功率半導(dǎo)體和管理方案供應(yīng)商國際整流器公司 （International Rectifier,簡稱IR） 近日針對鋰離子電池保護(hù)應(yīng)用推出配備IR低壓MOSFET硅技術(shù)的一系列器件，包括IRL6297SD雙N通道DirectFET MOSFET。

　　全新功率MOSFET具有極低的導(dǎo)通電阻，可大幅減少導(dǎo)通損耗。產(chǎn)品可作為N通道及P通道配置的20V和30V器件，柵極驅(qū)動從12 Vgs起，非常適合包含了兩個串聯(lián)電池的電池保護(hù)電路。IRL6297SD在精密且能高效散熱的小罐式DirectFET封裝內(nèi)提供兩個采用共漏極配置的20V N通道MOSFET。

　　IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“IR擁有適合電池管理的廣泛的MOSFET產(chǎn)品系列，提供行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝以及適合精密設(shè)計的小罐式雙DirectFET封裝。新器件具有低導(dǎo)通電阻，可替代采用較大封裝的MOSFET，從而節(jié)省電路板空間及系統(tǒng)成本。”

　　所有新產(chǎn)品均不含鉛、溴和鹵，符合級濕度敏感度標(biāo)準(zhǔn) （MSL1） 及電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 （RoHS）。

　　產(chǎn)品現(xiàn)正接受批量訂單。

　　規(guī)格