導(dǎo)讀：安捷倫科技公司日前宣布為旗下業(yè)界的器件建模和表征軟件2014版推出了幾項(xiàng)創(chuàng)新功能。這一套件包括安捷倫EEsof EDA的集成電路表征和分析程序（IC-CAP）、模型構(gòu)建程序（MBP）和模型質(zhì)量保證程序（MQA）。

　　先進(jìn)建模能力

　　的軟件版本具有三大先進(jìn)器件建模套件，適用于安捷倫DynaFET、BSIM6和BSIM-CMG模型建模。BSIM6是行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的體硅MOSFET模型，相比之前的BSIM4模型，其在模擬/射頻應(yīng)用方面有顯著改進(jìn)；BSIM-CMG是針對sub 20nm（20nm以下）三維FinFET技術(shù)的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)模型。2014版本中的BSIM6和 BSIM-CMG建模解決方案有助于半導(dǎo)體從業(yè)者了解和使用這些技術(shù)。

　　DynaFET建模套件基于內(nèi)部開發(fā)的技術(shù)，是安捷倫GaN HEMT表征、建模和仿真解決方案的重要組成部分。GaN HEMT建模套件基于圖形用戶界面（GUI），提供DynaFET模型生成解決方案。時(shí)域DynaFET模型采用人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)獲取電荷和電流公式，并考慮了俘獲/釋放（trapping/de-trapping）和自熱效應(yīng)，能夠地同步擬合直流、線性和大信號測量數(shù)據(jù)。因此，DynaFET模型能夠使用單個(gè)模型文件完成不同偏置條件下的不同應(yīng)用設(shè)計(jì)，并可確保的仿真結(jié)果。

　　安捷倫器件建模策劃部經(jīng)理 Brian Chen 表示：“在過去幾年里，安捷倫依托內(nèi)部開發(fā)和收購重要技術(shù)雙重舉措，穩(wěn)步擴(kuò)展了器件建模平臺。這不僅標(biāo)志著我們?nèi)捉鉀Q方案的首發(fā)成功，也意味著我們的未來愿景取得了重大進(jìn)步--成為提供從端對端、測量到建模全方位解決方案的卓越供應(yīng)商。”

　　其他增強(qiáng)特性

　　2014版器件建模和表征軟件還具有許多新增特性，能夠顯著提高器件表征、模型生成和模型驗(yàn)證等端對端流程的工作效率。這些增強(qiáng)特性包括：

　　●新增編程編輯器；

　　●使用仿真器加快仿真速度；

　　●擴(kuò)展的失配模型和統(tǒng)計(jì)模型解決方案；

　　●改進(jìn)的、靈活的用戶界面，用于創(chuàng)建、管理、監(jiān)測和調(diào)試測量測試計(jì)劃。