導(dǎo)讀：意法半導(dǎo)體（簡稱“ST”）日前發(fā)布三款先進的高壓功率MOFET系列產(chǎn)品，此系列產(chǎn)品具有高達(dá)650V和800V電壓運行所要求的隔離通道長度和間隙，采用的PowerFLAT封裝比主流的DPAK封裝縮小52%.

　　據(jù)悉，ST的三款先進的高壓功率MOFET系列產(chǎn)品是將兩項新的封裝技術(shù)應(yīng)用到三個先進的高壓功率MOFET系列產(chǎn)品中，不僅提高了管子的高壓輸出能力，而且讓充電器、太陽能微逆變器和計算機電源等注重節(jié)能的設(shè)備變得更緊湊、更穩(wěn)健、更可靠。

　　除此之外，ST的三款先進的高壓功率MOFET系列產(chǎn)品還配備一個裸露的大面積的金屬漏極焊盤，通過印刷電路板上的散熱通孔限度地排熱。

　　目前，ST現(xiàn)已推出三款采用PowerFLAT 5x6 HV封裝的650V MDmesh V MOSFET產(chǎn)品，還將推出四款額定電壓極高的采用PowerFLAT 5x6 VHV 800V封裝的SuperMESH 5 MOSFET.