2012年，Spansion公司宣布其單層單元（SLC）系列NAND閃存產(chǎn)品開(kāi)始出樣，并同時(shí)公布了未來(lái)五年的技術(shù)規(guī)劃圖：包括將采用4x nm浮柵技術(shù)的1Gb到8Gb SLC NAND解決方案，在2012年底升級(jí)至3x nm浮柵技術(shù)，并在2014年升級(jí)至2x nm。

　　兩年過(guò)去了，Spansion日前的確又推出了新的NAND閃存產(chǎn)品。不過(guò)，此番推出的NAND產(chǎn)品并非是規(guī)劃中宣稱(chēng)的20nm SLC NAND產(chǎn)品，而是面向消費(fèi)、通信和工業(yè)設(shè)備市場(chǎng)的工業(yè)級(jí)e.MMC NAND閃存系列。

　　Spansion NAND閃存產(chǎn)品營(yíng)銷(xiāo)及業(yè)務(wù)拓展總監(jiān)Touhid Raza先生對(duì)此解釋說(shuō)，公司原本的計(jì)劃的確是在2014年底推出第三代20nm SLC NAND產(chǎn)品，但出于商業(yè)上的考慮，Spansion取消了這一計(jì)劃，將制程工藝重新調(diào)整為32nm,并會(huì)根據(jù)市場(chǎng)需要在該基礎(chǔ)上繼續(xù)推進(jìn)。

　　Spansion e.MMC S4041-1B1閃存采用高密度的MLC NAND,提供8GB和16GB存儲(chǔ)密度，工作溫度范圍為-40度到+85度，可配置為多種模式。Touhid Raza強(qiáng)調(diào)稱(chēng)，新產(chǎn)品更多考慮到了嵌入式市場(chǎng)的需求特點(diǎn)，包括使用壽命長(zhǎng)久，具備自我監(jiān)測(cè)和匯報(bào)、突然掉電保護(hù)、存儲(chǔ)器診斷工具包等功能。

　　具體而言，該系列產(chǎn)品支持JEDEC e.MMC 4.51指令集以及現(xiàn)場(chǎng)固件升級(jí)、健康自我監(jiān)測(cè)、自動(dòng)后臺(tái)運(yùn)行等e.MMC 5.0功能；嚴(yán)格的突然掉電測(cè)試可確保在掉電發(fā)生時(shí)為數(shù)據(jù)提供等級(jí)的保護(hù)；而內(nèi)置診斷、分析、配置和編程功能的存儲(chǔ)器診斷工具，則能夠簡(jiǎn)化配置和e.MMC的驗(yàn)證，幫助工程師縮短存儲(chǔ)器驗(yàn)證周期。

　　出于成本因素，NAND、SLC NAND和e.MMC有著不同的應(yīng)用領(lǐng)域：存儲(chǔ)密度1GB以下，NAND閃存更受青睞；1GB-16GB,用戶(hù)通常選擇SLC NAND；而16GB以上e.MMC則更為合適。Touhid Raza認(rèn)為，相比SLC NAND產(chǎn)品，e.MMC在NAND閃存基礎(chǔ)上增加了一個(gè)控制器，用以實(shí)現(xiàn)新增性能優(yōu)化、壞塊管理，以及磨損平衡等內(nèi)存管理功能，再以JEDEC標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行BGA封裝，占用主機(jī)資源更少，易用性更強(qiáng)。另一方面，SLC NAND產(chǎn)品密度較低（≤2GB），而e.MMC密度更高（≥4GB），成本效益更高。且隨著NAND技術(shù)的不斷更新，SLC NAND接口需相應(yīng)升級(jí)，而e.MMC方案卻不需要對(duì)接口進(jìn)行太多改變。

　　8GB和16GB版本的S4041-1B1現(xiàn)已投入量產(chǎn)，封裝選項(xiàng)包括153 BGA （0.5mm球間距）和100 BGA（1.0mm球間距），溫度范圍選項(xiàng)包括-25到+85度，以及-40到+85度。未來(lái)，Spansion還將陸續(xù)推出4GB、32GB和64GB版本。