安森美推出獲ONC18 180納米工藝技術(shù)的電路模塊
出處:電子工程專輯 發(fā)布于:2014-05-09 09:33:10
導(dǎo)讀:推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)宣布推出專有ONC18 180納米(nm)工藝技術(shù)上的經(jīng)過(guò)的新的知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)。
經(jīng)過(guò)的這些新款電路模塊將幫助安森美半導(dǎo)體的晶圓代工廠(GDS2)接口客戶把需要硅片重制(re-spin)的風(fēng)險(xiǎn)降至,因而幫助降低新設(shè)計(jì)的開(kāi)發(fā)成本及縮短上市周期。
安森美半導(dǎo)體軍事/航空、數(shù)字、定制晶圓代工、集成無(wú)源器件(IPD)及圖像傳感器產(chǎn)品分部副總裁Vince Hopkin說(shuō):“把我們的半導(dǎo)體工藝上的混合信號(hào)IP通過(guò),是我們策略的一個(gè)關(guān)鍵,以幫助多種多樣行業(yè)市場(chǎng)及終端應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員縮短他們新產(chǎn)品的上市周期及降低開(kāi)發(fā)成本。使用通過(guò)的IP能減輕高昂的重新設(shè)計(jì)需要。有時(shí)候設(shè)計(jì)人員需要重新設(shè)計(jì)來(lái)解決開(kāi)發(fā)階段未預(yù)料到的電路模塊性能問(wèn)題或特性,因而可能嚴(yán)重地延遲產(chǎn)品的上市。”
安森美半導(dǎo)體的定制晶圓代工業(yè)務(wù)部持續(xù)提供新的IP模塊;這些IP模塊通過(guò)Micro Oscillator Inc.、Senseeker Engineering Inc.及Silicon Storage Technology, Inc.等外部供應(yīng)商開(kāi)發(fā)的專有工藝的。近通過(guò)的10個(gè)新的IP模塊提供的功能涵蓋從小間距列并行模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)及低溫兼容型低壓差分信令(LVDS)驅(qū)動(dòng)器到超低功率振蕩器及極小占位面積性可編程(OTP)存儲(chǔ)器等。
這些IP模塊適用及有利于廣泛的客戶終端市場(chǎng),包括軍事/航空、醫(yī)療、消費(fèi)、計(jì)算機(jī)、通信及汽車。這些經(jīng)過(guò)的IP除了配合這些終端市場(chǎng)ASIC設(shè)計(jì)人員的工作,還將幫助設(shè)計(jì)公司降低成本,及給他們的終端客戶報(bào)價(jià)時(shí)提供更準(zhǔn)確的計(jì)劃表。
版權(quán)與免責(zé)聲明
凡本網(wǎng)注明“出處:維庫(kù)電子市場(chǎng)網(wǎng)”的所有作品,版權(quán)均屬于維庫(kù)電子市場(chǎng)網(wǎng),轉(zhuǎn)載請(qǐng)必須注明維庫(kù)電子市場(chǎng)網(wǎng),http://www.hbjingang.com,違反者本網(wǎng)將追究相關(guān)法律責(zé)任。
本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其它出處的作品,目的在于傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)或證實(shí)其內(nèi)容的真實(shí)性,不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。其他媒體、網(wǎng)站或個(gè)人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時(shí),必須保留本網(wǎng)注明的作品出處,并自負(fù)版權(quán)等法律責(zé)任。
如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問(wèn)題,請(qǐng)?jiān)谧髌钒l(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系,否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。
- 什么是氫氧燃料電池,氫氧燃料電池的知識(shí)介紹2025/8/29 16:58:56
- SQL核心知識(shí)點(diǎn)總結(jié)2025/8/11 16:51:36
- 等電位端子箱是什么_等電位端子箱的作用2025/8/1 11:36:41
- 基于PID控制和重復(fù)控制的復(fù)合控制策略2025/7/29 16:58:24
- 什么是樹(shù)莓派?一文快速了解樹(shù)莓派基礎(chǔ)知識(shí)2025/6/18 16:30:52
- PCB焊盤與過(guò)孔設(shè)計(jì)核心實(shí)操規(guī)范(含可焊性與可靠性保障)
- 汽車電子常用電子元器件選型指南
- MOSFET驅(qū)動(dòng)與隔離方案設(shè)計(jì)
- 高溫環(huán)境下電源IC選型建議
- 安防監(jiān)控設(shè)備連接器應(yīng)用分析
- 高速PCB信號(hào)完整性(SI)設(shè)計(jì)核心實(shí)操規(guī)范
- 鎖相環(huán)(PLL)中的環(huán)路濾波器:參數(shù)計(jì)算與穩(wěn)定性分析
- MOSFET反向恢復(fù)特性對(duì)系統(tǒng)的影響
- 電源IC在惡劣環(huán)境中的防護(hù)設(shè)計(jì)
- 連接器耐腐蝕性能測(cè)試方法









