推出60V NMOS--DMN6070SFCL

出處：電子工程專輯發(fā)布于：2014-06-27 09:41:49

導(dǎo)讀：Diodes公司（Diodes Incorporated）推出導(dǎo)通電阻小于100mΩ的60V NMOS--DMN6070SFCL.

　　新器件的占位面積為1.6mm x 1.6mm,高度則是一般的0.5mm,并采用了DFN1616封裝，有助于在手機(jī)、超薄液晶電視及掌上游戲機(jī)等受空間限制的產(chǎn)品內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高的功率密度。

　　全新MOSFET的導(dǎo)通電阻在VGS達(dá)到4V時(shí)低至74 mΩ，可盡量減少導(dǎo)通損耗及提高整體功率效率。DMN6070SFCL支持2A的連續(xù)電流以及10A的脈沖電流，有效應(yīng)付直流-直流轉(zhuǎn)換尖峰。

　　這款微型MOSFET是Diodes 60V N-和P-通道器件系列之一，旨在滿足負(fù)載開關(guān)、直流-直流轉(zhuǎn)換及信號(hào)開關(guān)占空比的要求。該系列還提供SO8、SOT23、SOT223和TO252四款較大的封裝選擇，適合消費(fèi)性電子產(chǎn)品、工業(yè)控制及采暖、通風(fēng)與空調(diào)設(shè)備等多種應(yīng)用。

關(guān)鍵詞：全球推出最小60V NMOS--DMN6070SFCLDiodes 功率MOSFET DMN6070SFCL

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