隨著越來(lái)越多的無(wú)線標(biāo)準(zhǔn)和頻帶支持越來(lái)越多的應(yīng)用，意法半導(dǎo)體開(kāi)始支持市場(chǎng)對(duì)高性能和高集成度的需求。意法半導(dǎo)體新推出的STW81200射頻合成器采用BiCMOS （SiGe） 制造技術(shù)，單片集成寬帶壓控振蕩器（VCOs, voltage-controlled oscillators） 、雙架構(gòu)分?jǐn)?shù)整數(shù)鎖相環(huán) （PLL, phase-locked-loop） 內(nèi)核、低噪穩(wěn)壓器，以及符合各種射頻要求的可編程硬件選件。

　　在基站、射頻鏈接、衛(wèi)星、通信、測(cè)試測(cè)量等射頻應(yīng)用中，系統(tǒng)的總體性能與射頻合成器相噪特性密切相關(guān)。這些射頻應(yīng)用需要高集成度和優(yōu)化的成本，同時(shí)又不能犧牲射頻性能。在滿足這些要求過(guò)程中，作為市場(chǎng)上靈活性的射頻合成器，STW81200支持多頻多標(biāo)準(zhǔn)且可軟件定義的50MHz到6GHz射頻輸出，同時(shí)提供 -227 dBc/Hz歸一化帶內(nèi)相噪層，當(dāng)通信載波為4.0GHz、頻率偏移1MHz時(shí)，壓控振蕩器相噪為 -135 dBc/Hz,噪聲層為-160 dBc/Hz。

　　5V、3.6V或3.0V非穩(wěn)壓?jiǎn)?a target="_blank">電源讓STW81200在市場(chǎng)上，優(yōu)調(diào)的功耗和性能使其應(yīng)用范圍從傳統(tǒng)市電供電基礎(chǔ)設(shè)施擴(kuò)展至依靠電池供電的便攜裝置。

　　隨著意法半導(dǎo)體的STW8110x產(chǎn)品家族的成功發(fā)展，新款的射頻合成器的性能和靈活性越來(lái)越高，可以在同一電路板設(shè)計(jì)上支持多頻帶和多射頻標(biāo)準(zhǔn)（logistic）。此外，更高的集成度和降低的材料成本有望為客戶節(jié)省更多資源。

　　STW81200穩(wěn)健的設(shè)計(jì)符合射頻基礎(chǔ)設(shè)施用例的要求。

　　STW81200現(xiàn)在已進(jìn)入產(chǎn)能提升階段。意法半導(dǎo)體正在為客戶提供6x6四邊扁平封裝STW81200評(píng)估工具的樣品。