導(dǎo)讀：近日，推出采用超小尺寸的熱增強PowerPAK SC-70封裝的新款雙片N溝道TrenchFET功率MOSFET.

　　Vishay再度推出新款TrenchFET功率MOSFET,Vishay Siliconix SiA936EDJ可在便攜式電子產(chǎn)品中節(jié)省空間并提高電源效率，在4.5V和2.5V柵極驅(qū)動下具有20 V（12V VGS和8V VGS）器件中的導(dǎo)通電阻，占位面積為2mm x 2mm.

　　發(fā)布的器件適用于負(fù)載和充電器開關(guān)、DC/DC轉(zhuǎn)換器，以及智能手機、平板電腦、移動計算設(shè)備、非植入便攜式醫(yī)療產(chǎn)品、帶有小型無刷直流電機的手持式消費電子產(chǎn)品中電源管理應(yīng)用的H橋和電池保護。SiA936EDJ為這些應(yīng)用提供了34mΩ（4.5V）、37mΩ（3.7V）和45mΩ（2.5V）的極低導(dǎo)通電阻，并內(nèi)建ESD保護功能。器件在2.5V下的導(dǎo)通電阻比接近的8V VGS器件低11.7%,同時具有更高的（G-S）防護頻帶，比使用12V VGS的接近器件的導(dǎo)通電阻低15.1%.

　　器件的低導(dǎo)通電阻使設(shè)計者可以在其電路里實現(xiàn)更低的壓降，更有效地使用電能，并延長電池壽命。雙片SiA936EDJ把兩顆MOSFET集成在一個小尺寸封裝里，簡化了設(shè)計，降低了元器件數(shù)量，節(jié)省了重要的PCB空間。MOSFET進行了100%的Rg測試，符合JEDEC JS709A的無鹵素規(guī)定，符合RoHS指令2011/65/EU;SiA936EDJ現(xiàn)可提供樣品，并已實現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十二周到十四周。