小型IC的理想保護選擇:Littelfuse新款瞬態(tài)抑制二極管陣列
出處:國際電子商情 發(fā)布于:2014-07-23 08:23:19
導讀:Littelfuse公司日前宣布推出SPHV(單向)和SPHV-C(雙向)系列200W分立瞬態(tài)抑制二極管陣列(SPA二極管);相比早期技術(shù),這兩個產(chǎn)品系列能夠更好地保護敏感設(shè)備免遭靜電放電(ESD)和其它過壓瞬變造成的損壞。
SPHV和SPHV-C系列可安全吸收超出IEC61000-4-2國際標準中值的反復(fù)性ESD震擊,而不會引起性能下降,并能以非常低的箝位電壓耗散高達8A的感應(yīng)浪涌電流。 由于采用SOD882封裝,非常適合替代汽車電子產(chǎn)品、LED照明模塊、便攜式儀表、通用I/O、移動和手持設(shè)備、CAN和LIN總線、RS 232/RS 485以及其他各種低速I/O等應(yīng)用中的0402規(guī)格多層壓敏電阻(MLV)。對于那些需要在印刷電路板上不能使用陣列的地方設(shè)置ESD和浪涌保護器件的設(shè)計人員而言,這兩個產(chǎn)品系列也是理想的解決方案。

Littelfuse SPHV & SPHV-C系列高清圖片
瞬態(tài)抑制二極管陣列產(chǎn)品系列總監(jiān)Chad Marak表示:“由于采用替代材質(zhì)的設(shè)備具有內(nèi)在的磨損缺陷,而SPHV和SPHV-C系列瞬態(tài)抑制二極管陣列采用硅二極管制成,因此可提供高出2-3倍的ESD保護能力。 這有利于在每日易遭受ESD威脅并且設(shè)備在整個工作壽命期間需要經(jīng)受數(shù)百乃至數(shù)千次ESD震擊的環(huán)境中部署更加卓越的產(chǎn)品。由于其動態(tài)電阻很低,因此相比采用同類技術(shù)的器件可將箝位電壓降低高達60%,成為保護采用小型IC的現(xiàn)代電子產(chǎn)品的理想選擇?!?/FONT>
SPA SPHV和SPHV-C系列瞬態(tài)抑制二極管陣列具有下列突出優(yōu)勢:
可在高達±30kV(接觸放電)的條件下提供ESD保護,并在高達8A(tP=8/20μs)的條件下提供浪涌保護,幫助設(shè)備制造商達到并超過行業(yè)標準的要求,并延長設(shè)備壽命和系統(tǒng)正常運行時間。
動態(tài)電阻很低,相比采用同類技術(shù)的器件可將箝位電壓降低高達60%,成為保護采用 小型IC的現(xiàn)代電子產(chǎn)品的理想選擇。
相比具有內(nèi)在磨損缺陷的早期技術(shù),其采用硅二極管制成,能夠處理多次(>1000)ESD震擊或瞬態(tài)浪涌,同時不會對性能造成不利影響。
AEC-Q101產(chǎn)品,可用于汽車電子產(chǎn)品中,確保提供的可靠性。
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