuò)誤。由于電容器的充電電流與電壓相關(guān),因此會(huì)產(chǎn)生一個(gè)非線(xiàn)性錯(cuò)誤。對(duì)于正弦波來(lái)說(shuō),該錯(cuò)誤包含諧波。
電容器電壓系數(shù)特性可能在半導(dǎo)體工藝技術(shù)中更為明顯。由于ADC 輸入端(圖1b)有一個(gè)內(nèi)部輸入R/C,因此這種失真現(xiàn)象也會(huì)發(fā)生在轉(zhuǎn)換器的輸入端。
此外,整個(gè)電容器的輸入信號(hào)頻率也會(huì)影響轉(zhuǎn)換度。電容值會(huì)引起失真,失真會(huì)隨頻率改變。

圖3. 電容器 THD+N 與頻率的比較
該圖是幾項(xiàng)電容器技術(shù)特性及其總諧波失真 + 噪聲(SINAD)與頻率性能的比較。圖中下的曲線(xiàn)是使用C08 電容器獲得的。C0G 電容器數(shù)據(jù)上面的曲線(xiàn)是系統(tǒng)測(cè)量值。圖中的其它曲線(xiàn)來(lái)自具有不同電介質(zhì)(Z5U、Y5V 和 X7R)的陶瓷電容器。請(qǐng)注意,這些類(lèi)型的電容器會(huì)隨頻率變化產(chǎn)生明顯的非線(xiàn)性及信號(hào)失真。
圖中沒(méi)有顯示 NPO 類(lèi)陶瓷電容器。NPO 類(lèi)電容器與C0G 性能非常匹配。關(guān)鍵是要為C1 和C2 (圖1a)以及CF(圖 1b) 選擇正確的電容器類(lèi)型。你會(huì)發(fā)現(xiàn)較高質(zhì)量的外部電容器(CF)不會(huì)降低ADC 的AC 性能標(biāo)準(zhǔn)。較小內(nèi)部ADC 電容器(CSH)的較大電壓系數(shù)比不上較大外部電容器的較低電壓系數(shù)。
信號(hào)失真的形式有很多種,但如果遇到此類(lèi)問(wèn)題,電路信號(hào)路徑中的電容器可能是才考慮的問(wèn)題。
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